碳化硅纳米线 SiC纳米线(SiC Nanowires),又称SiC短纤维

碳化硅纳米线 SiC纳米线(SiC Nhaiowires)

碳化硅纳米线 SiC Nhaiowires

SiC纳米线(SiC nhaiowires)

SiC纳米线 SiC晶须

SiC短纤维(SiC fiber)

直径:50-100nm

长度 gt;100um

SiC纳米线的描述:

SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm ,长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心及难点。 SiC纳米线(SiC nhaiowires)又称为SiC晶须(SiC whiskers)或者SiC短纤维(SiC fiber),具有超高强度、硬度的纳米一维材料,可增强改性陶瓷基、金属基、树脂基复合材料。在半导体、电子器件领域也有广泛应用。碳化硅纳米线增强增韧的金属基、陶瓷基复合材料已广泛应用到机械、化工、国防、能源、环保等领域。

SiC纳米线的应用:

SiC纳米线(SiC nhaiowires)又称为SiC晶须(SiC whiskers)或者SiC短纤维(SiC fiber),具有超高强度、硬度的纳米一维材料,可增强改性陶瓷基、金属基、树脂基复合材料。在半导体、电子器件领域也有广泛应用。碳化硅纳米线增强增韧的金属基、陶瓷基复合材料已广泛应用到机械、化工、国防、能源、环保等领域。

运输条件:常规运输

属性:碳化硅纳米线

线/晶须含量:>80% 

长径比:20-150

碳化硅纳米线 SiC纳米线(SiC Nhaiowires),又称SiC短纤维

上海金畔生物可以提供各种不同长度的纳米金线,纳米钯线,纳米铑线,纳米钌线,纳米锇线,纳米铱线,纳米铂线,纳米银线,CdS纳米线,CdSe纳米线,InAS纳米线,ZnSe纳米线等,并且我们可以提供官能团修饰、蛋白修饰、酶修饰、DNA修饰、壳聚糖、多肽、叶酸等修饰偶连各种纳米线的定制合成技术。

碳化硅纳米线

碳化硅纳米线 SiC纳米线(SiC Nhaiowires),又称SiC短纤维

上海金畔生物提供零维/一维/二维/三维四个分类来提供几十个产品分类和几千种纳米材料产品,材料的材质包含金属纳米材料和非金属纳米材料以及他们的氧化物或碳化物及复合定制材料等等,产品粒径从5纳米-2000纳米均可选择。

提供各种不同长度的纳米金线,

纳米钯线,

纳米铑线,

纳米钌线,

纳米锇线,

纳米铱线,

纳米铂线,

纳米银线,

CdS纳米线,

CdSe纳米线,

InAS纳米线,

ZnSe纳米线,

ZnTe纳米线,

CdS-CdSe纳米线,

CdTe纳米线,

GaAs纳米线,

GaSb纳米线,

InP纳米线,

SnO2纳米线,

ZnO纳米线,

ZnS纳米线,

CdS纳米带,

三氧化钼纳米线MoO3,

单晶Sb2S3纳米线,

碳化硅纳米线,

SiO2纳米线,

TiO2纳米线,

氮化硅α-Si3N4纳米线。

同时实验室提供各种纳米线的改性,化学修饰,生物修饰,纳米线功能化修饰定制技术。

碳化硅纳米线 SiC Nanowires 直径50-100nm

碳化硅纳米线 SiC Nhaiowires 直径50-100nm

SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm ,长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心及难点。SiC纳米线在全球产量不高,一般为实验室水平生产(每次产量约几十微克)。


中文名称:碳化硅纳米线

英文名称:SiC Nhaiowires

性质

直径:50-100nm

长度:>100um

晶型:Beta  

密度:3.21g/cm3

外观:灰绿色

纯度:~99.9%

应用

电子、信息、精密加工技术、军工,航天航空、高温耐火材料、特种陶瓷材料、高级磨削材料和增强增强材料等领域

碳化硅纳米线的检测:

碳化硅纳米线的XRD图谱

碳化硅纳米线 SiC Nhaiowires 直径50-100nm

 

碳化硅纳米线的SEM照片

碳化硅纳米线 SiC Nhaiowires 直径50-100nm

 

碳化硅纳米线的SEM照片

碳化硅纳米线 SiC Nhaiowires 直径50-100nm

 

PEG聚乙二醇包裹碳化硅(SiC)荧光量子点发光材料(含碳化硅量子点的制备方法)

PEG聚乙二醇包裹碳化硅(SiC)荧光量子点发光材料(含碳化硅量子点的制备方法)

