薄膜制备溅射法

溅射现象源于阴极表面的气体辉光放电。溅射料呈板材作为阴极，基片置于阳极附近，高真空状态下放入工作气体（一般为氩气)，在处于1-0.1Pa的低.工作气压中，在两极上施加0.1-10kV的电压，使工作气体原子电离成等离子体，从而产生具有高离子浓度的辉光放电区,等离子体中的正离子在电场作用下轰击阴极的靶材,与靶表面原子和原子团交换能量，使之飞溅出来，沉积到基片表面形成薄膜，故称此镀膜方法为溅射法。下图为溅射原理图。

溅射几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜,所得膜层致密、纯度高、与基片附着牢固。溅射方法种类繁较多，有直流磁控溅射法、射频溅射法、离子束溅射法等。在比较低的气压下，从离子源区处的瓴离子以一定角度对靶材进行轰击，由于轰击粒子的能P大约为 1KeV,对靶材的穿透深度可忽略不计，级联碰撞只发生在靶材儿个原子厚度的表面层中，大量的原乎逃离靶材表面，成为溅射离子，其具有的能量大约为10eV的数量级。由于真空室内具有比较少的背景气体分子，溅射离子的自由程很大，这些粒子以直线轨迹到达基板并沉积在上面形成薄膜。由于大多数溅射粒子具有的能量只能渗入并使薄膜致密，而没有足够的能量使其它粒子移位，造成薄膜的破坏，同时由于低的背景气压，薄膜的污染也很低:而且，冷的基板也阻止了由热激发导致品粒的生长在薄膜内的扩散。因此，在基板上可以获得致密的无定形膜层。在成膜过程中，特别是那些能量高丁10eV的溅射粒子，能够渗入儿个原子址级的膜层从而提高了薄膜的附着力，并且再高低折射率层之间形成了很小梯度的过渡层。有的轰击粒子从靶材获得了电子而成为中性粒子或多或少的被弹性反射，然后，他们以几百电子伏的能量撞击薄膜，高能中性粒子的微量喷射可以进一-步使薄膜致密也增强了薄膜的内应力。

溅射法的主要优点是.工艺比较成熟，能够以较低的成本制备实用的大面积薄膜,沉积温度较低，可以在氧气气氛中使用金属或者合金靶材通过反应溅射获得所需要的薄膜。但这种方法的缺点是沉积膜速率较慢，在溅射过程中各组分的挥发性差别很大，膜的成分和靶材的成分有较大偏差，结构的均匀性比较难以控制。

供应产品目录：

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三维多孔碳膜

二维氮化硼纳米薄膜

高性能钠离子薄膜

多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化锰复合薄膜

各向异性导电高分子复合薄膜

碳氮化物薄膜

微纳结构薄膜

三维阶层多孔金膜

大内径碳纳米管阵列薄膜

金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜

纳米反应器阵列薄膜

铁氧体/石墨烯基纳米复合薄膜

三维网络结构铁氧体/碳材料纳米复合薄膜

具有大孔-中孔多级孔结构的自支撑碳纳米管薄膜

非晶碳基纳米多层薄膜

离子液体/织构化类金刚石碳复合润滑薄膜

碳纳米纤维薄膜

硫化钴镍纳米棒-静电纺丝碳纳米纤维复合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三维多孔碳纳米管/石墨烯导电网络的柔性薄膜

三维镍纳米线薄膜

超顺排碳纳米管薄膜

金属掺杂DLC(Me-DLC)纳米复合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2复合薄膜

碳基架负载二氧化锰纳米片的复合薄膜

超润滑非晶碳膜

网状结构碳纳米管薄膜

二维碳基薄膜

石墨烯基纳米薄膜复合材料

超级电容器柔性可弯曲薄膜

三维石墨烯/多壁碳纳米管/纳米金铂复合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2纳米复合薄膜

碳包覆磷酸铁锂薄膜

WC/类金刚石(DLC)/WS2纳米复合薄膜

yyp2021.3.29

薄膜的制备方法：

薄膜是指附着在某一基体材料上起某种特殊作用,且与基体材料具有一定结合强度的薄层材料。各种块体材料都能以薄膜形态存在，大多数磁性存储器件都和磁性薄膜有关。特别是近些年来，大规模的信息和多媒体时代，各种电子信息的交换与存储要求器件存储密度更高，速度更快，消耗功率更低，尺寸更小。薄膜的发展呈现出集成化、微型化的趋势。

