标签归档：薄膜

光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

发表于由

采用低温溶剂热法制备了平均粒径为4.4 nm的ZnO量子点。


以ZnO QD溶液为原料，采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜，并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。


光致发光分析表明，包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。


薄膜的光电性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影响较大。随着温度升高到450℃，光暗电流比(PDCR)从3723降低到371%，而响应率从1.25增加到218 mA/W。


as涂层和250°c退火的薄膜由于其更大的表面与体积比，在PDCR、上升时间和下降时间方面具有更好的光响应，使其成为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。

光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/14

酞菁|氯化锰（III）酞菁/FTO薄膜的表面形貌、线性和非线性光学性质

发表于由

对激光防护材料的科学综述主要集中在提高激光防护材料的线性透过率和提高激光防护材料的光限幅能力方面。

由于其独特的大π电子共轭结构，酞菁已成为一种成功的光限幅材料。

利用传统的热沉积技术在FTO衬底上制备了酞菁氯化锰（MnPcCl）薄膜。

x射线衍射表明，MnPcCl薄膜具有非晶态结构。AFM表面形貌表明，MnPcCl膜是均匀的，由球形和椭圆形的纳米粒子形成。

通过紫外-可见-红外光谱研究了MnPcCl薄膜线性和非线性光学特性的厚度依赖性。

吸收系数检测表明，薄膜具有一个间接跃迁和两个能隙。

He-Ne （633 nm）和green （533 nm）激光器的功率被用来估计光限幅行为。

沉积在FTO上的MnPcCl薄膜具有较高的光学激光限制，可用于不同的非线性光学器件，如激光滤光片。

酞菁|氯化锰（III）酞菁/FTO薄膜的表面形貌、线性和非线性光学性质

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酞菁|氯化锰（III）酞菁/FTO薄膜的表面形貌、线性和非线性光学性质

发表于由

对激光防护材料的科学综述主要集中在提高激光防护材料的线性透过率和提高激光防护材料的光限幅能力方面。

由于其独特的大π电子共轭结构，酞菁已成为一种成功的光限幅材料。

利用传统的热沉积技术在FTO衬底上制备了酞菁氯化锰（MnPcCl）薄膜。

x射线衍射表明，MnPcCl薄膜具有非晶态结构。AFM表面形貌表明，MnPcCl膜是均匀的，由球形和椭圆形的纳米粒子形成。

通过紫外-可见-红外光谱研究了MnPcCl薄膜线性和非线性光学特性的厚度依赖性。

吸收系数检测表明，薄膜具有一个间接跃迁和两个能隙。

He-Ne （633 nm）和green （533 nm）激光器的功率被用来估计光限幅行为。

沉积在FTO上的MnPcCl薄膜具有较高的光学激光限制，可用于不同的非线性光学器件，如激光滤光片。

酞菁|氯化锰（III）酞菁/FTO薄膜的表面形貌、线性和非线性光学性质

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酞菁|氯化锰（III）酞菁/FTO薄膜的表面形貌、线性和非线性光学性质

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/08


光电材料|UDP 糖| 卟啉 |光电应用纳米结构氯化铟(III)酞菁/FTO薄膜的结构表征和光学性质

发表于由

在光电应用中，使用氯化铟酞菁(InClPc)薄膜。

然而，这些电影并没有得到广泛的研究。

采用热真空蒸发技术在清洁的掺氟氧化锡(FTO)衬底上沉积了InClPc薄膜。

采用x射线衍射和原子力显微镜对样品的结构和形貌进行了检测。

结果表明，随着薄膜厚度从48 nm增加到137 nm，颗粒尺寸从79 nm增加到126 nm，薄膜由分布在薄膜表面的球形颗粒组成。

从250 ~ 2500 nm波长范围内的反射光谱和透射光谱中提取了InClPc薄膜的线性光学常数。

InClPc薄膜有两个能隙，分别为Eg1 = 1.37 eV和Eg2 = 2.84 eV，其能隙随薄膜厚度的变化而略有变化。

根据米勒定律，计算了非线性光学参数。

采用两个独立的激光源(红色He-Ne激光器和绿色二极管激光器)进行光限幅测试。

以及红色He-Ne激光功率强度性能高。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |利用飞秒激光和二次溅射技术在ITO薄膜上制备了具有良好光电性能的纳米结构