【产品名称】:PEG包裹碳化硅(SiC)量子点荧光材料

【外观】:液体

【质量】:95%

【溶解物】:可分散于水中

【储藏方法】:2-8℃

【保质期】:6个月

【用途】:化工,生物产业

【供货方式】:现货

【是否进口】:否

【特色服务】:包邮

【产地/厂商】:上海金畔生物

【可售卖地】:全国

碳化硅量子点的制备

腐蚀液是由40%的氢氟酸与65%的浓硝酸按一定体积比配制而成。将自蔓延燃烧合成的均质纳米β-SiC 粉末倒入腐蚀液并用塑料棒搅拌,在室温条件下持续1h。将腐蚀产物置于电热鼓风干燥器中烘干,对其机械研磨后加入400 mL 超纯水配制成溶液,而后放置于超声波分散仪中超声处理25min.将超声空化破碎分散后的碳化硅颗粒悬浮液置于台式高速离心机内高速离心层析剪裁,尺寸较大的颗粒由于离心力作用沉于底部,而上层清液中则存在尺寸较小(纳米级别)的SiC量子点。

PEG聚乙二醇包裹碳化硅(SiC)荧光量子点发光材料(含碳化硅量子点的制备方法)

其它量子点产品目录:

叠氮修饰近红外二区铜铟硫量子点 CuInSe2 Qds-N3

炔基功能化银铟硫量子点 AgInS2 Qds-Alkyne

疏基修饰银铟硒量子点 AgInSe2 Qds-SH

生物素修饰硫化银量子点 Ag2S Qds-Biotin

羟基化硒化银量子点 Ag2Se Qds-OH

氨基化近红外发光碲化银量子点 Ag2Te Qds-NH2

马来酰亚胺功能化铟镓砷量子点 InGaAs Qds-MAL

羟基琥珀酰亚胺修饰磷化铟量子点 InP Qds-NHS

生物素修饰近红外发光硒化镉量子点 CdSe/ZnSI Qds-Biotin

炔基化InAs(砷化铟)量子点

疏基修饰近红外二区GaAs(砷化镓)量子点

生物素修饰InAs/GaAs量子点

氨基化锑化铟InSb量子点

羧基修饰PbTe量子点

马来酰亚胺修饰PbSe量子点

叠氮修饰CdSe(硒化镉)量子点

炔基化近红外CdTe量子点

疏基修饰硫化锌ZnS量子点

生物素修饰近红外发光ZnSe量子点

羟基化ZnTe(碲化锌)量子点

厂家:上海金畔生物科技有限公司

碳化硅SiC纳米线单晶纤维 碳化硅长晶须 的制备方法科普

碳化硅SiC纳米线单晶纤维 碳化硅长晶须 的制备方法科普


SiC纳米线介绍

SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm ,长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心及难点。SiC纳米线在全球产量不高,一般为实验室水平生产(每次产量约几十微克)。


电镜图如下:

碳化硅SiC纳米线单晶纤维 碳化硅长晶须 的制备方法科普

SiC纳米线的检测图谱如下:

 碳化硅SiC纳米线单晶纤维 碳化硅长晶须 的制备方法科普

制备方法介绍:

传统制备方法

主要分为两类,气相反应法和固体材料法。气相反应法是指用含碳气体和含硅气体反应,或者分解一种含碳、含硅化合物的有机气体合成。固体材料法是指利用载气通过含碳、含硅的固体材料,在与反应材料隔开的空间形成纳米线。

1、纳米碳管模版法

1994年,zhou等人首次用碳纳米管作为先驱体,在流动Ar气保护下让其与SiO气体于1700℃反应,合成了长度和直径均比碳纳米管大一个数量级的实心、针状的碳化硅纳米线。

 

2、纳米尺度液滴外延法

孟国文等将含有硝酸铁的柱状活性炭置于炉内,炉内抽着空后通入0.1MPa的高纯Ar气,经4h加热到1200℃,接着以H2为载气将SiCl4载入炉内,在1200℃保温1.5h,整个过程一直同Ar气,保证管路畅通,在1200℃下,SiCl4H2反应生成Si,由于活性炭中铁的催化作用,SiC反应生产碳化硅纳米线。

 

