PEG修饰ZnO量子点|聚乙二醇表面修饰氧化锌量子点|供应

中文名称:PEG修饰ZnO量子点

英文名称:PEGmodifiedZnOquhaitumdots

其它别称:聚乙二醇表面修饰氧化锌量子点

纯度:98%

包装:mg级和g级

货期:一周

地址:上海

厂家:上海金畔生物科技有限公司

采用溶胶–凝胶法制备了ZnO量子点,并采用有机高分子试剂PEG(聚乙二醇,MW=2000)对其表面进行修饰。借助X射线衍射分析,傅立叶红外光谱,光致发光谱和透射显微镜等测试方法,研究了PEG表面修饰对ZnO量子点结构和光学性能的影响规律。研究表明,混合加入的PEG聚合物能够成功地包覆在ZnO量子点表面,但没有改变量子点的晶体结构,经PEG表面修饰后的ZnO量子点尺寸变小,稳定性增强,分散更均匀。同时经PEG修饰的ZnO量子点在400-500nm波长区域缺陷态发射峰明显减弱表明采用PEG来改善ZnO量子点表面缺陷结构具有良好效果

PEG修饰ZnO量子点|聚乙二醇表面修饰氧化锌量子点|供应

上海金畔生物供应PEG修饰ZnO量子点,硫化银水溶性Ag2S量子点,CdSe/ZnS量子点,PbS硫化铅量子点,Ag2Te碲化银量子点,黑磷量子点(BPQDs)等等的定制服务。

其它量子点定制产品目录:

氮化碳量子点改性反蛋白石g-C3N4催化剂

氮化碳量子点改性多级孔TiO2-SiO2复合材料

聚4-乙烯基吡啶改性碲化镉量子点

三苯甲基改性油溶性碳量子点

蒽醌改性石墨烯量子点AAG

二氧化硅改性铋卤钙钛矿量子点

碳量子点碳纳米纤维改性纳米钼酸铋复合材料

锡粉改性氮掺杂石墨烯量子点

无机钙钛矿CsPbBr3量子点改性CsPb2Br5纳米片

壳聚糖希夫碱改性石墨烯量子点

半胱氨酸改性石墨烯量子点

噻吩聚合物改性CdSe量子点

二氧化硅改性铋基钙钛矿量子点

氨改性碳量子点

氨基喹啉改性氮参杂石墨烯量子点

钴掺杂氧化锌量子点

碳量子点(CQDs)修饰硅酸铋(Bi2SiO5)纳米片

厂家:上海金畔生物科技有限公司

硫化铅量子点修饰氧化锌纳米片(ZnO/PbSQDs)的制备及紫外−可见吸收光谱图|供应

通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜利用扫描电子显微镜(SEM)X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构

 硫化铅量子点修饰氧化锌纳米片(ZnO/PbSQDs)的制备

分别配制01mol/LNa2SPb(NO3)2溶液50mL将样品依次在配好的溶液浸泡在Pb(NO3)2、去离子水、Na2S溶液、去离子水中各40201040s作为一个循环样品经10次循环后用去离子冲洗3遍、烘干ZnO纳米片及PbS/ZnO复合结构的紫外可见吸收光谱如图3所示

硫化铅量子点修饰氧化锌纳米片(ZnO/PbSQDs)的制备及紫外−可见吸收光谱图|供应

上海金畔生物供应油溶性近红外PbS量子点(QDs),油溶性PbS量子点产品,表面由疏水配体包覆,平均的量子产率为50%,储存时应避免阳光直射,4度密封暗处保存,金畔生物可以为客户订制生产800nm~1600nm任一波长不同克数的产品及其硫化铅PbS量子点定制产品。

聚3-甲基噻吩修饰PbS硫化铅量子点

硫化铅量子点修饰氧化锌纳米片(ZnO/PbS QDs)

石墨烯-PbS胶体量子点(colloidal quhaitum dot:CQD)

石墨烯掺杂硫化铅PbS量子点

硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)

铟掺杂硫化铅PbS量子点

In掺杂PbS硫化铅量子点

Cu掺杂水溶性PbS硫化铅量子点

锌掺杂的硫化铅量子点(Zn/PbS)

锰掺杂水溶性硫化铅量子点(Mn/PbS)

Co掺杂水溶性PbS硫化铅量子点

Ni掺杂水溶性PbS硫化铅量子点

Fe掺杂水溶性PbS硫化铅量子点

掺杂铕的硫化铅硫化铅量子点

PbS量子点敏化B/S/TiO2纳米复合材料

硫化铅量子点(PbSQDs)功能化黑磷量子点(BPQDs)