发表于由

在半导体薄膜上制备均匀、完整的纳米结构是缓解半导体薄膜中常见的诸多电子缺陷的必要工艺。

本研究采用激光直接照射和二次溅射的方法在ITO薄膜上制备了具有良好光电性能的纳米结构。

采用基于脉冲再生放大技术的Nd:YLF飞秒激光系统，波长为800 nm，重复频率为1 kHz。

研究了不同扫描速度和激光诱导的周期性表面结构。在1.86 J cm−2、扫描速度1.1 mm s−1、扫描间距4.5 μm、聚焦激光光斑18.5 μm的条件下，获得了大面积、均匀且损伤较小的纳米结构。

透光率提高21%，片材电阻提高10倍以上。

通过二次溅射对一定厚度的ITO薄膜进行溅射以提高其导电性，并且可以精确控制纳米结构的高度。

在最佳纳米结构高度为90 nm时，与未处理的ITO薄膜表面相比，薄膜的透光率提高了19%，片状电阻减小到1.6倍以下。

这种制备纳米结构的方法无需复杂的加工过程和昂贵的成本，可大大提高光电性能，具有广泛的工业应用前景。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |光电应用纳米结构氯化铟(III)酞菁/FTO薄膜的结构表征和光学性质

发表于由

在光电应用中，使用氯化铟酞菁(InClPc)薄膜。

然而，这些电影并没有得到广泛的研究。

采用热真空蒸发技术在清洁的掺氟氧化锡(FTO)衬底上沉积了InClPc薄膜。

采用x射线衍射和原子力显微镜对样品的结构和形貌进行了检测。

结果表明，随着薄膜厚度从48 nm增加到137 nm，颗粒尺寸从79 nm增加到126 nm，薄膜由分布在薄膜表面的球形颗粒组成。

从250 ~ 2500 nm波长范围内的反射光谱和透射光谱中提取了InClPc薄膜的线性光学常数。

InClPc薄膜有两个能隙，分别为Eg1 = 1.37 eV和Eg2 = 2.84 eV，其能隙随薄膜厚度的变化而略有变化。

根据米勒定律，计算了非线性光学参数。

采用两个独立的激光源(红色He-Ne激光器和绿色二极管激光器)进行光限幅测试。

以及红色He-Ne激光功率强度性能高。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/24

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |利用飞秒激光和二次溅射技术在ITO薄膜上制备了具有良好光电性能的纳米结构

发表于由

在半导体薄膜上制备均匀、完整的纳米结构是缓解半导体薄膜中常见的诸多电子缺陷的必要工艺。

本研究采用激光直接照射和二次溅射的方法在ITO薄膜上制备了具有良好光电性能的纳米结构。

采用基于脉冲再生放大技术的Nd:YLF飞秒激光系统，波长为800 nm，重复频率为1 kHz。

研究了不同扫描速度和激光诱导的周期性表面结构。在1.86 J cm−2、扫描速度1.1 mm s−1、扫描间距4.5 μm、聚焦激光光斑18.5 μm的条件下，获得了大面积、均匀且损伤较小的纳米结构。

透光率提高21%，片材电阻提高10倍以上。

通过二次溅射对一定厚度的ITO薄膜进行溅射以提高其导电性，并且可以精确控制纳米结构的高度。

在最佳纳米结构高度为90 nm时，与未处理的ITO薄膜表面相比，薄膜的透光率提高了19%，片状电阻减小到1.6倍以下。

这种制备纳米结构的方法无需复杂的加工过程和昂贵的成本，可大大提高光电性能，具有广泛的工业应用前景。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/24

光电材料|柔性PET掩膜增强激光退火下f掺杂SnO2薄膜的形貌、结构和光电性能

发表于由

激光退火对提高透明导电氧化物(TCO)基薄膜的性能具有重要意义。

在本研究中，我们进一步开发了简单的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)掩膜增强激光退火(FPLA)工艺，通过在薄膜表面覆盖透明PET片，实现氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的性能改善。