3、溶胶凝胶法与碳热还原法

孟国文等以纯试剂正硅酸乙酯、无水乙醇、蔗糖和蒸馏水为原料,用硝酸为催化剂,采用溶胶凝胶工艺制备含蔗糖的二氧化硅溶胶,其中正硅酸乙酯、无水乙醇、蒸馏水的摩尔比为1412.5,蔗糖的加入量使最终凝胶中的碳与二氧化硅中硅的摩尔比为411,均匀混合后经90℃烘干,经700℃在氮气中加热2h的含碳的二氧化硅干凝胶。将含碳二氧化硅干凝胶块体放入炉内的高纯石墨坩埚中,在流动Ar气保护下,以14/min升温至1650℃,保温2.5h,冷至室温。获得碳化硅纳米线。


核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

使用像SiC纳米线(NWs)这样的新型具有优异物理性能的填充物,可以获得具有非常低的CTE,不匹配硅性质的新型电子封装复合材料。下文介绍核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程。


1)制备核壳SiC@SiO2 NWs,将所需数量的SiC,NWs添加到石墨坩埚,放置在空气中的高频加热炉从室温加热到1500°C,加热时间分别维持在15、20、25和60秒。

核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

在不同加热时间下SiC纳米线表面SiO2壳层的厚度变化情况


将所需数量的 Nd(III)acac 添加进一个脂环族的环氧树脂,随后在80°C三颈烧瓶中搅拌2 h。然后将均匀溶液冷却到室温。在一个超声水浴中,在乙醇中分离出所需量(0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 wt %),然后加入预测定的环氧树脂量在超声波环境下持续0.5小时。统一形成的混合物被放置在一个烧杯中在80°C水浴下机械搅拌,直到乙醇完全蒸发。将固化剂以100:95(环氧:固化剂)比例加入烧杯,搅拌20分钟。得到的混合物在真空烤箱中进一步脱气10分钟以去除气泡。最后,均匀分散SiC@SiO2 NWs的环氧树脂混合物在135°C下稳定 2 h,在165°C下稳定14 h。固化过程后,样品自然冷却到室温,然后用砂纸打磨成不同的形状。

核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

实验结果表明添加2.5 wt%的SiC@SiO2 NWs在环氧树脂中,其导热系数达到了0.391 Wm-1K-1,相比纯环氧树脂提高了79.4%,SiC@SiO2 NWs相比于SIC NW的亲水性也有提高(如图1所示),同时热稳定等性能也有一定程度地提高(如图2所示)。另外对比研究了SiC@SiO2纳米线与SiC纳米线对环氧树脂导热等性能的影响,环氧/SiC@SiO2复合材料的性能均优于环氧/SiC复合材料。这种新型环氧树脂复合材料将在电子封装等领域具有很好的应用前景。

核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

上海金畔生物可以提供各种不同长度的纳米金线,纳米钯线,纳米铑线,纳米钌线,纳米锇线,纳米铱线,纳米铂线,纳米银线,CdS纳米线,CdSe纳米线,InAS纳米线,ZnSe纳米线等,并且我们可以提供官能团修饰、蛋白修饰、酶修饰、DNA修饰、壳聚糖、多肽、叶酸等修饰偶连各种纳米线的定制合成技术。

SiC碳化硅纳米线

镧/钇掺杂氮化硅纳米线

P纳米颗粒修饰SiC纳米线

Co-P纳米薄膜修饰SiC纳米线

SiC纳米线SiC纳米棒SiC晶须

碳化硅纳米线,SiC nhaiowires

Au纳米颗粒修饰SiC纳米线

超长碳化硅纳米线的化学修饰

La-N共掺SiC纳米线

La2O3修饰改性SiC纳米线

贵金属纳米粒子修饰SiC纳米线

Pt、Pd和Ag修饰SiC纳米线

原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料

b掺杂sic纳米线

N掺杂SiC纳米线

疏水性非晶碳包覆层对SiC纳米线

3C-SiC纳米线

SiC纳米线修饰MoS2纳米片

六方柱状SiC纳米线

Si衬底上生长SiC纳米线

碳化硅纳米线增强C/CSiCZrB

SiC纳米线薄膜

柔性且超轻的SiC纳米颗粒修饰碳纤维垫

石墨烯/碳化硅纳米线复合材料

SiC纳米线改性环氧树脂

SiC纳米线/环氧树脂复合材料

SiC纳米线的改性

竹节状SiC纳米线

B掺杂SiC纳米线

碳纳米管碳化硅纳米线复合材料

碳化硅纳米线(SiCNWs)修饰偶联

超长碳化硅(SiC)纳米线

SiC纳米线增强SiCf/SiC复合材料

C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线

定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片

六棱柱状的SiC纳米线

SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料

碳/碳复合材料SiC纳米线

SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体

碳化硅纳米线混杂增强钨酸锆/铝复合材料

SiC纳米线增强C/CSiCZrC陶瓷基复合材料

碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料

碳化硅纳米线/碳纤维布复合材料

碳化硅纳米线/石墨烯泡沫电磁波吸收复合材料

SiC纳米线改性的CF/PI复合材料

具有表层网状分布碳化硅纳米线

SiC纳米线改性C/C复合材料

ZrB_2/SiC复合材料SiC纳米线增韧碳化硅纳米线(SiCNW)