厂家:上海金畔生物科技有限公司

水溶性ZnO掺Cd量子点标记狂犬病P蛋白单克隆抗体|定制供应

水溶性ZnOCd量子点标记狂犬病P蛋白单克隆抗体

【产品名称】:水溶性ZnOCd量子点标记狂犬病P蛋白单克隆抗体

【质量】:95%

【溶解物】:可分散于水中

【储藏方法】:2-8℃

【保质期】:6个月

【用途】:化工,生物产业

【供货方式】:现货

【是否进口】:否

【特色服务】:包邮

【产地/厂商】:上海金畔生物

利用共价偶联的方式,在水溶性缩合剂1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDC)N-羟基硫代琥珀酰亚胺(Sulfo-NHS)促进作用下,400μL2g/L狂犬病P蛋白抗体与适量的聚丙烯酸修饰后的水溶性硫脲修饰ZnOCd量子点进行共价偶联反应,经磷酸盐缓冲液(PBS,0.01mol/L,pH7.4)透析纯化得到目标偶联物

一种水溶性量子点及其制备方法,包括步骤:将油溶性量子点滴加到聚合物储备液中,滴加完毕后室温下搅拌2.5~3.5h,得到穿插有聚合物的油溶性量子点;然后向穿插有聚合物的油溶性量子点中添加有机交联分子储备液,添加完毕后室温下搅拌25~35min,将产物反复溶解、沉淀,过滤提纯,得到水溶性量子点。

水溶性ZnO掺Cd量子点标记狂犬病P蛋白单克隆抗体|定制供应

量子点具备以下非常优异的光学特性

1.量子点具有狭窄对称的荧光峰和较大的斯托克斯位移。这在应用时是一个很大的优点,使得人们可以同时使用不同谱学特性的量子点,但是发射光谱却不出或者很少出现交叠,从而易于识别及区分所标一记的相应的生物分子。

2.量子点结构稳定,荧光光谱基本不受周围环境的影响。而且它可以承受反复多次激发而不淬灭,背景强度低,信噪比高。

3.可以激发量子点的光波长范围很宽,这就使得单个波长激发所有的量子点成为了可能,从而使用同一个激发光可同时进行多通道检测。

4.量子点的粒径和激发光波长有特定的对应关系,所以可以通过调整量子点尺寸来获得不同光谱特征的量子点,从而使用同一种材料进行多色标记。

量子点定制产品目录:

硫化镉量子点-二氧化钛纳米颗粒

InAs量子点修饰GaAs/AlAs核壳结构纳米线

银量子点修饰氮化碳纳米材料

近红外发光CdSe量子点敏化纳米二氧化钛TiO2

Si掺杂近红外InAs/GaAs量子点

季鏻盐改性蒙脱土负载钴掺杂氧化锌量子点

CdS量子点敏化ZnO纳米棒

葫芦脲修饰碲化镉量子点

二氧化钌量子点修饰五氧化二钒纳米材料

碳量子点修饰黑磷量子点纳米粒子

C碳量子点修饰BiVO4纳米片

碳量子点修饰铁酸镧/凹凸棒纳米复合材料

碳量子点-金纳米复合材料

近红外发光CdS量子点敏化TiO2纳米管

咪唑4,5-二羧酸修饰氮掺杂碳量子点

石墨烯量子点-银纳米材料

聚3-甲基噻吩修饰硫化镉CdS量子点

有机酸修饰Bi2S3量子点

石墨烯量子点(GQDs)修饰TiO2纳米线

N-乙酰基-L-半胱氨酸修饰CdTe量子点

厂家:上海金畔生物科技有限公司

室温氧化锌ZnO量子点的制备过程及结构和光学性质表征

室温氧化锌ZnO量子点的制备过程及结构和光学性质表征

基于传统的室温溶胶凝胶法,利用甲醇钠作为碱源制备了氧化锌量子点(ZnO QDs),探究不同甲醇钠添加量对合成ZnO QDs形貌及光学性质的影响。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)和光致发光谱(PL)多种表征方法对样品的结构、形貌、光学性质进行表征和分析。结果发现所制备的ZnO QDs为六方纤维锌矿结构,呈球形,尺寸在5nm。由于小尺寸引起的量子限域效应,与块材相比,ZnO QDs的吸收波长发生明显的蓝移。室温光致发光谱表明样品荧光发射峰位于510nm附近。后提出ZnO QDs可能的形成机理。