薄膜制备技术的一系列突破使得制备各种人工.调制结构成为可能,发展了多种制备薄膜的方法，可以制备薄膜材料的品种也越来越多。目前采用的主要方法有:磁控溅射法、离子束溅射法、脉冲激光沉积（PLD）和金属有机物化学气相沉积法(CVD)、溶胶凝胶法(Sol-Gel)、金属有机物分解法（MOD)以及分子束外延（MBE）等方法。上述制备方法中，每一种方法都有其各自的特点。

分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)

分子束外延的原理：

分子束外延技术(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)是由美国 Bell实验室的卓以和博士于1970年提出来的一种薄膜生长方法，它是一种可以从原子尺寸精确控制外延层厚度、组分、界面粗糙度等参数的超薄膜制备技术，可以用于制备半导体、金属和绝缘体的单层和多层薄膜。具体来说，分子束外延技术是指在清洁的超高真空环境下，使具有一定热能的分子(或原子)的束流喷射到被加热的衬底上，在衬底表面进行反应生成单晶薄膜的过程，如图2.1所示。分子束外延自70年代至今已有30多年的历史，由于这种技术是在超高真空中生长薄膜，薄膜的厚度和组分能够精确控制，生长环境清洁，可以生长出自然界没有的新型超晶格材料，受到人们广泛的重视。在10°Pa超高真空(用离子泵、冷凝泵和升华泵)下以0.1~1nm/s 的慢沉积速率蒸发镀膜称为分子束外延。在超高真空中，分子束中的分子之间以及分子束的分子与背景分子之间儿乎不发生碰撞。最初该技术用于生长GaAs，AlGaAs 等III-V族化合物半导体，以后逐步推广，遍及I-V族，Ⅳ族等半导体薄膜，金属薄膜，超导薄膜，以及介质薄膜等，成为一种生长各种新型薄膜的技术lS7)。分子束外延的特点是参与反应的分子束“温度”和衬底温度是相对独立的，可以分别加以控制。超高真空是为了保证外延薄膜的质址，减少晶体污染和缺陷，它是指残余气体的总压力P=1.33×107Pa。

供应产品目录：

二硫化钒VS2薄膜

氮化碳(CNx)薄膜

高氮含量氮化碳（C3N4）薄膜

射频磁控溅射沉积氮化碳(CNx)薄膜

氮化碳(CNx/TiN)复合薄膜

磷掺杂的石墨相氮化碳(CNx)薄膜

硒化锗GeSe薄膜

二元化合物硒化亚锗(GeSe)薄膜

高质量纯相GeSe多晶薄膜

Ge-In-Se硫系薄膜 锗-铟-硒薄膜

新型硒化锗GeSe无机薄膜

硫化锗GeS薄膜

硫化锗-硫化稼-硫化镉非晶薄膜

Li3PO4/GeS2复合固体电解质薄膜

锗复合磷酸锂固体电解质薄膜

硫化锗玻璃薄膜

硒化镓GaSe薄膜

硫化镓GaS薄膜

碘化铬CrI3薄膜

交叉状碘化氧铋纳米片薄膜

p型碘化亚铜CuI薄膜

CH3NH3PbI3多晶薄膜

玻璃纤维布负载碘氧化铋光催化薄膜

半導體碘化鉛薄膜

鈣鈦礦薄膜

二硫化钛TiS2薄膜

二维纳米二硫化钛TiS2薄膜

二硒化钛TiSe2薄膜

CulnSe2薄膜

CuMSe2(M=In,Ga,Ti)薄膜

Cu(In,Ga)Se2薄膜

二硒銅銦(鋁)薄膜

铟锗碲In2Ge2Te6薄膜

锗锑碲非晶薄膜

基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜

二硫化铼（ReS2）薄膜

大面积二维的二硫化铼（ReS2）薄膜

二硫化铼（ReS2）纳米片阵列薄膜

二硒化铼ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二维SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亚锡(SnSe)薄膜