通过分析薄膜的表面形貌、表面粗糙度、晶体结构和光电性能，

确定了包含扫描速度和扫描线间距的FPLA扫描控制策略。

结果表明，在最佳扫描速度为10 mm/s、扫描线间距为20 μm时，逐行往返扫描可获得更有效的FPLA效果。

取得时的FTO电影展出low-fluctuated表面明显扩大和致密颗粒,最低的均方根粗糙度,

最大的粒度,从而最大品质因数为3.05×10−2Ω−1,这是直接的约1.8倍laser-hainealed FTO电影使用相同的参数。

通过SEM、EDX和XPS表征进一步验证了PET片在FPLA膜材料再沉积和抑制氧空位减少方面的有效性。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/14

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

发表于由

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

上海金畔生物科技有限公司可提供A-Z系列各种进口或者国产的薄膜、单晶、多晶体薄膜，尺寸可定制；各种基底的薄膜；品质高；有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料；石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜（蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底等各种基底）等材料。

注：可以按照客户要求加工

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

产品信息：

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但Nb:SrTiO3具有导电性。

掺铬钛酸锶（Nb:SrTiO3）

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为：0.05％，0.1％，0.5％ 和0.7％的Nb:SrTiO3.

产品供应：

磷化铟(InP)晶体基片

砷化铟（InAs）晶体

锑化铟(InSb)晶体基片

KH2PO4晶体

钽酸钾(KTaO3)晶体基片

铌钽酸钾(KTa 1-X NbXO3)晶体基片

氯化钾(KCl)晶体基片

铝酸镧(LaAlO3)晶体基片

钽酸锂(LiTaO3)晶体基片

铌酸锂(LiNbO3)晶体基片

氟化锂(LiF)晶体基片

铝酸锶钽镧（LSAT）晶体基片

镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 （进口）

锶镁掺杂镓酸镧（LSGM)晶体

近化学计量比LiNbO3晶体（简写: SLN）

铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片

氟化镁(MgF2)晶体基片

氧化镁(MgO)晶体基片

MoSe2晶体

二硫化钼（MoS2）晶体

碲化钼（MoTe2）晶体

光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3)晶片

铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片

单晶TiO2（金红石）掺杂Nb（Nb：TiO2）

掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片

镓酸钕(NdGaO3)晶体基片

Nd3Ga5O12（简称：NGG）

镍(Ni)单晶

钨酸铅(PbWO4)晶体基片

以上产品源于上海金畔生物科技有限公司如有其他信息或产品信息咨询我们。

氧化镁(MgO)晶体基片

发表于由

氧化镁(MgO)晶体基片

产品概述:

氧化镁(MgO )是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、 光电薄膜和高温超导薄膜等,由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英时及更大) ,所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温 超导微波滤波器等器件。科晶公司用一种特殊的电弧法生长出高纯度的尺寸约2”x2" x 1"的低成本的MgO单晶,采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。

氧化镁(MgO)晶体基片

规格说明：

外形尺寸 1",2", 3", 4", 6", 8"～12" 可定制

导电类型 N型，P型，本征（不掺杂） 客户要求

直径 50 ~ 300mm  

厚度 100 ~ 1000 μm 可定制

常规厚度 Dia 50.8×400μm, Dia 76.2×400μm

Dia 100×500μm，Dia200x725μm

Dia 300×775μm

厚度误差 ±10μm  

平整度（TIR） < 3 μm  

翘曲度（BOW） ≤15μm  

TTV ≤10μm  

电阻率 0.0001~ 20000 (Ω·cm) 客户要求

碳含量 ≤5.0 x 1016 atoms/cc  

氧含量 ≤1.0 x1018 atoms/cc

晶向 〈100〉± 0.5°;〈110〉±0.5°;〈111〉± 0.5° 客户要求

少子寿命 ≥15μs  

位错密度 3 X 103 /cm2  

级别 光学级；太阳能级；IC级 客户要求

表面 研磨片，单抛，双抛

购买须知：

规格:5mg

产地:上海

保质期:12个月

储存条件:-20°C干燥避光保存 

以上产品源于上海金畔生物科技有限公司如有其他信息或产品信息咨询我们。