 实验过程

如图1所示,称取0.5g醋酸锌置于两口烧瓶中,用量筒量取20mL乙醇加入至两口烧瓶中,将两口烧瓶置于电热套上高速搅拌,在80℃加热回流,直至溶液澄清透明,随后将两口烧瓶取下置于水浴中冷却至室温。称取不同量的甲醇钠Zn(Ac)22H2O/CH3ONa的摩尔比分别为1:1.41:21:2.51:3.3)溶解在20mL乙醇中,超声20min,随后取出置于水浴中冷却至室温。将上述甲醇钠乙醇溶液缓慢倒入醋酸锌乙醇溶液中,室温下磁力搅拌反应30min,取0.2mLAPTES2mL水混合后逐滴加入上述溶液,5min后停止反应,使用离心机在4100r/min条件下离心5min,然后将沉淀用乙醇洗涤、离心,重复以上操作两次以去除未反应的前驱物及副产物,后将沉淀放在70℃烘干2h

室温氧化锌ZnO量子点的制备过程及结构和光学性质表征

1.3 测试与表征

采用紫外可见分光光度计(UV-vis)测量紫外可见吸收光谱。采用X射线衍射仪(XRD)分析产物晶型。样品粉末在无水乙醇中超声分散成胶体溶液并浸渍铜网,室温干燥后测试,得到的样品采用透射电子显微镜(TEM)观察。

2.1 结构及形貌表征

室温氧化锌ZnO量子点的制备过程及结构和光学性质表征

通过X射线衍射仪得到图2所示的ZnO QDsX射线衍射谱图,合成ZnO QDs样品的特征峰和JCPDS卡标准值(JCPDS36-1451)基本一致,表明所合成的ZnO量子点为六方纤锌矿结构,衍射角2θ=32.0734.536.547.757.163.168.1处出现了衍射峰,刚好对应了氧化锌六方纤锌矿晶型的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)晶面。XRD谱图对应准确并无其他杂峰,样品纯净度高。不同碱量下制备样品的衍射峰的半峰宽发生明显的宽化,这是由于ZnO QDs的小尺寸所造成的。从透射电子显微镜图3可以看出,所制备的样品尺寸均匀,近似球形,粒径在5nm附近。

导电玻璃负载氧化锌/铜(ZnO/Cu)核壳纳米棒

导电玻璃负载氧化锌/铜(ZnO/Cu)核壳纳米棒

产品颜色:灰黑色,实物尺度:1cm*2cm,基底:FTO导电玻璃

产品介绍

产品颜色

灰黑色

实物尺度

1cm*2cm

基底

FTO导电玻璃

ZnO纳米棒尺寸

直径:300-500 nm;长度:~2um

Cu颗粒

40-60 nm

储存条件

常温干燥

负载量

2-3 mg cm-2

应用领域

光催化(析氢、析氧、氧气还原等)、超级电容器、电分析化学载体、柔性电极和柔性电子、光催化分解降解、流体力学测试等

导电玻璃负载氧化锌/铜(ZnO/Cu)核壳纳米棒
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司

Co、Cu、S、Cd四种元素掺杂聚乙二醇PEG修饰的氧化锌ZnO量子点

Co、Cu、S、Cd四种元素掺杂聚乙二醇PEG修饰的氧化锌ZnO量子点

上海金畔生物供应各种稀土元素掺杂的近红外发光量子点(CdSe量子点,CdSe/ZnS量子点,PbS量子点,Ag2S量子点,PbSe量子点,In2S3硫化铟量子点,硫化镉量子点,CdS量子点,CdTe量子点,二硫化钼MoS2量子点) 。

作为种生物安全、发光性能优异、无、价格低廉的氧化物半导体材料,ZnO量子点可在紫外线激光器荧光器件、生物标记和诊断学等方面发挥重要作用

采用CoCuSCd四种元素对PEG修饰的ZnO量子点掺杂,结合表征和光催化实验考察不同元素掺杂对ZnO量子点光催化性能的影响。得到的主要结论如下:  

制备的ZnO量子点具有良好的的光催化活性。原料配比(mol(Zn(C4H6O4))/mol(LiOH)1∶5时,制备的ZnO量子点光催化性能最强。0.1gZnO量子点粉末40min50mL0.1g/L的活性黄X-R染料废水色度的去除率达到了89.80%,COD去除率为63.32%。ZnO量子点表面活性较强,容易发生团聚现象,高温煅烧处理可以减少其团聚现象,但不能明显提升其光催化性能。ZnO量子点对不同染料废水的光催化去除和吸附去除效果存在较大差异,染料分子中显色基团数目和位置,决定了染料去除的难易程度。