铜锌锡硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag掺杂SnSe半导体薄膜

二硒化钯PdSe2薄膜

二硒化钯二维晶态薄膜

二碲化钯 PdTe2薄膜

内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜

钯/铂纳米薄膜

钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜

单质钯薄膜/钯复合多层薄膜

钯纳米薄膜

负载钯多层复合薄膜

三碲化锆 ZrTe2薄膜

锆掺杂二氧化铪基纳米薄膜

高质量Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二维MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化锆ZrO2薄膜

二硒化钽TaSe2薄膜

二硫化钽TaS2薄膜

钽掺杂二氧化钛TiO2薄膜

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜

纳米结构316L不锈钢基掺钽TiO_2薄膜

三硫化二铟（In2S3）薄膜

多孔三硫化二铟（In2S3）薄膜

硫化二铟(In2S3)缓冲层纳米晶薄膜

具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜

碱式硝酸铜薄膜

均匀致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)复合薄膜

多孔TiO2薄膜

铜铟镓硒薄膜(CIGS)

碲化亚铁FeTe薄膜

铋碲硒Bi2Te2S薄膜

铋锑碲基热电薄膜

N型碲化铋基热电薄膜

钼钨硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

钼钨碲MoWTe2薄膜

钼硫硒MoSSe薄膜

提高柔性铜铟镓硫硒薄膜

MoO3薄膜

铋氧硒Bi2O2Se薄膜

高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜

硒化铋纳米结构薄膜

c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜

用硫酸铋制备硒化铋热电薄膜

高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜

氧化铋BiOx薄膜

铋铜硒氧基类单晶薄膜

铋氧碲Bi2O2Te薄膜

铋碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜

Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜

铁锗碲Fe3GeTe2薄膜

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亚铁钒薄膜

室温铁磁硅锗锰半导体薄膜

BaxSr1—xTiO3铁电薄膜

含铁二氧化钛Fe^3+/TiO2复合纳米薄膜

P(VDF-TrFE)铁电薄膜

矽锗磊晶薄膜

锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜

纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜

含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜

室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜

黑磷薄膜

铁磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金属硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化镍NiI2薄膜

溴化镍NiBr2薄膜

碘化锰MnI2薄膜

铜钒磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化钒智能温控薄膜

铜锑硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化铟薄膜

钒氧化物薄膜

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

yyp2021.3.29

为了磁性元件能够实现高频化与微型化，基于磁性薄膜的磁性元件在近几十年内被广泛研究。具体地，薄膜化的磁性元件相比基于块材磁芯的磁性元件至少具有以下三点优势。第一，薄膜化的磁性元件使得磁性元件实现了器件小型化、平面化，并且其制造可以通过镀膜、光刻等目前电子工业通用的工艺实现，十分有利于与其他电子元件一起集成;第二，如果磁性薄膜的膜厚小于电磁波趋肤深度，则可以大大抑制涡流损耗，进而在磁性材料的选择上，对电阻率的要求更低，相比于块材磁芯可以具有更广的材料选择范围l5';第三，相关理论表明，对于相同的磁性材料，在磁导率一定的情况下，薄膜形态相比于块材形态可以具有更高的铁磁共振频率,进而可以工作于更高的频率。以上这些优势决定了薄膜化的磁性元件是未来磁性元件发展的重要方向之一。

对于上述薄膜化的磁性元件的研究主要集中在两个层面:第一是基于磁性薄膜的平面化器件设计，第二是研发具有优良高频性能的磁性薄膜。

对于器件设计，以薄膜电感为例，早在1984年日本大阪大学的Kawabe等人就开发出了典型的三种形态的薄膜电感,即环绕型(Hoop type)、螺旋型(Spiraltype）和折线形(Mehaider type)，其制作流程及典型参数如图1所示。之后，螺旋线圈型的薄膜电感占据了主导地位，主要包括了圆形螺旋型、矩形螺旋型、六（八）边螺旋型、双矩螺旋型等一系列的结构。

供应产品目录：

二硒化钯二维晶态薄膜

二碲化钯 PdTe2薄膜

内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜

钯/铂纳米薄膜

钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜

单质钯薄膜/钯复合多层薄膜

钯纳米薄膜

负载钯多层复合薄膜

三碲化锆 ZrTe2薄膜

锆掺杂二氧化铪基纳米薄膜

高质量Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二维MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化锆ZrO2薄膜

