标签归档：zno

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |硅负载ZnO的光电性能研究

发表于由

由Si扩散到ZnO薄膜引起的。

基于实验结果构建了不同的Si支撑ZnO模型，研究了其光电特性，

数值研究表明，ZnO:Si、ZnO:Si-int和ZnO- vo的费米能级均移动到导带最小值，这说明它们有利于n型半导体的发展。

ZnO-Si-int的介电函数向较低的能量方向移动(红移)，其电导率在3eV ~ 7eV范围内较高，

在300 nm以上的波长范围内吸收和反射率都较高;

而ZnO:Si的光学性能较差，说明Si在ZnO薄膜中的扩散导致了Si/ZnO异质结光电性能的退化。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

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基于实验结果构建了不同的Si支撑ZnO模型，研究了其光电特性，

数值研究表明，ZnO:Si、ZnO:Si-int和ZnO- vo的费米能级均移动到导带最小值，这说明它们有利于n型半导体的发展。

ZnO-Si-int的介电函数向较低的能量方向移动(红移)，其电导率在3eV ~ 7eV范围内较高，

在300 nm以上的波长范围内吸收和反射率都较高;

而ZnO:Si的光学性能较差，说明Si在ZnO薄膜中的扩散导致了Si/ZnO异质结光电性能的退化。

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原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/25

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |ZnO极性表面的稳定性和光电性质:表面重构的影响

发表于由

利用全局优化方法和GGA+U方法，采用ab-initio计算方法研究了ZnO(0001)和ZnO(000-1)极性表面的光电性能和结构稳定性。ZnO(0001)的层间距离收缩小于ZnO(000-1)，这与锌原子的键合柔性有关。此外，吸收光谱由介电函数的实部和虚部导出，这些实部和虚部是用克雷默-克罗尼格关系的第一性原理计算出来的。在重建后，极表面的吸收峰位于紫外区，并延伸到可见区，这一点也不奇怪。ZnO(0001)表面的电子有效质量小于ZnO(000-1)表面的电子有效质量。另外，当ZnO(0001)为n型导体时，ZnO(000-1)为p型导体。

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光电材料|UDP 糖| 卟啉 |ZnO极性表面的稳定性和光电性质:表面重构的影响

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利用全局优化方法和GGA+U方法，采用ab-initio计算方法研究了ZnO(0001)和ZnO(000-1)极性表面的光电性能和结构稳定性。ZnO(0001)的层间距离收缩小于ZnO(000-1)，这与锌原子的键合柔性有关。此外，吸收光谱由介电函数的实部和虚部导出，这些实部和虚部是用克雷默-克罗尼格关系的第一性原理计算出来的。在重建后，极表面的吸收峰位于紫外区，并延伸到可见区，这一点也不奇怪。ZnO(0001)表面的电子有效质量小于ZnO(000-1)表面的电子有效质量。另外，当ZnO(0001)为n型导体时，ZnO(000-1)为p型导体。

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