Co、Cu、S、Cd四种元素掺杂聚乙二醇PEG修饰的氧化锌ZnO量子点

其它量子点定制产品目录:

PEG包被CdSe/ZnS(内芯/外壳)量子点

PEG的修饰CdTe碲化镉量子点

聚乙二醇-9聚精氨酸共价修饰碲化镉量子点(9R/DG-CdTe QDs)

PEG修饰的CdTe QDs复合纳米粒

叶酸-氨基聚乙二醇偶联CdTe/CdS量子点(FA-PEG-CdTe/CdS)

PEG-FA偶联CdTe/CdS量子点

PLA-PEG修饰黑磷量子点

DSPE-PEG-TPP偶联二硫化钼量子点

PEG修饰氮硫共掺杂碳量子点

PEG修饰CdSe量子点(PEG-CdSeQDs)

马来酰亚胺-聚乙二醇-氨基琥珀酰亚胺琥珀酸酯偶联碳量子点

Mal-PEG-NHS偶联碳量子点

PEG醇修饰CdTe量子点

PEG酸修饰CdTe量子点

荧光碳量子点修饰amine-PEG1500

PEG-NH2功能化Ag2Se量子点

PEG修饰CdSe/ZnS量子点

Ag2S-PEG量子点

叶酸靶向性硅包覆碲化镉量子点CdTe@SiO2-NH-CO-PEG-folate

厂家:上海金畔生物科技有限公司

光电材料|湿度下氧化锌薄膜的紫外光电特性

研究了紫外光驱动下氧化锌薄膜对湿度的光电性能。


采用丝网印刷法在Al₂O₃基板上制备了氧化锌薄膜。


用XRD、FE-SEM和EDX对ZnO进行了表征。


通过将ZnO暴露在不同的偏置电压和不同的相对湿度(20% RH、40% RH、60% RH和80% RH)下,研究了紫外光驱动的ZnO光电性能随时间的变化。


一方面,ZnO的光电性能随着偏压的增大而增大,表明偏压越大,载流子的分离越明显;


另一方面,光电流随着相对湿度的增加而减小,说明湿度越大,光电性能越小。


为了讨论这些结果,对不同条件下的光电特性提出了相应的解释。

光电材料|湿度下氧化锌薄膜的紫外光电特性

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光电材料|湿度下氧化锌薄膜的紫外光电特性

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/24


提供一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法

II-VI族化合物半导体氧化锌(ZnO)作为第三代半导体材料的代表,因其具有独特的物理、化学和光学性能,正受到人们越来越广泛的关注和研究。ZnO具有宽的带隙、很高的化学温度性和热温度性,在大气中不易被氧化,与III一V族氮化物和Ⅱ一VI族硒化物相比,其材料的稳定性是其它材料所无法比拟的。虽然生长更高质量的ZnO 还有待进一步研究,但其作为继II一V氮化物和II一VI族的硒化物之后又一新的宽禁带半导体激光器材料已经显示出其独特的优越性。目前人们对ZnO的研究还处于开始阶段,ZnO主要还是在衬底蓝宝石(0001),硅(111),(100)晶面上进行外延生长。

我们采用硅衬底生长,虽然难度大,但是根据目前的器件和集成技术,硅基上的生长才更具有现实意义。尽管MOCVD技术能够制备高质量、大面积、均匀的外延或多晶薄膜,但是利用MOCVD 工艺,在硅衬底上直接生长 ZnO是非常困难的。

本发明的目的在于提供一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法,该方法是在衬底硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法首先生长一层氧化锌薄膜,然后在氧化锌薄膜上同质外延生长氧化锌薄膜;氧化锌薄膜沉积时衬底温度约30 0-3 5 0 ℃,压力约20 Torr,生长厚度0 . 5 – 1 . 0 u m。同时优化生长条件,如温度、压力的控制,通过这些措施可以在硅衬底上得到单晶氧化锌薄膜,并且有效地提高ZnO外延膜的质量,并提高表面的平整度。

本发明-种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

( 1)取一衬底;

( 2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层;

(3 )在氧化锌缓冲层上,采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。

其中衬底是大失配硅衬底。

其中氧化锌单晶外延薄膜低温生长的温度为3 0 0 -3 5 0 ℃,生长压力为2 0 Torr,生长厚度为0.5-1.0 u m.

