光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响

Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)薄膜是通过非真空旋涂工艺,然后在450 °C至575 °C的温度下硒化,在钼涂层的柔性不锈钢衬底上制备的。


研究了硒化温度和铁离子浓度对CIGS太阳能电池光电性能的影响。所有的x射线衍射(XRD)谱图与CIGS相相匹配。随着硒化温度的升高,未掺杂CIGS薄膜的衍射峰强度增大。


但随着硒化温度的升高,铁离子掺杂CIGS薄膜的XRD峰强度降低,这是由于铁离子掺杂后CIGS薄膜的热稳定性下降所致。随着硒化温度的升高,CIGS薄膜中颗粒尺寸增大,薄膜表面呈扁平状致密化。


在450 °C条件下制备的CIGS太阳能电池的Voc、Jsc和填充系数分别为0.401 V、21.84 mA/cm2和41.12%。这些参数随着硒化温度的升高而增强,这是由于CIGS结晶度的提高和微观结构的致密化。


但铁离子掺杂会在高温下扩散到吸收层中,导致光电性能恶化。研究表明,铁离子掺杂对CIGS太阳能电池的光电性能和微结构产生了不利影响。

光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响

更多推存

光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。