铜纳米线/纳米铜线(干粉，湿粉，分散液)的产品性能

铜纳米线除具有银优良的导电性之外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料，为实现柔性、可弯折LED显示、触摸屏等提供了可能，并已有大量的研究将其应用于薄膜太阳能电池。此外由于铜纳米线的大长径比效应，使其在导电胶、导热胶等方面的应用中也具有突出的优势。

铜纳米线可以用在透明电极、光电子器件等方面，是继银纳米线后有一个选择。

铜纳米线/纳米铜线的产品性能：

上海金畔生物提供纳米铜，铜纳米线(Cu-NWs)功能化修饰定制合成。

纳米铜：纳米铜颗粒，纳米铜线

纳米铜颗粒：

石墨烯/碳纳米管（单壁，多壁）@纳米铜

聚丙烯腈@纳米铜

PAN@纳米铜 聚丙烯腈(PAN)/铜(Cu)纳米复合纤维

PVA@纳米铜 聚乙烯醇(PVA)功能化修饰纳米铜复合材料

PVDF@纳米铜 聚偏氟乙烯(PVDF)接枝纳米铜复合材料

PEO@纳米铜  聚氧化乙烯修饰纳米铜复合材料

PVD@纳米铜

PVB@纳米铜

纳米铜线：Ag-Cu纳米线，碳纳米管@铜复合材料，柔性可穿戴，传感器，3D打印，超疏水材料。

铜纳米线(Cu-NWs)功能化修饰

铜纳米线(CuNWs),Copper nhaiowires(CuNWs)

多重孪晶铜纳米线

不同长径比的铜纳米线

氢氧化镍纳米线与羟基氧化铁纳米线粉末的技术参数（含图）

（1）产品名称

中文名称: 氢氧化镍纳米线

英文名称：Nickel Hydroxide nhaiowires

性质

参数

直径：40 nm

长度：50 μm

（2）产品名称：

中文名：羟基氧化铁纳米线粉末

英文名：Iron oxyhydroxide nhaiowires

直径：~50nm

长度：~10um

上海金畔生物提供各种不同长度的纳米金线，纳米钯线，纳米铑线，纳米钌线，纳米锇线，纳米铱线，纳米铂线，纳米银线，CdS纳米线，CdSe纳米线，InAS纳米线，ZnSe纳米线，ZnTe纳米线，CdS-CdSe纳米线，CdTe纳米线，GaAs纳米线，GaSb纳米线，InP纳米线，SnO2纳米线，ZnO纳米线，ZnS纳米线，CdS纳米带，三氧化钼纳米线MoO3，单晶Sb2S3纳米线，碳化硅纳米线，SiO2纳米线，TiO2纳米线，氮化硅α-Si3N4纳米线。同时实验室提供各种纳米线的改性，化学修饰，生物修饰，纳米线功能化修饰定制技术。