其中氧化锌单晶外延薄膜的表面粗糙度为6- 1 0 nm。其中氧化锌单晶外延薄膜的XRD曲线半峰宽为0.3 3 °。

其中氧化锌单晶外延膜的PL谱仅有一个紫外发光峰且半峰宽为2 1.0 3 nm。

其中氧化锌单晶外延薄膜的RHEED图像为规则点状。

提供一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法

图1是本发明的单晶氧化锌外延膜的结构示意图;

提供一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法

图2是本发明的单晶氧化锌外延膜的 RHEED照片。

供应产品目录:

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三维多孔碳膜

二维氮化硼纳米薄膜

高性能钠离子薄膜

多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化锰复合薄膜

各向异性导电高分子复合薄膜

碳氮化物薄膜

微纳结构薄膜

三维阶层多孔金膜

大内径碳纳米管阵列薄膜

金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜

纳米反应器阵列薄膜

铁氧体/石墨烯基纳米复合薄膜

三维网络结构铁氧体/碳材料纳米复合薄膜

具有大孔-中孔多级孔结构的自支撑碳纳米管薄膜

非晶碳基纳米多层薄膜

离子液体/织构化类金刚石碳复合润滑薄膜

碳纳米纤维薄膜

硫化钴镍纳米棒-静电纺丝碳纳米纤维复合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三维多孔碳纳米管/石墨烯导电网络的柔性薄膜

三维镍纳米线薄膜

超顺排碳纳米管薄膜

金属掺杂DLC(Me-DLC)纳米复合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2复合薄膜

碳基架负载二氧化锰纳米片的复合薄膜

超润滑非晶碳膜

网状结构碳纳米管薄膜

二维碳基薄膜

石墨烯基纳米薄膜复合材料

超级电容器柔性可弯曲薄膜

三维石墨烯/多壁碳纳米管/纳米金铂复合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2纳米复合薄膜

碳包覆磷酸铁锂薄膜

WC/类金刚石(DLC)/WS2纳米复合薄膜

yyp2021.4.1

光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射技术在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基片上制备了ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜。中间体Al和Cu金属层的总厚度保持在8 nm。


四种不同的Al/Cu厚度比分别为7:1、6:2、5:3和4:4。其他四种参考样品采用相同的工艺制备,分别是ZnO单层膜、ZnO/Al8 (8 nm厚度的Al层,下同)/ZnO、ZnO/Cu8/ZnO和ZnO/Cu2/Al6/ZnO多层膜。


研究了Al/Cu层厚比和沉积顺序对Al、Cu层厚度的影响。


结果表明:随着Cu层厚度的增加,薄膜的片电阻减小,透光率先增大后减小;薄膜电阻为108 Ω/sq,平均可见光透过率为84.73%的ZnO/Al6/Cu2/ZnO多层膜具有最佳的整体光电性能,其最高优值为1.77 × 10-3 Ω-1。


此外,ZnO/Cu2/Al6/ZnO和ZnO/Al6/Cu2/ZnO多层膜的平均可见光透过率和薄膜电阻几乎相同,说明Al层和Cu层的沉积顺序对薄膜的光电性能影响不大。


结果表明,ZnO/Al/Cu/ZnO多层柔性薄膜在各个领域都具有广阔的应用前景。

光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

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光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射技术在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基片上制备了ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜。中间体Al和Cu金属层的总厚度保持在8 nm。


四种不同的Al/Cu厚度比分别为7:1、6:2、5:3和4:4。其他四种参考样品采用相同的工艺制备,分别是ZnO单层膜、ZnO/Al8 (8 nm厚度的Al层,下同)/ZnO、ZnO/Cu8/ZnO和ZnO/Cu2/Al6/ZnO多层膜。


研究了Al/Cu层厚比和沉积顺序对Al、Cu层厚度的影响。


结果表明:随着Cu层厚度的增加,薄膜的片电阻减小,透光率先增大后减小;薄膜电阻为108 Ω/sq,平均可见光透过率为84.73%的ZnO/Al6/Cu2/ZnO多层膜具有最佳的整体光电性能,其最高优值为1.77 × 10-3 Ω-1。


此外,ZnO/Cu2/Al6/ZnO和ZnO/Al6/Cu2/ZnO多层膜的平均可见光透过率和薄膜电阻几乎相同,说明Al层和Cu层的沉积顺序对薄膜的光电性能影响不大。


