P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法
上海金畔生物科技有限公司提供各种进口或者国产的薄膜，尺寸可定制；各种基底的薄膜；品质高；有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料；石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜（蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。
4H型SiC（4H-SiC）产品描述：
六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能比较好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料
P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的基本信息
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产品名称
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P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延
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产品名称:
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型
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常规尺寸:
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dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
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4H-SiC薄膜厚度：
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4.3um ±10%
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4H-SiC薄膜厚度：
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1.4E17/cc +0% /- 30%
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载流子浓度：
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(3~ 10)E16 /cc
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导电类型：
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P型
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抛光情况：
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双面抛光
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4H-SiC基片尺寸：
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dia 2 inch x330±25un
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4H-SiC基片电阻率:
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< 0.03 ohm-cm
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4H-SiC抛光：
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Si面CMP单抛
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标准包装
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超净袋真空包装或单片盒装
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生产厂家
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上海金畔生物科技有限公司
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SiC外延膜实物图：
碳化硼SiC的外延生长的方法包括以下几种
1)化学气相淀积CVD:（分为CVD和HTCVD高温两种）
2)升华或物理气相传输法PVT（分为Lely熔法/LETI法和升华三明治法）
3)分子束外延MBE
4)液相外延LPE：（又包含Si溶剂和其他溶剂两种）
化学气相淀积CVD法是制造先进外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生，低压化学气相淀积LPCVD，压力为10~1000mbar，低压可以减小气相成核，SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中，气相Si和C的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入，CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前，对于SiC外延层仍然存在各种缺陷，从而对器件特性造成影响，所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化，同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。
上海金畔生物供应薄膜产品列表
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Ag膜
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ITO膜
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Si3N4膜
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Al膜
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InAlAs膜
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SOS膜
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AlN膜
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InGaAs膜
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SOI膜
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Au膜
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InGaP膜
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SiC 4H 膜P型
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AlGaN膜
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ITO+ZnO
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SiC 3C膜
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BN氮化硼薄膜
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La0.7Sr0.3MnO3/Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3
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SiO2膜
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Ba1-xSrxTiO3膜
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La0.7Sr0.3MnO3/ PbZr(x)Ti(1-x)O3
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SrTiO3膜
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BiFeO3膜
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SiO2+Pt 薄膜
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YBCO膜
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Cu铜膜
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SrMoO4薄膜
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YIG膜
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CeO2膜
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LaFeO3膜
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ZnO膜
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Diamond金刚石膜
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LaNiO3膜
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掺杂ZnO膜
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FTO导电膜
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La1-xSrxMnO3膜
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SrRuO3薄膜
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GOI膜
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La1-xSrxTiO3膜
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TiO2薄膜
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GaAs膜
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La2Zr2O7膜
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ZnO/Au/Cr薄膜
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GaN膜
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Mo膜
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ZnO/SiO2复合薄膜
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Ga2O3-ß膜
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MoS2膜
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ZnO/钠钙玻璃薄膜
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Ge膜
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Ni膜
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ZnO/Pt/T复合薄膜
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Graphene石墨烯
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Pt膜
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Ag膜
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ITO膜
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Si3N4膜
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Al膜
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InAlAs膜
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SOS膜
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AlN膜
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InGaAs膜
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SOI膜
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