一种金属有序网格的柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)在湿度为30-50％的条件下，将有机物溶解于溶剂中配置成5wt％-12wt％浓度的溶液；

(2)将上述溶液在磁力搅拌器的作用下，搅拌6-8h，得到静电纺丝溶液，保存备用；

(3)将步骤S2)制备的静电纺丝溶液转入直径为13mm的注射器中，然后将注射器安装在推进器上，按照0.002-0.005mL/min的速率将静电纺丝溶液注射到衬底，制备有机物纤维骨架薄膜；

(4)然后在磁控溅射的条件下，真空度达到8.9×10 4 Pa,100W功率电压下，溅射10-240s时间，在有机纤维骨架薄膜表面溅射金属纳米颗粒，得到金属纳米薄膜；

(5)使用旋涂仪将聚酰亚胺(PI)溶液旋涂在金属纳米薄膜上，

具体为：先滴加2-3mL聚酰亚胺(PI)溶液，待其扩散至整张衬底后，再次滴下2-3mL，重复滴加多次；

(6)滴加的聚酰亚胺(PI)溶液扩散均匀之后快速放于烘箱中进行梯度温度固化，固化过程为：以1-5℃/min的升温速度从室温开始升温，温度每升高30℃保温60min，直至升温到175-180℃，同样保温60min，然后自然降温至室温，从而得到金属有序网格的透明导电薄膜。

图1 一种金属有序网格的柔性透明导电薄膜制备方法的流程图

图2 聚酰亚胺(PI)梯度固化温度的温控图

图3 实施例1和实施例2制备的薄膜的透过率曲线对比图

上海金畔生物科技有限公司提供静电纺丝纤维膜，纤维直径 500-2000nm的聚乳酸、聚砜、聚己内酯、聚乙烯醇、明胶纤维膜和聚酯、聚酰胺、聚乙烯醇、聚丙烯腈柔性高聚物静电纺丝等。

产品名称

PLA聚乳酸纤维膜  

PCL聚乙内脂纤维膜

PLGA聚乙酸-羟基乙酸共聚物纤维膜

PVA聚乙烯醇纤维膜

PVP聚乙烯吡咯烷酮纤维膜

Gel明胶纤维膜

PEO聚氧化乙烯纤维膜

PVDF聚偏氟乙烯纤维膜

PAN聚丙烯腈纤维膜

PSF聚砜纤维膜

PS聚苯乙烯纤维膜

绿色荧光PLA聚乳酸纤维膜  

红色荧光PLA聚乳酸纤维膜  

绿色荧光PLGA纤维膜  

红色荧光PLGA纤维膜  

绿色荧光PCL纤维膜  

红色荧光PCL纤维膜  

PLGA纤维膜载药定制

PLA纤维膜载药定制

PCL纤维膜载药定制

黑磷是一种具有高载流子迁移率、0.3~1.5 eV随厚度可调直接带隙以及各向异性等优异性质的二维层状半导体材料，在新型电子和光电子器件等领域，如高迁移率场效应晶体管、室温宽波段红外探测器及多光谱高分辨成像等方面具有独特的应用，受到广泛关注。然而，黑磷的大规模应用开发迄今仍受限于大面积、高质量薄膜的制备。传统上，黑磷可以通过高温高压、汞催化或从铋溶液中重结晶等方法来制备。通过矿化剂辅助气相输运法（CVT）则可进一步提高其产率和结晶度。但是，这些方法仅可获得黑磷晶体块材，很难直接在衬底上生长黑磷薄膜。最近，我们通过脉冲激光沉积或借鉴高温高压法尝试在介质衬底上直接生长黑磷薄膜。然而，获得的薄膜多为非晶态，晶粒尺寸小、迁移率等电学性能不理想，离实际应用需求相距甚远。尽管很多研究都做出了巨大的努力，但如何在基底上实现黑磷成核进而高结晶性薄膜的可控生长依然是一大挑战。

在这研究过程中，我们开发了一种新的生长策略，引入缓冲层Au3SnP7作为成核点，诱导黑磷在介质基底上的成核生长。在以往报道的CVT方法中，以Au或AuSn作为前驱体生长黑磷晶体时，Au3SnP7是其中重要的中间产物之一。我们考虑以Au3SnP7来诱导黑磷成核，主要是注意到两点：

1.是Au3SnP7在黑磷生长过程中可以非常稳定地存在；

2.是其（010）面的磷原子排布与黑磷（100）面具有匹配的原子结构。

基于此，我们通过在衬底上生成Au3SnP7来控制黑磷的成核和生长。其中Au3SnP7的形成是将沉积了Au薄膜的硅衬底与红磷、Sn、SnI4前驱体一起在真空封管中加热获得，其形貌通常为分散在硅衬底上的规则形状晶体，尺寸数百纳米。在随后的保温过程中，发生P4相向黑磷相的转变并在Au3SnP7缓冲层上外延成核。这一假定可以从高分辨截面TEM图像得到应证，可以清晰看到黑磷与Au3SnP7有序共存以及它们之间原子级平滑的界面。随后，在持续的磷源供给及降温过程中，会观察到过渡态黑磷纳米片产物及其在硅衬底上的生长、融合，最终获得表面平整洁净的连续黑磷薄膜。