结果表明,ZnO/Al/Cu/ZnO多层柔性薄膜在各个领域都具有广阔的应用前景。

光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

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光电材料|Al/Cu厚度比和沉积顺序对射频磁控溅射PET基片上ZnO/Al/Cu/ZnO多层膜光电性能的影响

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/22

光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性

采用低温水热法在蓝宝石/p-GaN薄膜模板上生长了ZnO、ga掺杂ZnO (GZO)、in掺杂ZnO (IZO)和Ga-In共掺杂ZnO (GIZO)纳米线阵列,制备了自供电的p-GaN/n-ZnO异质结紫外探测器。


作者调查了Ga的影响或单掺杂和Ga-In提出微观结构特性和光学特性的热液地合成氧化锌纳米线和光敏特性进行了比较研究和光电的响应性能的四种pn异质结紫外探测器。


x射线衍射(XRD)测试表明,合成的zno基纳米线阵列具有单相六方纤锌矿结构,并沿(002)面有择优取向。扫描电子显微镜(SEM)观察表明,掺杂剂的种类对纳米线的形貌和平均直径有一定的影响。zno基纳米线的平均直径为61 ~ 101 nm。室温光致发光(PL)光谱表明,合成的zno纳米线具有较高的结晶质量。


基于p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线阵列的异质结光电探测器的电流-电压(I-V)曲线在黑暗和紫外光照下均具有整流特性。在紫外照射下,GIZO器件在5 V偏压下具有最佳的光敏特性。


在5 V偏压下,光暗电流比接近6.0,开关电压低于1.8 V。与单掺杂和未掺杂ZnO器件相比,p-GaN/n-GIZO异质结紫外探测器在零偏置电压下实现了优异的光响应性能。


光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性

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光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性

采用低温水热法在蓝宝石/p-GaN薄膜模板上生长了ZnO、ga掺杂ZnO (GZO)、in掺杂ZnO (IZO)和Ga-In共掺杂ZnO (GIZO)纳米线阵列,制备了自供电的p-GaN/n-ZnO异质结紫外探测器。


作者调查了Ga的影响或单掺杂和Ga-In提出微观结构特性和光学特性的热液地合成氧化锌纳米线和光敏特性进行了比较研究和光电的响应性能的四种pn异质结紫外探测器。


x射线衍射(XRD)测试表明,合成的zno基纳米线阵列具有单相六方纤锌矿结构,并沿(002)面有择优取向。扫描电子显微镜(SEM)观察表明,掺杂剂的种类对纳米线的形貌和平均直径有一定的影响。zno基纳米线的平均直径为61 ~ 101 nm。室温光致发光(PL)光谱表明,合成的zno纳米线具有较高的结晶质量。


基于p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线阵列的异质结光电探测器的电流-电压(I-V)曲线在黑暗和紫外光照下均具有整流特性。在紫外照射下,GIZO器件在5 V偏压下具有最佳的光敏特性。


在5 V偏压下,光暗电流比接近6.0,开关电压低于1.8 V。与单掺杂和未掺杂ZnO器件相比,p-GaN/n-GIZO异质结紫外探测器在零偏置电压下实现了优异的光响应性能。


光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性

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FeTCPP-TDI-ZnO复合材料制备方法

采用金属卟啉-ZnO 复合材料作为可见光催化剂有着良好的光催化活性, 尤其是通过 TDI 把金属卟啉和 ZnO 用比较牢固的化学键结合起来, 能够更加有效地增加两者间的分子间作用力,使其光催化效能得以充分的表现出来,进而使该催化材料在拥有较好催化效果的同时,拥有了更加可靠的稳定性和更长时间的循环使用寿命。

有学者认为,羧基(-COOH)极易与半导体(ZnO)表面的位点配位,且产生电子转移反应,拓展ZnO的光谱响应范围, 提高光催化活性。 本文我们将以吡咯(新蒸)和羧基苯甲醛为制备原料,采用 Adler 法制备出四羧基苯基卟啉(TCPP,并且通过反复调PH TCPP 进行纯化,在此基础上合成了其Fe(Ⅲ)的铁卟啉化合物,并敏化ZnO,即得 FeTCPP-ZnO,继续选用TDI 来作为“桥键”分子,期待合成光催化性能优异的FeTCPP-TDI-ZnO

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料的制备方法

步骤一:以丙酮作为反应溶剂,将TDIZnO按照摩尔比为0.5:1的量投料反应,油浴加热至40℃,搅拌下反应30min,过滤掉反应溶剂,并用丙酮洗至少3次,自然放置使其晾干,即得TDI-ZnO。合成原理见图5-3

