海尔-40℃低温保存箱 DW-40W255

【简单介绍】

海尔-40℃低温保存箱 DW-40W255 上海金畔生物 021-50837765

【详细说明】

温度可调
箱内温度-25~-40℃可调

  • 人性化设计
    箱体带测试孔,方便测试箱内温度

  • 温度显示及报警系统
    微电脑控制,具备温度显示功能和报警系统

    产品型号 DW-40W255
    产品种类 低温保存箱
    产品形式 卧式
    气候类型 N
    冷却方式 直冷
    除霜方式 手动
    制冷剂 无氟制冷剂
    节能环保
       
    噪音
       
    耗电量
       
    功率(W) 410
    电源参数
       
    电源(V/Hz) 220/50
    规格
       
    箱内温度范围(℃) -20~-40
    外形尺寸(宽*深*高)(mm) 1243*633*838
    内部尺寸(宽*深*高)(mm) 1040*430*605
    有效容积(L) 255
    重量(Kg) 69
    温控方式 电子温控
    温度显示 LCD数字式
    材料
       
    产品配件
       
    脚轮
    止动底角
    检测孔
    外门锁扣 有,不能配挂锁
    锁扣个数 1
    功能参数
       
    报警系统
    断电报警
    传感器故障报警
    开机延迟保护
    显示屏密码保护
    其它
       
    医疗器械注册证
    认证 CCC

掺钨的二氧化矾粉末1%W-VO2 是一种热致变色材料

二氧化钒是一种热致变色材料,纯的二氧化钒相变温度为68℃,这一数据已得到各国研究人员的证实,而且VO2的相变温度是可以通过掺杂来改变的,比如,通过掺杂钨可以实现把相变温度降低至室温。

二氧化钒(VO2)热致相变材料在由低温半导体态向高温金属态相变过程中伴有明显的电学和光学性能的变化,由于变化具有可逆性,在卫星表面防护方面具有积极的作用。VO2的相变温度在68℃附近,这一温度距室温较近,如果用一定数量的金属钨(W)来替位钒(V),可以降低转变温度,使它的相变温度降到室温附近,实现对相变温度的有效控制。利用二氧化钒的相变特性可以用于光学系统的防护。当二氧化钒的温度逐渐升高,从低于相变温度升到高于相变温度的过程中,二氧化钒也从低温半导体态变为高温金属态,电阻降低2个数量级以上。

主要应用:自动调节温度的智能窗;激光防护薄膜;红外探测仪;光学数据存储材料等。

掺钨的二氧化矾粉末1%W-VO2 是一种热致变色材料

产地 :上海

纯度:99%

用途:仅用于科研

常用合成磷脂的相变温度介绍(脂质体制备必备)

上海金畔生物列出十几种常用合成磷脂的相变温度,方便制备脂质体的小伙伴参考:

DPPC 16:0 PC (DPPC) 分子量:733.562  相变温度:41°C  CAS号:63-89-8

DMPC 14:0 PC (DMPC)  分子量:677.500  相变温度:24°C  CAS号:18194-24-6

DSPC 18:0 PC (DSPC)  分子量:789.625  相变温度:55°C  CAS号:816-94-4

POPE 16:0-18:1 PE 分子量:717.531  相变温度:25°C(Tm), 71°C(Th)

DOPE 18:1 (Δ9-Cis) PE (DOPE) 分子量:743.547  相变温度:-16°C(Tm), 10°C(Th)  CAS号:4004-05-1

DLPE 12:0 PE 分子量:579.390  相变温度:29°C  CAS号:42436-56-6

DPPE 16:0 PE 分子量:691.515  相变温度:63°C(Tm), 118°C(Th)  CAS号:923-61-5

DSPE 18:0 PE  分子量:747.578  相变温度:74°C(Tm), 100°C(Th)  CAS号:1069-79-0

DMPE 14:0 PE  分子量:635.453  相变温度:50°C  CAS号:998-07-2

DOPG 18:1 (Δ9-Cis) PG  分子量:796.523  相变温度:-18°C

DSPG 18:0 PG 分子量:800.554  相变温度:55°C CAS号:124011-52-5

DPPG 16:0 PG  分子量:744.492  相变温度:41°C CAS号:200880-41-7

DMPG 14:0 PG  分子量:688.429  相变温度:23°C

DLPG 12:0 PG  分子量:632.367  相变温度:-3°C

POPG 16:0-18:1 PG  分子量:770.507  相变温度:-2°C

DPPS 16:0 PS  分子量:757.487  相变温度:54°C  CAS号:145849-32-7

光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响

Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)薄膜是通过非真空旋涂工艺,然后在450 °C至575 °C的温度下硒化,在钼涂层的柔性不锈钢衬底上制备的。


研究了硒化温度和铁离子浓度对CIGS太阳能电池光电性能的影响。所有的x射线衍射(XRD)谱图与CIGS相相匹配。随着硒化温度的升高,未掺杂CIGS薄膜的衍射峰强度增大。


但随着硒化温度的升高,铁离子掺杂CIGS薄膜的XRD峰强度降低,这是由于铁离子掺杂后CIGS薄膜的热稳定性下降所致。随着硒化温度的升高,CIGS薄膜中颗粒尺寸增大,薄膜表面呈扁平状致密化。


在450 °C条件下制备的CIGS太阳能电池的Voc、Jsc和填充系数分别为0.401 V、21.84 mA/cm2和41.12%。这些参数随着硒化温度的升高而增强,这是由于CIGS结晶度的提高和微观结构的致密化。


但铁离子掺杂会在高温下扩散到吸收层中,导致光电性能恶化。研究表明,铁离子掺杂对CIGS太阳能电池的光电性能和微结构产生了不利影响。

光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响

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上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

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Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)薄膜是通过非真空旋涂工艺,然后在450 °C至575 °C的温度下硒化,在钼涂层的柔性不锈钢衬底上制备的。


研究了硒化温度和铁离子浓度对CIGS太阳能电池光电性能的影响。所有的x射线衍射(XRD)谱图与CIGS相相匹配。随着硒化温度的升高,未掺杂CIGS薄膜的衍射峰强度增大。


但随着硒化温度的升高,铁离子掺杂CIGS薄膜的XRD峰强度降低,这是由于铁离子掺杂后CIGS薄膜的热稳定性下降所致。随着硒化温度的升高,CIGS薄膜中颗粒尺寸增大,薄膜表面呈扁平状致密化。


在450 °C条件下制备的CIGS太阳能电池的Voc、Jsc和填充系数分别为0.401 V、21.84 mA/cm2和41.12%。这些参数随着硒化温度的升高而增强,这是由于CIGS结晶度的提高和微观结构的致密化。


但铁离子掺杂会在高温下扩散到吸收层中,导致光电性能恶化。研究表明,铁离子掺杂对CIGS太阳能电池的光电性能和微结构产生了不利影响。

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