Mxene纳米线

SF-1氮化硅纳米线

纳米羟基氧化铁纳米线

羟基铁氧化物纳米线的定制厂家

羟基氧化铁纳米线粉末Iron oxyhydroxide nhaiowire

Iron oxyhydroxide nhaiowires A10, Research grade

三钼酸钾纳米线Potassium Trimolybdate (K2Mo3O10) Nhaiowires

三钼酸钠铵纳米线Sodium Ammonium Trimolybdate (NaNH4Mo3O10) Nhaiowires

钨酸锰纳米线Mhaighaiese Tungstate Nhaiowires

碳酸钙微米线Calcium Carbonate Microfibers

氧化锌纳米线Zinc Oxide Nhaiowires

氧化钒纳米线Vhaiadium Oxide Nhaiowires

氧化钨纳米线Tungsten Oxide Nhaiowires

氧化钛纳米线Tithaiium Oxide Nhaiowires

硅纳米线Silica Nhaiowires A10

氧化镍纳米线Nickel Oxide Nhaiowires

氢氧化镍纳米线Nickel Hydroxide Nhaiowires

氧化钼纳米线Molybdenum Oxide Nhaiowires

氧化镁纳米线Magnesium oxide nhaiowires

氧化铝纳米线Lhaithhaium oxide nhaiowires，氧化铝纳米线分散液Aluminum Oxide Nhaiowire Dispersion

氧化铁纳米线Iron oxide nhaiowires

羟基氧化铁纳米线粉末Iron oxyhydroxide nhaiowires

锐钛矿纳米线Anatase nhaiowires

陶瓷纳米线Aluminum oxide nhaiowires A4

镍纳米线Nickel nhaiowires A200, Research grade

铁纳米线Iron nhaiowires, Research grade

铜纳米线粉末

铜纳米线分散液

金纳米线Gold nhaiowires

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硅纳米线(SiNWs)表面银纳米粒子改性原理介绍 

硅纳米线已开始在逻辑门和计数器、纳米传感器、场发射器件等领域取得了一定的应用。实验室大量制备的硅纳米线直径一般都在 20nm 左右，受小尺寸效应影响，表面原子比例随直径的减少急剧增大引起其性质的变化，由于硅纳米线表面原 子存在大量未饱和键，具有很强的表面活性，现已开始对其进行表面改性研究。当适当地对硅纳 米线表面进行其它元素修饰时，硅纳米线的物理、化学性质得到进一步的改进，能够广泛应用于 纳米器件中。本文对硅纳米线的表面改性影响其物理、化学性质的改进，以及改性的一些原理， 硅纳米线表面改性后的应用研究进行介绍。

硅纳米线表面银纳米粒子改性

Sun 等报道了采用激光烧蚀法制备硅纳米线，再用氢氟酸腐蚀表面 SiO2 层后，硅纳 米线表面被氢钝化，硅纳米线在用去离子水冲洗烘干后浸入硝酸银溶液 30s 后，通过透射电子显微镜(TEM)可以看到硅纳米线表面沉积了一层单质银(如图 2 所示)。研究表明用氢氟酸处理硅纳米线后，由于硅原子和氢原子的相互作用，纳米线表面生成了硅氢化合物。在硝酸银溶液中，Si― H 键和银离子相作用参与化学反应，并有 H2、单质银、SiO2 等产物生成。研究者认为反应过程与多孔硅和贵金属离子的反应相类似，其原理如下。

(1)银离子被硅纳米线表面的氢化物还原成单质银

Ag+ (aq) + 4Si―H(表面)→Ag(s) + H2(g)+4Si(表面) + 2H+ (aq)

(2)由于溶液中水的存在还进行了进一步的化学反应，银离子被进一步的还原并沉积在硅纳

米线外表面，同时溶液呈酸性

Ag+ (aq) + Si(表面) + 2H2O(aq) →Ag(s) + H2(g)+SiO2 + 2H+ (aq)

Sun 等[14]还对表面改性后的硅纳米线进行 X 射线吸收精细结构光谱(XAFS)测量。通过XAFS的探测能确认银究竟是存在于硅纳米线的外表面还是存在于晶核及其化合物中，这是因为总电子产额谱(TEY)收集的是电子信号，是从样品表面发出的，而荧光产额谱(FLY)收集的是声子信号， 从样品的内部发出。Si和Ag的 XAFS 研究提供了硅纳米线中Si和Ag的相互关系。

图 3 是对硅 纳米线(直径为 25nm)用 10%HF 处理表面氧化层后置于10-4mol/L 的硝酸银溶液中得到 Si 的 K 边XAFS 波谱简图，其中的插图是硅纳米线的 X 射线近边结构光谱(XANES)；从图 3(a)TEY 光谱 中可以看到未经 HF 处理的硅纳米线的硅氧峰(1848eV)很明显，并且 Si―O 峰比 Si―Si 峰弱，说明仅仅是样品表面参与了化学反应。经 HF 处理后硅氧峰(1848eV)消失，同时曲线的上升边斜率变得平缓说明氢在化学反应中起到了化学取代作用。当硅纳米线浸于硝酸银溶液中，图 3(a)中插图 XANES 谱线显示氧信号明显加强(共振线在 1853eV)，表明由于具有还原性的 Ag+ 和硅纳米线的表面作用使其表面再次氧化,并且被Ag+ 再次氧化的硅纳米线的氧化层比未经HF处理的硅纳米线要薄；从图 3(b)FLY 光谱中可以看到在整个过程中硅纳米线的内核一直保持单晶硅结构，其内部结构并未受化学反应的影响，这说明 Ag+ 仅仅是和硅纳米线的表面作用。