步骤二:将FeTCPP溶于一定容量的丙酮,并进一步与分散于丙酮溶液中的ZnO混合,两者的5,10,15,20比为1mg:1gFeTCPP:ZnO,加热回流2h,旋蒸除去丙酮,既得FeTCPP-ZnO复合材料。

步骤三:将FeTCPP溶于一定容量的丙酮,并进一步与分散于丙酮溶液中的TDI-ZnO混合,

两者的5,10,15,20比为1mg:1gFeTCPP:TDI-ZnO,加热回流2h,旋蒸除去丙酮,既得

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料。合成原理见图。

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料制备方法

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料的UV-vis 图谱

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料制备方法

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料的FT-IR 图谱

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料制备方法

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料的XRD 图谱

FeTCPP-TDI-ZnO复合材料制备方法

上海金畔生物供应铁卟啉、锰卟啉、钴卟啉、铜卟啉、锌卟啉、镍卟啉、铁卟啉催化剂、锰卟啉催化剂、钴卟啉催化剂、铜卟啉催化剂的定制产品

CAS:16828-36-7;四对氯苯基卟啉铜

CAS:19414-66-5;四对甲苯基卟啉铜

CAS:19496-18-5;四对甲苯基卟啉铁

CAS:24249-30-7;四对甲氧苯基卟啉铜

CAS: 36965-70-5;四对氯代苯基卟啉铁

CAS:36995-20-7;四对甲氧苯基卟啉铁

CAS:37191-15-4;μ-氧-双四对氯苯基卟啉铁

CAS:37191-17-6;μ-氧-双铁四对甲氧苯基卟啉

CAS:39828-57-4;四对甲氧苯基卟啉镍

CAS:43145-44-4;四对甲苯基锰卟啉

CAS: 55915-17-8;四对氯苯基卟啉钴

CAS:57774-14-8;四对氯苯基卟啉镍

CAS:58188-46-8;四对甲苯基卟啉镍

CAS:62613-31-4;四对氯苯基卟啉锰

CAS:62769-24-8;四对甲氧苯基卟啉锰

CAS:154089-44-8;μ-氧-双四对甲苯基卟啉锰

CAS:154089-63-1;双四对氯代苯基卟啉锰

CAS:154089-64-2;双四对甲氧苯基卟啉锰

CAS:174094-31-6;μ-氧-双铁四对甲苯基卟啉


光电材料|电介质环境空间调制增强等离子体ZnO纳米棒的光电响应

一维氧化锌(ZnO)纳米棒具有良好的电子迁移能力,具有广阔的光电或光化学应用前景。


然而,可见光吸收差和表面电荷快速复合是其推广应用的瓶颈。在本工作中,等离子体金纳米粒子(Au NPs)和介质氧化硅(SiO2)沉积在氧化锌纳米棒的表面,以调整其光电性能。


金纳米粒子的局域表面等离子体共振将吸收光谱扩展到可见区域。介电质SiO2层表面钝化抑制了光激电子-空穴复合。通过对结构的合理积分,发现介电间隔层(ZnO-SiO2-Au)具有明显的光电流改善。


而介质壳层(ZnO-Au-SiO2)具有显著的光电流增强效果,比其他涂层高约4-28倍。增强的性能归因于其有效的空间分离电子-空穴对和优化的光吸收性质的金属-半导体系统。


该策略为高性能光采集天线的制造提供了新的见解,并为太阳能有源系统的设计奠定了基础。


光电材料|电介质环境空间调制增强等离子体ZnO纳米棒的光电响应

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光电材料|电介质环境空间调制增强等离子体ZnO纳米棒的光电响应

一维氧化锌(ZnO)纳米棒具有良好的电子迁移能力,具有广阔的光电或光化学应用前景。


然而,可见光吸收差和表面电荷快速复合是其推广应用的瓶颈。在本工作中,等离子体金纳米粒子(Au NPs)和介质氧化硅(SiO2)沉积在氧化锌纳米棒的表面,以调整其光电性能。


金纳米粒子的局域表面等离子体共振将吸收光谱扩展到可见区域。介电质SiO2层表面钝化抑制了光激电子-空穴复合。通过对结构的合理积分,发现介电间隔层(ZnO-SiO2-Au)具有明显的光电流改善。