在生长过程中，P4蒸气的过快输运不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。为了实现可控的黑磷薄膜生长，我们设计了几种方法来减少参与相变转化的P4源。其一，将红磷置于低温侧，而黑磷薄膜的生长置于远端的高温侧。由此，升华而成的P4分子需经历逆温度梯度的热动力学输运到生长的衬底端，其输运速度及参与反应的量得以有效控制。此外，将多片镀有Au膜的硅衬底叠放，利用衬底之间非常狭小的间隙来限制扩散进入衬底间、在Au3SnP7缓冲层上实际参与生长的P4分子的量。通过这些策略，可以在硅衬底上生长出厚度从几纳米到几百纳米可调的黑磷薄膜。随着厚度的增加，可获得的薄膜尺寸也相应越大。当厚度约为100 nm或以上时，很容易生长出几百微米至亚毫米大小的黑磷薄膜。

在生长过程中，P4蒸气的过快输运不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。为了实现可控的黑磷薄膜生长，设计了几种方法来减少参与相变转化的P4源。其一，将红磷置于低温侧，而黑磷薄膜的生长置于远端的高温侧。由此，升华而成的P4分子需经历逆温度梯度的热动力学输运到生长的衬底端，其输运速度及参与反应的量得以有效控制。此外，将多片镀有Au膜的硅衬底叠放，利用衬底之间非常狭小的间隙来限制扩散进入衬底间、在Au3SnP7缓冲层上实际参与生长的P4分子的量。通过这些策略，可以在硅衬底上生长出厚度从几纳米到几百纳米可调的黑磷薄膜。随着厚度的增加，可获得的薄膜尺寸也相应越大。当厚度约为100 nm或以上时，很容易生长出几百微米至亚毫米大小的黑磷薄膜。

上海金畔生物供应黑磷纳米片(BPNSs)、黑磷烯纳米带(PNR)、黑磷量子点(BPQDs)、黑磷纳米颗粒BPNPs 、黑磷纳米管、黑磷薄膜、黑磷晶体、黑磷纳米条阵列等等产品

红细胞膜纳米囊泡负载黑磷量子点(BPQD-EMNVs)

碳量子点修饰黑磷量子点纳米粒子材料

万古霉素修饰黑磷量子点抗菌剂

二氧化钛/黑磷量子点复合材料

零维黑磷量子点/一维管状氮化碳复合光催化剂

黑磷量子点/凹凸棒纳米复合材料

硫铟锌/黑磷量子点

黑磷量子点/铂杂化介孔二氧化硅纳米颗粒

石墨烯/黑磷量子点/含硫离子液体复合气凝胶

PLGA掺杂黑磷量子点BPQD

黑磷量子点负载镍催化剂

石墨烯/黑磷量子点/含磷离子液体复合气凝胶

带隙可调的黑磷量子点光催化剂

黑磷量子点光敏剂

黑磷烯量子点–石墨烯纳米片三维复合材料

黑磷改性聚酰亚胺复合材料(PAA/BPQD)

磷酸化纤维素纳米纤维/黑磷量子点复合阻燃薄膜

铜离子配位黑磷量子点(CuBPQDs)

黑磷量子点–二氧化钛黑磷量子点复合材料

黑磷/黑磷量子点/铋烯–微纳光纤复合结构的全光波长转换器

纤维素/黑磷纳米片复合水凝胶

二维纳米黑磷功能化修饰改性聚乳酸纳米纤维支架

金纳米粒子修饰黑磷纳米片(BP/Au)

负载Au纳米颗粒的BP纳米片（BP/Au）的混维杂化材料

纤维素/黑磷纳米片复合水凝胶

黑磷-活化石墨烯异质结负载氮化镍颗粒

磷酸化纤维素纳米纤维/黑磷量子点

银簇纳米氧化物复合物负载二维黑磷纳米片

黑磷纳米片/硫化铜纳米粒子的纳米复合物(CuS/BPNSs)

钨酸铋纳米片修饰黑磷纳米片(Bi2WO6/BPNSs)

聚乙二醇修饰黑磷纳米片(PEG-BP)

黑磷烯纳米片

AIE光敏剂负载黑磷纳米片

黑磷纳米片载氧微针

二氧化锰纳米片负载黑磷量子点(BPQDs/MnO2)

铜离子负载黑磷BP纳米片 BP-Cu纳米材料

PEG包裹-铜离子负载黑磷纳米片BPNSs

黑磷纳米片/麦芽糖基β环糊精修饰玻碳电极

纳米二硫化钼/黑磷纳米片复合材料

大尺寸多孔二维黑磷纳米片

黑磷纳米片/硫化铜纳米粒子BP-CuS

黑磷纳米片负载二硫化钼(MoS2/BPNSs)