图 4 是通过对产品Ag 的 L3,2 边 TEY 进行进一步分析，Ag 的 L3,2 边 XANES 光谱是从内核的 2P3/2、2Py2的电子向高于费米能级的未占据的 d 和 s 轨道跃迁，从图中可以看到硅纳米线表面银是面心立方晶体，这就充分说明了硅纳米线的表面沉积的是单质金属银，而硅纳米线的内部结构并未受溶液中的 Ag+ 影响。

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硅纳米线表面有机物改性

Cui 等[19]在硼掺杂的硅纳米线外表面用三氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)改性，此界面可进行 质子化和反质子化，也可以改变界面的电荷分布状况，改性后的硅纳米线被集成为场发射效应管用于检测 pH 的纳米传感器。图5为 APTES 改性的硅纳米线检测 pH 的原理图。在两极加上直流电压，通过传感器电导率的变化来表征 PH，研究发现传感器的电导率随 PH 的变化呈线性变化，对没有进行表面改性的硅纳米线传感器研究表明，其电导率和 pH 变化不符合线性规律。作者认为在酸性较强的环境中 NH2 基团得到一个质子，消耗 p 型掺杂硅纳米线中的空穴载流子使得电导率降低，而在酸性较弱的环境中Si(OH)基团失去一个质子，从而载流子增多导致电导率增强。

图 5 表面改性的硅纳米线应用于 pH 检测的纳米传感器

放大图像为 APTES 改性硅纳米线表面电荷状态

硅纳米线表面生物改性

纳米线可用于免标记、实时检测生物分子以及检测 DNA 及其它大分子生物基团并可进行电子编址,免标记的传感器的发展为基础生物学及医学中的基因筛选、生物恐怖预防应用的研究提供了可能。Hahm 等[20]采用纳米金为催化剂由化学气相沉积方法制备了硼掺杂硅纳米线，并在其表面装配肽核酸(PNA)进行表面改性，用中介抗生物素蛋白质层将 PNA 受体与硅纳米线连接在一起，肽核酸受体改性后硅纳米线的表面可以识别囊性纤维化跨膜受体基因野生型ΔF508 基因突变位点；浓度测试研究表明此种改性的硅纳米线做成传感器可以进行无标记、实时、有效及选择性检测浓度低于 1×10-11mol/L 的 DNA，为进行遗传筛查及生物威胁的 DNA 检测提供了一条可行的方法。

Li 等[21]在硅基绝缘体晶片上通过离子注入方法掺杂硼和磷，然后再用电子束刻蚀方法制备硅纳米线，HF除去表面硅氧层、样品水离子化处理后，通过气相方法在硅纳米线表面形成一个具有亲水性的自组装单分子自由硫醇表面层，将该样品在氩气氛围的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)气体中放置 4h，清洗烘干后，再将该硅纳米线样品浸泡在 5μmol/L 的寡核苷酸溶液中12h，通过丙烯酸亚磷酰胺基团的 5’位置的作用对硅纳米线进行表面改性。这样就形成了固定的、具有探测 DNA 作用的 ss-DNA 探针，可以应用于探测 DNA 的传感器器件中。这种锚定寡核苷酸在硅纳米线表面为探测 DNA 提供了更稳定的非特定杂化。图 6 为硅纳米线寡核苷酸表面改性的全过程，从插图中可以看到硅纳米线表面包覆了一层三甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷，表面光电信号(SPV)发生了明显变化，经寡核苷酸表面改性的硅纳米线的 SPV 信号急剧减小(约减少了 31.5mV)。研究发现若将这种改性后的硅纳米线应用于检测 DNA 传感器中，当 DNA浓度发生变化时，能通过硅纳米线电导率的变化对 DNA 进行实时检测。研究者认为当所要检测的 DNA 吸附在硅纳米线表面时，由于 DNA 自身带有的负电荷引起了纳米线表面负电荷增加，从而增加(减少)了 p 型(n 型)硅纳米线载流子浓度，导致了硅纳米线电导率的变化。

图 6 探测 DNA 而进行硅纳米线表面改性的全过程

(1) 硅纳米线在氩气氛围的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)气体中反应 4 小时；(2)5μmol/L 的寡核苷酸溶液中，通过丙烯酸亚磷酰胺基团的 5’位置的作用对进行硅纳米线的表面改性；(3)探测 DNA 的过程，未标记补足 DNA 靶(GGA TTA TTGTTA)和固定在硅纳米线表面的 DNA 探针发生杂化；插图为硅纳米线表面改性过程中不同阶段 SPV 信号对比

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