二硒化钽TaSe2薄膜

二硫化钽TaS2薄膜

钽掺杂二氧化钛TiO2薄膜

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜

纳米结构316L不锈钢基掺钽TiO_2薄膜

三硫化二铟（In2S3）薄膜

多孔三硫化二铟（In2S3）薄膜

硫化二铟(In2S3)缓冲层纳米晶薄膜

具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜

碱式硝酸铜薄膜

均匀致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)复合薄膜

多孔TiO2薄膜

铜铟镓硒薄膜(CIGS)

碲化亚铁FeTe薄膜

铋碲硒Bi2Te2S薄膜

铋锑碲基热电薄膜

N型碲化铋基热电薄膜

钼钨硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

钼钨碲MoWTe2薄膜

钼硫硒MoSSe薄膜

提高柔性铜铟镓硫硒薄膜

MoO3薄膜

铋氧硒Bi2O2Se薄膜

高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜

硒化铋纳米结构薄膜

c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜

用硫酸铋制备硒化铋热电薄膜

高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜

氧化铋BiOx薄膜

铋铜硒氧基类单晶薄膜

铋氧碲Bi2O2Te薄膜

铋碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜

Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜

铁锗碲Fe3GeTe2薄膜

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亚铁钒薄膜

室温铁磁硅锗锰半导体薄膜

BaxSr1—xTiO3铁电薄膜

含铁二氧化钛Fe^3+/TiO2复合纳米薄膜

P(VDF-TrFE)铁电薄膜

矽锗磊晶薄膜

锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜

纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜

含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜

室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜

黑磷薄膜

铁磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金属硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化镍NiI2薄膜

溴化镍NiBr2薄膜

碘化锰MnI2薄膜

铜钒磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化钒智能温控薄膜

铜锑硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化铟薄膜

钒氧化物薄膜

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

铬-氧薄膜

铜铟硒硫薄膜

铬硅碲CrSiTe3薄膜

镍铬/铬硅钴薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化镉-硅基薄膜

嵌入多纳米片的碲化铬薄膜

三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜

铬锗碲CrGeTe3薄膜

锗镓碲硫卤玻璃薄膜

高性能锗锑碲相变薄膜

银/铬（Cr/Ag）薄膜

铜铟磷硫CuInP2S6薄膜

铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜

氯化铬CrCl3薄膜

碲化钴CoTe2薄膜

钴掺杂TiO2薄膜

银钒磷硒AgVP2Se6薄膜

银纳米薄膜

银铋硫薄膜

铬-银-金薄膜

石墨烯/银复合薄膜

银金纳米线PDMS复合薄膜

聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜

电沉积银铟硒薄膜

冷轧钯银合金薄膜

三硫化二镓Ga2S3薄膜

FeS2复合薄膜

三硒化二镓Ga2Se3薄膜

纳米砷化镓（GaAs）薄膜

砷化镓（GaAs）纳米结构薄膜

砷化镓（GaAs）多晶薄膜

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜

镓铟硒GaInSe薄膜

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

yyp2021.3.25

通过实践经验和理论分析:影响VMCPP薄膜铝层附着牢度的MCP薄膜生产工艺主要有:三层原料树脂选择、电晕处理效果和熟化条件。

三层原料树脂选择

三层原料树脂选用不同,对铝层的附着牢度有明显影响。对于MCP薄膜的原料树脂选用应满足低分子量物质含量少、与铝层结合好原则。低分子量物质的含量不仅仅考虑镀铝层的树脂,芯层和封合层的树脂中含有的低分子量物质也易到达镀铝层影响镀铝后铝层附着牢度。在MCP薄膜卷取时,封合层面与镀铝层面是叠在一起,封合层的低分子量物质析出后就会粘结到镀铝层面上。在镀铝层经电晕处理后,容易让芯层的低分子物质通过来到镀铝层面。当镀铝层面吸附了这些低分子量物质后,高真空蒸镀铝时铝蒸汽就很难与薄膜直接产生物理吸附。更难产生化学吸附。而只能附着在薄膜表面的低分子物质层上,这就大大减弱了铝层与薄膜间的附着牢度叫。不同的镀铝层和封合层PP原料树脂配方,在同样的流延加工和镀铝工艺条件下生产的VMPP薄膜铝层附着力见表1。