磁光石榴石单晶薄膜

掺Bi磁光石榴石单晶薄膜是一种新型的光信息功能材料。它具有高的Faraday旋转比Qs，适中的光吸收系数α,大的磁光优值0/α和可调节的饱和磁化强度。故可用于磁光调制器、磁光隔离器、激光陀螺,高压电流测试仪、磁光存储器、磁光波导器、图象显示、磁光偏转器、磁光泡器件等。我们用等温浸渍液相外延法，在(111)Gd,Ga,0z衬底上生长(BiTm),(FeGa)5O12及(BiPrGdYb)2(FeA1)6O12:磁光单晶薄膜,磁光优值分别达2.90及4.05deg/dB,其主要性能参数见表1。

供应产品目录：

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

铬-氧薄膜

铜铟硒硫薄膜

铬硅碲CrSiTe3薄膜

镍铬/铬硅钴薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化镉-硅基薄膜

嵌入多纳米片的碲化铬薄膜

三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜

铬锗碲CrGeTe3薄膜

锗镓碲硫卤玻璃薄膜

高性能锗锑碲相变薄膜

银/铬（Cr/Ag）薄膜

铜铟磷硫CuInP2S6薄膜

铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜

氯化铬CrCl3薄膜

碲化钴CoTe2薄膜

钴掺杂TiO2薄膜

银钒磷硒AgVP2Se6薄膜

银纳米薄膜

银铋硫薄膜

铬-银-金薄膜

石墨烯/银复合薄膜

银金纳米线PDMS复合薄膜

聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜

电沉积银铟硒薄膜

冷轧钯银合金薄膜

三硫化二镓Ga2S3薄膜

FeS2复合薄膜

三硒化二镓Ga2Se3薄膜

纳米砷化镓（GaAs）薄膜

砷化镓（GaAs）纳米结构薄膜

砷化镓（GaAs）多晶薄膜

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜

镓铟硒GaInSe薄膜

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

yyp2021.4.1

为了改善掺氟氧化锡(FTO)薄膜的光电性能，提出了一种简单的透明罩辅助激光退火策略，即用覆盖玻璃或PET片作为透明罩。采用纯激光退火进行比较。

研究发现，透明罩辅助激光退火能有效地产生密度较大的颗粒，降低表面粗糙度，增加晶粒尺寸，从而提高薄膜的透光率和导电性。

更重要的是，与覆盖玻璃辅助激光退火相比，pet辅助激光退火可以使薄膜表面覆盖更均匀、更致密的颗粒，晶粒尺寸显著增大。

因此薄膜的总透过率最高为84.32%，镜面透过率最高为75.88%，雾度略有下降为10.01%，片状电阻最低为7.36 Ω/sq。

简单的pet辅助激光退火方法有望替代传统的激光退火处理方法。

更多推存

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

银酸锂忆阻薄膜的制备分为两个主要部分，一个是通过离子注入剥离技术从单晶块材中剥离出一定厚度的片酸锂单晶薄膜,并采用BCB胶将其键合到衬底上，具体的实施分为四个主要的步骤如下图1所示,另一个是利用氩离子辐照的方式对薄膜进行处理，通过引入氧空位的方式使薄膜具有忆阻特性。因此这两个部分主要用到高能离子注入技术和低能离子辐照技术。

供应产品目录：

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

yyp2021.3.31

为了改善掺氟氧化锡(FTO)薄膜的光电性能，提出了一种简单的透明罩辅助激光退火策略，即用覆盖玻璃或PET片作为透明罩。采用纯激光退火进行比较。

研究发现，透明罩辅助激光退火能有效地产生密度较大的颗粒，降低表面粗糙度，增加晶粒尺寸，从而提高薄膜的透光率和导电性。

更重要的是，与覆盖玻璃辅助激光退火相比，pet辅助激光退火可以使薄膜表面覆盖更均匀、更致密的颗粒，晶粒尺寸显著增大。

因此薄膜的总透过率最高为84.32%，镜面透过率最高为75.88%，雾度略有下降为10.01%，片状电阻最低为7.36 Ω/sq。

简单的pet辅助激光退火方法有望替代传统的激光退火处理方法。

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上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/22

图1为单晶铜薄膜纳米压痕模拟的不同阶段的图像。其中图1(a)是压痕过程开始前的初始状态，图1(b)是压痕过程的某一中间状态，图1(c)是最大压深状态，图1(d)是压头完全卸载后的状态。从图中可以看到，在加载过程中只有与金刚石压头接触面上的几个原子层发生了明显的塑性变形，并被不断的挤出表面，堆积于压头边缘处，其它原子保持加载前的状态不变。压头达到最大压入深度后，进行卸载，压头向上抬起回到初始位置。对比可观察到，试样经过少量的回弹恢复变形后，最终在表面存留有一个明显的凹坑，这是由于压痕过程中发生了不可恢复的塑性变形。

图1

供应产品目录：

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

yyp2021.3.31