核壳SiC@SiO2 NWs

双层石墨烯/碳化硅衬底上W6Te6范德华纳米线

碳化硅(SiC) 晶体 <100>取向的碳化硅单晶基片

SiC作为C和Si稳定的化合物,其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成,每个Si(或C)原子与周边包围的C(Si)原子通过定向的强四面体sp3键结合,虽然SiC的四面体键很强,但层错形成能量却很低,这一特点决定了SiC的多型体现象,已经发现SiC具有250多种多型体,每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外,采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段,在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。

碳化硅(SiC) 晶体  &lt;100&gt;取向的碳化硅单晶基片

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SbAsS3 三硫化砷锑晶体

ReNbS2 Crystals 二硫化铌铼晶体

ReMoS2 Crystals 二硫化钼铼晶体

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MoWS2 二硫化钨钼晶体

NbReS2 Crystals 硫化铼铌晶体

CuS 硫化铜晶体 (Copper Sulfide)

Bi4Te1.5S1.5 硫化碲铋晶体

Bi2S3 硫化铋晶体 (Bismuth Sulfide)

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

 

上海金畔生物科技有限公司提供各种进口或者国产的薄膜,尺寸可定制;各种基底的薄膜;品质高;有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料;石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜(蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底)等材料。

 

4HSiC4H-SiC产品描述:

六方结构的4HSiC4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能比较好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料

 

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的基本信息

产品名称

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延

产品名称:

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P

常规尺寸:

dia4" ±0.5 mm  x 0.525 ±0.025 mm

4H-SiC薄膜厚度:

4.3um ±10%

4H-SiC薄膜厚度:

1.4E17/cc +0% /- 30%

载流子浓度:

(3~ 10)E16 /cc

导电类型:

P型

抛光情况:

双面抛光

4H-SiC基片尺寸:

dia 2 inch x330±25un

4H-SiC基片电阻率:

< 0.03 ohm-cm

4H-SiC抛光:

Si面CMP单抛

标准包装

超净袋真空包装或单片盒装

生产厂家

上海金畔生物科技有限公司

 

 

SiC外延膜实物图:

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

碳化硼SiC的外延生长的方法包括以下几种

1)化学气相淀积CVD:(分为CVDHTCVD高温两种)

2)升华或物理气相传输法PVT(分为Lely熔法/LETI和升华三明治法)

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE:(又包含Si溶剂和其他溶剂两种)

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

 

化学气相淀积CVD法是制造先进外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生,低压化学气相淀积LPCVD,压力为10~1000mbar,低压可以减小气相成核,SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中,气相SiC的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入,CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前,对于SiC外延层仍然存在各种缺陷,从而对器件特性造成影响,所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化,同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。

 

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

 

上海金畔生物供应薄膜产品列表

Ag膜

ITO膜

Si3N4膜

Al膜

InAlAs膜

SOS膜

AlN膜

InGaAs膜

SOI膜

Au膜

InGaP膜

SiC 4H 膜P型

AlGaN膜

ITO+ZnO

SiC 3C膜

BN氮化硼薄膜

La0.7Sr0.3MnO3/Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3

SiO2膜

Ba1-xSrxTiO3膜

La0.7Sr0.3MnO3/ PbZr(x)Ti(1-x)O3

SrTiO3膜

BiFeO3膜

SiO2+Pt 薄膜

YBCO膜

Cu铜膜

SrMoO4薄膜

YIG膜

CeO2膜

LaFeO3膜

ZnO膜

Diamond金刚石膜

LaNiO3膜

掺杂ZnO膜

FTO导电膜

La1-xSrxMnO3膜

SrRuO3薄膜

GOI膜

La1-xSrxTiO3膜

TiO2薄膜

GaAs膜

La2Zr2O7膜

ZnO/Au/Cr薄膜

GaN膜

Mo膜

ZnO/SiO2复合薄膜

Ga2O3-ß膜

MoS2膜

ZnO/钠钙玻璃薄膜

Ge膜

Ni膜

ZnO/Pt/T复合薄膜

Graphene石墨烯

Pt膜

Ag膜

ITO膜

Si3N4膜

Al膜

InAlAs膜

SOS膜

AlN膜

InGaAs膜

SOI膜