超硫化是合成季硫族化合物不可缺少的工艺吗?对于大多数抑制过多硫空位的合成方法来说，答案可能是肯定的。脉冲激光沉积(PLD)是一种公认的制备复杂化学计量学薄膜的技术，是制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜的一种很好的替代方法。

然而，为了防止蒸发损失，沉积温度(Tis)必须限制在400°C以下，这使得后退火工艺对改善亚稳态膜极为必要。在此，我们开发了一种室温(RT)- pld -合成CZTS薄膜的原位热处理技术，以避免额外的硫化过程。

根据多峰高斯拟合分析，RT-PLD实施优化的原位处理可以拓宽CZTS薄膜的太阳吸收，这可能是由于I2-II-IV-VI4硫族化合物固有的天然中带效应所导致的子带隙吸收。

稳定时安培表征与准化学计量比相结合，证明RT-PLD技术即使不硫化也能等效地抑制硫空位的产生。原位处理过程中多晶CZTS有序-无序转变的物理机制可以解释随Tis变化而发生的形态“块-光滑-孔洞”转变。

因此，所提出的RT-PLD技术适用于制备具有挥发性元素和复杂化学计量比的多元化合物。

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