供应产品目录：

硫化铋铜(Cu3BiS3)

钛铝碳 Ti2AlC2薄膜

类金刚石碳(DLC)薄膜

三维纳米碳薄膜

含氫非晶質碳薄膜

含氫類鑽碳薄膜

基于碳纳米材料的柔性透明导电薄膜

多晶型碳化矽薄膜

钼铝碳 Mo3AlC3薄膜

铌铝碳 Nb2AlC3薄膜

钛铝(铌)氮/碳化物(TiAl(Nb)N/C)薄膜

铌基超薄薄膜

离子束增强沉积铌(钛)薄膜

非晶铌金属氧化物薄膜

钒铝碳 V2AlC3薄膜

超薄二氧化钒薄膜

晶圆级二氧化钒薄膜

高性能二氧化钒薄膜

三氧化二钒纳米线薄膜

二氧化钒热致变色薄膜

碳化钒薄膜

钒配合物(VO2(3-FL))和碳纳米管复合薄膜

铬铝碳 Cr2AlC薄膜

沉积态贫铀(DU)薄膜

铝表面抗腐蚀多层有机复合薄膜

铝铟镓氮四元合金薄膜

压铸铝合金表面耐蚀性银基非晶薄膜

易降解的镀铝薄膜

顶层金属薄膜

BOPP/VMCPP型镀铝复合薄膜

铝合金表面(TixAly)N薄膜

铬掺杂碳基薄膜

流延聚丙烯蒸镀金属薄膜（MCP）

二氧化硅薄膜

氧化铝薄膜

以多孔碳为骨架的纳米铝热薄膜

氧化铟锡钽薄膜

钽基介质薄膜

铝合金表面耐蚀润滑一体化薄膜

非晶硅薄膜

多晶硅薄膜

含钽薄膜

抗氧化铀钽薄膜

掺钽铀薄膜

氮化铪薄膜

氧化铌(钽)薄膜

钽硅介质薄膜

钽铝合金薄膜

铌铝碳 Nb4AlC3薄膜

XRF聚酯薄膜

钒铝碳 V4AlC3薄膜

钼钨硫MoWS2薄膜

二硫化钼和硫化钼钨合金薄膜

含钼或钨薄膜

类石墨烯二硫化钨薄膜

二硫化钼MoS2薄膜

层状二硫化钼纳米薄膜

稀土掺杂MoS2薄膜

MoS2/C复合薄膜

Au NPs薄膜

MoS2/a-C复合薄膜

磁控溅射MoS2+Sb2O3防冷焊薄膜

单层/少层/多层二硫化钼纳米复合薄膜

C/N共掺MoS2复合薄膜

层状二硫化钼/石墨烯(MoS2/Graphene)薄膜

非平衡磁控溅射离子镀MoS2-Ti复合薄膜

自润滑薄膜二硫化钼(MoS2)和硬质耐磨薄膜氮化钛(TiN)

无机硫化物二硫化钼(MoS2)固体润滑薄膜

高质量的二硫化钼MoS2纳米多层薄膜

二硒化钼MoSe2薄膜

二维二硒化钼（MoSe2）薄膜

稀土掺杂MoSe2薄膜

铜铟镓硒薄膜

单层/少层/多层硒化钼(MoSe2)薄膜

铜锌锡硫硒薄膜

yyp2021.3.22

产品名称：硅量子点掺杂二氧化钛薄膜复合材料

简称：TiO2/SiQDs

纯度：98%

包装：mg级和g级

货期： 一周

地址：上海

厂家：上海金畔生物科技有限公司

硅量子点掺杂二氧化钛薄膜复合材料(TiO2/SiQDs)的制备方法。该方法过程步骤包括:

制备一、将基片和靶材清洗，置入溅射室内，在真空和氩气的保护条件下，预溅射清洗；

步骤二、以一定的引出电流、电压的氩离子束对二氧化钛进行溅射，在基片上沉积二氧化钛薄膜，

步骤三、经退火后，得到纳米二氧化钛薄膜；再以一定的能量、注入剂量进行三次硅离子的注入，得到硅掺杂的二氧化钛薄膜，经退火后，得到硅量子点掺杂的纳米二氧化钛薄膜。

图1为实例1制备的硅量子点掺杂的纳米二氧化钛薄膜复合材料透射形貌照片。

本制备方法的优点在于，方法简单条件温和，过程中能通过调节离子注入工艺来自由调节硅量子点的含量、尺寸、形态及分布，并且克服了量子点时易团聚的缺点，从而调节了掺杂的二氧化钛薄膜的光吸收特性。

上海金畔生物科技有限公司可以对各种材质的荧光量子点进行修饰和改性以及偶联和特殊定制，我们可以做各种聚合物修饰，多糖修饰，蛋白修饰以及复合类产品的量子点复杂定制。

烯丙胺修饰硅量子点(Si QDs)

氨基功能化硅量子点(Si QDs)

水溶性绿色荧光硅量子点

蓝绿荧光的水溶性硅量子点

硼掺杂氮化硅基硅量子点

磷掺杂硅量子点(Si QDs)

硼掺杂硅量子点(Si QDs)

碳包覆硅量子点(Si QDs)

硅量子点-金复合纳米粒子复合材料

硅量子点掺杂二氧化钛纳米复合材料（TiO2/SiQDs）

本发明专利技术公开一种导电形状记忆薄膜、制备方法及其电驱动方法，具体包括：

步骤S1：使热塑性形状记忆聚合物完全溶解于氯仿溶剂得到静电纺丝溶液；

步骤S2：将静电纺丝溶液进行静电纺丝，静电纺丝得到的形状记忆聚合物纤维堆积形成形状记忆聚合物纤维薄膜；

步骤S3：将三氯化铁粉末与溶剂混合，得到三氯化铁溶液；

步骤S4：形状记忆聚合物纤维薄膜浸泡于三氯化铁溶液中，一段时间后取出室温下烘干；

步骤S5：将烘干的形状记忆聚合物纤维薄膜悬挂在滴加导电聚合物单体试剂的容器中，一段时间后得到导电形状记忆薄膜。与现有技术比较，本方案实现导电聚合物与形状记忆聚合物在微观层面的稳定结合，制备成本低、制备方法简单。

上海金畔生物供应各种二维薄膜产品，产品目录如下：

SrTiO3+YBCO超导薄膜，10*10*0.5mm

PLGA多孔静电纺丝纤维膜载药定制

三维多孔纳米PLA纤维膜-载阿霉素

PLA载药纳米纤维膜-载紫杉醇

静电纺载药PCL纳米纤维膜-载药定制

载有布比卡因的PCL纳米纤维

三维多孔纳米PCL纤维膜-载阿霉素

PCL载药纳米纤维膜-载紫杉醇

静电纺载药PLGA纳米纤维膜-载药定制

PLGA载药纳米纤维膜定制

载有布比卡因的PLGA纳米纤维

三维多孔纳米PLGA纤维膜-载阿霉素

PLGA载药纳米纤维膜-载紫杉醇

PCL纤维膜载药定制

PLA纤维膜载药定制

PLGA纤维膜载药定制

红色荧光PCL纤维膜

绿色荧光PCL纤维膜

红色荧光PLGA纤维膜

绿色荧光PLGA纤维膜

红色荧光PLA聚乳酸纤维膜

绿色荧光PLA聚乳酸纤维膜

PS聚苯乙烯纤维膜

PSF聚砜纤维膜

PAN聚丙烯腈纤维膜

PVDF聚偏氟乙烯纤维膜

PEO聚氧化乙烯纤维膜

Gel明胶纤维膜

PVP聚乙烯吡咯烷酮纤维膜

PVA聚乙烯醇纤维膜

PLGA聚乙酸-羟基乙酸共聚物纤维膜

PCL聚乙内脂纤维膜

PLA聚乳酸纤维膜

SrMoO4薄膜 光致发光薄膜

ZnO+Pt+Ti薄膜

SiO2/Pt薄膜

ZnO+钠钙玻璃薄膜

ZnO+SiO2薄膜

ITO+ZnO薄膜

二氧化钛TiO2薄膜

GaAs InGaP薄膜

SrRuO3薄膜

InP上镀InAlAs薄膜

掺杂ZnO薄膜

InP上镀InAlAs薄膜