而介质壳层(ZnO-Au-SiO2)具有显著的光电流增强效果,比其他涂层高约4-28倍。增强的性能归因于其有效的空间分离电子-空穴对和优化的光吸收性质的金属-半导体系统。


该策略为高性能光采集天线的制造提供了新的见解,并为太阳能有源系统的设计奠定了基础。


光电材料|电介质环境空间调制增强等离子体ZnO纳米棒的光电响应

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钴卟啉敏化TDI-ZnO复合材料(CoNH2TPP-TDI-ZnO)的制备方法

钴卟啉敏化TDI-ZnO复合材料(CoNH2TPP-TDI-ZnO)的制备方法

步骤一:CoNH2TPP溶于一定容量的丙酮,并进一步与分散于丙酮溶液中的TDI-ZnO混合,两者的质量比为1mg:1gCoNH2TPP:TDI-ZnO),

步骤二:加热回流2h,旋蒸除去丙酮,既得CoNH2TPP-TDI-ZnO复合材料。合成原理见图。

钴卟啉敏化TDI-ZnO复合材料(CoNH2TPP-TDI-ZnO)的制备方法

上海金畔生物供应卟啉敏化TiO2纳米管,卟啉敏化钨酸铋纳米复合材料,卟啉敏化二氧化钛复合微球等卟啉敏化剂材料,均有现货,可定制,纯度98+

光敏剂血卟啉衍生物(HpD)

硝基四磺基苯基卟啉光敏剂

10-羟基喜树碱/卟啉类光敏剂复合制剂

氟化透明质酸卟啉光敏剂

姜黄素桥连卟啉光敏剂

厚朴酚桥连卟啉光敏剂

新型2-氢醌-卟啉光敏剂

抗菌活性氨基酸卟啉光敏剂4I

卟啉锡光敏剂

苯并叶绿卟啉类光敏剂

光敏剂叶酸-卟啉

光敏剂2-氢醌四甲氧基苯基卟啉镍(Ⅱ)

四(对-羟基苯基)卟啉光敏剂

星状磷光铂(II)卟啉光敏剂(Pt-1,Pt-2和Pt-3)

卟啉敏化二氧化钛复合微球

5-(对-烯丙氧基)苯基 -10,15,20-三对氯苯基卟啉(APTCPP)敏化的TiO2复合微球APTCPP-MPS-TiO2.

卟啉敏化石墨相氮化碳光催化

锌卟啉-镓酞菁(ZnTSPP-GaTSPc)共敏化二氧化钛

偶氮卟啉染料

卟啉锌染料敏化剂

吩噻嗪修饰卟啉染料

二聚吲哚功能化卟啉染料

寡聚物功能化的卟啉光敏剂

氨基酸卟啉光敏剂

酞菁卟啉光敏剂修饰纳米TiO

"D-π-A"结构卟啉光敏剂

亚氨基二乙酸修饰四苯基卟啉光敏剂

2-氢醌-卟啉光敏剂

单臂β-取代卟啉光敏剂

氟化透明质酸卟啉光敏剂

血卟啉光敏剂

壳聚糖磁性光敏剂血卟啉衍生物微球

光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

采用低温溶剂热法制备了平均粒径为4.4 nm的ZnO量子点。


以ZnO QD溶液为原料,采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜,并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃,ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。


光致发光分析表明,包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。


薄膜的光电性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影响较大。随着温度升高到450℃,光暗电流比(PDCR)从3723降低到371%,而响应率从1.25增加到218 mA/W。


as涂层和250°c退火的薄膜由于其更大的表面与体积比,在PDCR、上升时间和下降时间方面具有更好的光响应,使其成为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。

光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

采用低温溶剂热法制备了平均粒径为4.4 nm的ZnO量子点。


以ZnO QD溶液为原料,采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜,并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃,ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。


光致发光分析表明,包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。


薄膜的光电性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影响较大。随着温度升高到450℃,光暗电流比(PDCR)从3723降低到371%,而响应率从1.25增加到218 mA/W。


as涂层和250°c退火的薄膜由于其更大的表面与体积比,在PDCR、上升时间和下降时间方面具有更好的光响应,使其成为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。

光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

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光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

构建了光电材料g-ZnO/α-CNH vhai der Waals (vdW)异质结构。

基于第一性原理计算,研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,

并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。该工作为光电器件的设计提供了有价值的参考。

光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

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光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

构建了光电材料g-ZnO/α-CNH vhai der Waals (vdW)异质结构。

基于第一性原理计算,研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,

并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。该工作为光电器件的设计提供了有价值的参考。

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