硅(Si)基片晶体基片|半导体材料
产品信息：
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标签归档：基片
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氧化镁(MgO)晶体基片
氧化镁(MgO)晶体基片
规格说明：
外形尺寸 1",2", 3", 4", 6", 8"～12" 可定制
导电类型 N型，P型，本征（不掺杂） 客户要求
直径 50 ~ 300mm
厚度 100 ~ 1000 μm 可定制
常规厚度 Dia 50.8×400μm, Dia 76.2×400μm
Dia 100×500μm，Dia200x725μm
Dia 300×775μm
厚度误差 ±10μm
平整度（TIR） < 3 μm
翘曲度（BOW） ≤15μm
TTV ≤10μm
电阻率 0.0001~ 20000 (Ω·cm) 客户要求
碳含量 ≤5.0 x 1016 atoms/cc
氧含量 ≤1.0 x1018 atoms/cc
晶向 〈100〉± 0.5°;〈110〉±0.5°;〈111〉± 0.5° 客户要求
少子寿命 ≥15μs
位错密度 3 X 103 /cm2
级别 光学级；太阳能级；IC级 客户要求
表面 研磨片，单抛，双抛
购买须知：
规格:5mg
产地:上海
保质期:12个月
储存条件:-20°C干燥避光保存
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钪酸钆(GdScO3)单晶基片 <100>向 尺寸和方向可定制
与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料。
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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等; 我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.
产地 ：上海
纯度：99%
钪酸钆(GdScO3)单晶基片 <100>向 尺寸和方向可定制
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产地 ：上海
纯度：99%
氧化镁MgO晶体基片用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等
氧化镁MgO晶体基片用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等
硒化锌(ZnSe)单晶基片 <100>向 方向和尺寸可定制
硒化锌(ZnSe)晶体基片广泛应用于CO2激光器的红外光学;透镜;窗口;分束器;外延基片;蒸发源的晶体片等领域.
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产地 ：上海
纯度：99%
釓镓石榴石GGG单晶 <100> 取向晶体基片
钆镓石榴石是用于磁光薄膜(YIG或BIG薄膜)的专用基片在光通讯设备中,YIG或BIG薄膜是1.3及1.5光隔离器的核心部件.不同晶向的GGG单晶基片可以与这类薄膜有佳的晶格匹配，且GGG具有良好的物理、机械性能和化学稳定性, 从而保证薄膜成功的外延生长。同时GGG也是制作微波隔离器的佳基片材料。
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产地 ：上海
纯度：99%
Al2O3蓝宝石晶体基片|半导体蓝宝石晶体材料|
Al2O3蓝宝石晶体基片
蓝宝石单晶（Sapphire）又称白宝石，有著很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，、导热好、硬度高、透红外、化学稳定性好。
广泛用于耐高温红外窗口材料，和Ⅲ-Ⅴ族氮化物及多种外延薄膜基片材料。
为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，中心将竭诚为您提供高质量、低价格的蓝宝石晶体和外延抛光片。
Al2O3蓝宝石晶体基片
性质：
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晶体结构 |
六方 |
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晶格常数 |
a=4.758Å c=12.992Å |
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单晶纯度 |
>99.99% |
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密 度 |
3.98g/cm3 |
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熔 点 |
2040℃ |
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硬 度 |
9（mohs） |
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热 容 |
0.10（cal/℃） |
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结晶方向 |
<1120> A:2.379 Å <1102> R:1.740 Å <1010> M:1.375 Å <1123> N:1.147 Å – <0001> C:2.165 Å <1011> S:1.961 Å |
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热 导 |
46.06（0℃），25.12（100℃），12.56（400℃）（w/mk） |
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介电常数 |
~9.4(300k) at A axis ～ 11.58(300k) at C axis |
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正切损耗 |
<2×10-5at A axis <5×10-5at C axis |
标准产品：
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棒<0001>±0.5º |
Φ3″×（50~70）mm Φ2″×（50~70）mm Φ30×150mm |
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切割毛坯 <0001>±0.5º |
Φ1″×0.7mm Φ2″×0.7mm |
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外延抛光基片 C、R、A±0.5º 单抛或双抛 |
10×10×0.5 mm 0.5″×0.5″×0.5mm Φ1″×0.5 mm Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm |
上海金畔生物科技有限公司是西北一家生物公司，产品服务于金属配合物、热激活延迟荧光(TADF)材料、光电材料、点击化学等领域。上海金畔生物科技有限公司主要经营产品有纳米材料、荧光染料、点击化学、技术服务、实验耗材和消耗品、仪器设备，合成磷脂、荧光活性染料等
| 金畔生物 | mPEG5K-PDLLA45K |
| 金畔生物 | PDLLA2K-PEG3.4K-NHS |
| 金畔生物 | PLGA10K-PEG4K-COOH |
| 金畔生物 | mPEG2K-PCL2K |
| 金畔生物 | mPEG2K-PCL3.5K |
| 金畔生物 | mPEG2K-PCL3.5K |
| 金畔生物 | 5(6)-氨基荧光素/海藻酸钠 |
| 金畔生物 | PCL10K-NH2 |
| 金畔生物 | PCL15K-NH2 |
| 金畔生物 | MPEG3K-PLGA(50/50)12K-COOH |
| 金畔生物 | MPEG3K-PLGA(50/50)12K-COOH |
| 金畔生物 | MPEG5K-PLGA(50/50)10K |
| 金畔生物 | MPEG5K-PLGA(50/50)10K |
| 金畔生物 | MPEG5K-PGA10K |
| 金畔生物 | PLA1K-PCL3K-PEG5K-COOH |
| 金畔生物 | PLGA15K-RB |
| 金畔生物 | mPEG2K-DOPE |
纯度：98%
包装：mg级和g级
货期： 一周
地址：上海
厂家：上海金畔生物科技有限公司
合金靶材的概述，溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld是什么？
对溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。
溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差（因为是脉冲溅射），晶向（外沿）生长的控制也比较一般。
以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度 镀膜氛围（低压气体氛围） 基片温度 激光器功率 脉冲频率 溅射时间 对于不同的溅射材料和基片，佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。
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产地 ：上海
纯度：99%
溅射法制备薄膜的原理、优缺点
薄膜制备溅射法
溅射现象源于阴极表面的气体辉光放电。溅射料呈板材作为阴极，基片置于阳极附近，高真空状态下放入工作气体（一般为氩气)，在处于1-0.1Pa的低.工作气压中，在两极上施加0.1-10kV的电压，使工作气体原子电离成等离子体，从而产生具有高离子浓度的辉光放电区,等离子体中的正离子在电场作用下轰击阴极的靶材,与靶表面原子和原子团交换能量，使之飞溅出来，沉积到基片表面形成薄膜，故称此镀膜方法为溅射法。下图为溅射原理图。
溅射几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜,所得膜层致密、纯度高、与基片附着牢固。溅射方法种类繁较多，有直流磁控溅射法、射频溅射法、离子束溅射法等。在比较低的气压下，从离子源区处的瓴离子以一定角度对靶材进行轰击，由于轰击粒子的能P大约为 1KeV,对靶材的穿透深度可忽略不计，级联碰撞只发生在靶材儿个原子厚度的表面层中，大量的原乎逃离靶材表面，成为溅射离子，其具有的能量大约为10eV的数量级。由于真空室内具有比较少的背景气体分子，溅射离子的自由程很大，这些粒子以直线轨迹到达基板并沉积在上面形成薄膜。由于大多数溅射粒子具有的能量只能渗入并使薄膜致密，而没有足够的能量使其它粒子移位，造成薄膜的破坏，同时由于低的背景气压，薄膜的污染也很低:而且，冷的基板也阻止了由热激发导致品粒的生长在薄膜内的扩散。因此，在基板上可以获得致密的无定形膜层。在成膜过程中，特别是那些能量高丁10eV的溅射粒子，能够渗入儿个原子址级的膜层从而提高了薄膜的附着力，并且再高低折射率层之间形成了很小梯度的过渡层。有的轰击粒子从靶材获得了电子而成为中性粒子或多或少的被弹性反射，然后，他们以几百电子伏的能量撞击薄膜，高能中性粒子的微量喷射可以进一-步使薄膜致密也增强了薄膜的内应力。
溅射法的主要优点是.工艺比较成熟，能够以较低的成本制备实用的大面积薄膜,沉积温度较低，可以在氧气气氛中使用金属或者合金靶材通过反应溅射获得所需要的薄膜。但这种方法的缺点是沉积膜速率较慢，在溅射过程中各组分的挥发性差别很大，膜的成分和靶材的成分有较大偏差，结构的均匀性比较难以控制。
供应产品目录：
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜
大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜
磷化镓GaP薄膜
柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜
硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
镓硫碲GaSTe薄膜
基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜
ZnS1-x Tex薄膜
碲基硫属化合物薄膜
二硫化铪HfS2薄膜
二硒化铪HfSe2纳米薄膜
二氧化铪图案化薄膜
具有V型能带结构的锑硫硒薄膜
二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜
花菁染料薄膜
碲化镉(CdTe)多晶薄膜
纳米厚度的铌基超导超薄薄膜
掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜
碲化铷薄膜
二碲化镍NiTe2薄膜
连续半导体薄膜
二硒化铂PtSe2薄膜
大面积的二维PtSe2薄膜
TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜
高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜
碲氧溅射薄膜
碲纳米线柔性薄膜
三硫化二锡Sn2S3薄膜
铜锌锡硫和硫化亚锡（CZTS和SnS）薄膜
銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜
硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜
纳米二氧化钒(VO2)薄膜
半导体硫(硒)化锌-锰薄膜
无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜
三元鎳磷鋁合金薄膜
钨掺杂的硫硒化镍薄膜
固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex
Zn(S,O)多晶薄膜
锌基底表面超疏水薄膜
Zr-Al复合薄膜
大面积二硫化锆薄膜
BaZrS3薄膜
碲化锰MnTe薄膜
碲化镍NiTe薄膜
Cr掺杂ZnS的中间带薄膜
铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜
氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜
氧化石墨烯/PDDA薄膜
硫化砷AS2S3薄膜
硫化砷非晶态半导体薄膜
硫化砷玻璃薄膜
低温生长富砷的镓砷锑薄膜
As掺杂碲镉汞薄膜
锗砷硒半导体薄膜
三硒化二铋Bi2Se3薄膜
Sb2Te3薄膜
三碲化二铋Bi2Te3薄膜
晶界调控n型碲化铋薄膜
碲化铋取向纳米柱状薄膜
碲化铋纳米薄膜
碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜
碲化镉硅基薄膜
锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜
二硫化銅銦薄膜
二硫化钨固体润滑薄膜
二硫化铼(ReS2)薄膜
二维二硫化钨薄膜
二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜
二维碲化铂纳米薄膜
二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜
CIGSeS/CIGSe复合薄膜
大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜
铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜
具有光引出层的柔性气密性薄膜
锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜
鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜
強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜
强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜
Bi2-xSbxTe3基热电薄膜
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜
Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜
多铁性磁电复合薄膜
聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜
金刚石薄膜
直流磁控溅射ZnO薄膜
WO3-TiO2薄膜
超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜
仿生超疏水性薄膜
掺锡TiO2复合薄膜
TiO2-SiO2超亲水性薄膜
金属离子掺杂的TiO2薄膜
纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜
含氢类金刚石薄膜
纳米结晶金刚石碳膜
三明治结构透明导电薄膜
三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜
高性能的碳纳米纤维柔性薄膜
石墨烯基透明导电薄膜
球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜
聚丙烯腈纳米纤维薄膜
石墨烯/多孔碳膜
三维多孔碳膜
二维氮化硼纳米薄膜
高性能钠离子薄膜
多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)
石墨烯/二氧化锰复合薄膜
各向异性导电高分子复合薄膜
碳氮化物薄膜
微纳结构薄膜
三维阶层多孔金膜
大内径碳纳米管阵列薄膜
金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜
纳米反应器阵列薄膜
铁氧体/石墨烯基纳米复合薄膜
三维网络结构铁氧体/碳材料纳米复合薄膜
具有大孔-中孔多级孔结构的自支撑碳纳米管薄膜
非晶碳基纳米多层薄膜
离子液体/织构化类金刚石碳复合润滑薄膜
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金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜
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WC/类金刚石(DLC)/WS2纳米复合薄膜
yyp2021.3.29
氧化镁MgO单晶基片 <100><110><111> 方向和尺寸可定制
氧化镁(MgO)是好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜 、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片(直 径2英时及更大)，所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于 制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
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产地 ：上海
纯度：99%
白宝石Al2O3 <11-20>A向<1-1020>R向<10-10>M向<0001>C向单晶基片
蓝宝石单晶（Sapphire,又称白宝石，分子式为Al2O3）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要。白宝石即氧化铝单晶（Al2O3），是迄今为止，世上硬的氧化物晶体，具有优良的导热、绝缘、抗化学腐蚀、耐磨损以及光学性能等。
白宝石用途：
白宝石广泛应用于工业、医学、光电子、国防、军事、科研等高要求、高领域不可缺少的材料。如：大规模集成电路基片；微波窗口、红外窗口、电子扫描仪等离子体诊断，脉冲全息照相、远程激光测距、卫星、导弹、反导弹、空间技术等
白宝石主要技术性能：
硬度：莫氏9级；
抗压强度：21，000kg/平方厘米；
折断系数：5000~7000kg/平方厘米；
抗腐蚀性：常温下不受酸碱腐蚀；
熔点：2030~2050℃；
折射率：
平行光轴：1.769（λ=5893A）；
垂直光轴：1.760（λ=5893A）；
密度：3.88g/立方厘米；
红外线透过率：86 %（λ=10，000Ad=3mm）。
晶体结构：六方 a=4.758Å c=12.992Å
结晶方向：
(11-20 ) – a plhaie: 2.379 Å (1-102) – r plhaie: 1.740 Å
(10-10) – m plhaie: 1.375 Å (11-23) – n plhaie: 1.147 Å
(0001) – c plhaie: 2.165 Å (10-11) – s plhaie: 1.961 Å
单晶纯度：> 99.99%
熔点：2040℃
密度：3.98 g/cm3
硬度：9 ( mohs)
热膨胀：7.5 (x10-6/℃)
热容：0.10 (cal/℃)
热导：46.06@0℃ 25.12@100℃, 12.56@400℃ (W/(m.K))
介电常数：～9.4@300K at A axis ～11.58@300K at C axis
正切损耗：< 2×10-5at A axis, < 5 x10-5 at C axis
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