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陶瓷靶材 半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO)的厂家
陶瓷靶材是比较脆的靶材,通常陶瓷靶材都会绑定背板一起使用.背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材,还可以在溅射过程中起到热传递的作用.陶瓷靶材的种类很多,应用范围广泛,主要用于微电子领域,显示器用,存储等领域.陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料,已得到空前的发展
陶瓷靶材的种类及各自应用
按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.
半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;
显示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ,主要应用于电致发光薄膜发光层,电致发光薄膜绝缘层
磁记录陶瓷靶材 Si3N4 ,主要应用于磁头,磁光盘(MO)保护;
光记录陶瓷耙材 Si3N4, 主要应用于光盘保护膜;
超导陶瓷靶材 YbaCuO, BiSrCaCuO ,主要应用于超导薄膜;
巨磁电阻陶瓷靶材, 主要应用于薄膜太阳能电池窗;
其它应用靶材 InO,LiNbO, BaTiO, PZT. ZnO ,主要应用于太阳能电池,压电薄膜
按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已广泛生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.
陶瓷靶材的制备工艺
烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120
配料:将烘干的原料按照相应的化学计量比称量;
球磨:将称量好的原料以某种制备方式混料,混料时间为4~12小时,制成均匀浆料;
干燥:将制得的均匀浆料烘干;
煅烧:将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中,在800~950℃煅烧4~8小时,制成
球磨:将煅烧后的粉料研磨成细粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;
制坯:将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片,将样片放入冷等静压机中,施加200~350MPa的压力,保压60~180s,制成所得陶瓷坯体;
烧结:将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中,在1100~1200℃烧结4
冷却:自然冷却至室温,即制得某种陶瓷靶材.
注:提供的温度、时间仅当作参考数据.
陶瓷靶材的特性要求
纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.
密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.
成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤其在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.
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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等; 我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.
产地 :上海
纯度:99%
硫化镉(CdS)陶瓷靶材的制备方法
上海金畔生物科技有限公司可提供各类化合物陶瓷靶材和镀膜材料,产品包含氧化物、氟化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硅化物、硒化物、碲化物、磷化物以及各类混合掺杂物,纯度99.5%-99.999%,适合磁控溅射镀、热蒸镀、电子束蒸镀,产品广泛应用于各类半导体行业、太阳能光伏光热行业、建筑、装饰、汽车、平面显示、LCD、LED、集成电路,元器件、磁记录、装饰、工具镀膜、航空航天、军工、科研等领域。
硫化镉靶材(CdS靶材 )的基本信息:
相对密度:> 99% ;
纯度: 99.99% ;
应用领域:薄膜太阳能工业。
硫化镉平面靶采用烧结及绑定工艺,可生产最大长度 600mm ,最大宽度 400mm ,尺寸可根据客户要求加工。
硫化镉陶瓷靶材的制备方法:
第一步,原料配制:CdS粉末以及助熔剂;
第二步,混合:先将CdC12溶于热水后与PVA水溶液混合均匀,用小喷壶喷洒到CdS粉末中,并充分搅拌均匀;
第三步,烘干:将混合好的原料放入干燥箱中烘干;
第四步,过筛:将烘干后筛选出30目的粉料颗粒;
第五步,困料:过筛后的粉料颗粒密闭困料,确保水分均匀;
第六步,成型:将粉料装入模具进行干压成型;
第七步,烧结:将压好的样品放入坩埚内进行烧结,采用真空烧结的方式,并真空随炉冷却至室温,制成硫化镉陶瓷靶材。
以下是上海金畔生物供应陶瓷化合物靶材产品,如有金属溅射靶材的需要请来咨询我们。
氟化物靶材 | ||||
氟化铝(AlF3) | 氟化镝(DyF3) | 氟化钕(NdF3) | 氟化镨(PrF3) | 氟化钇(YF3) |
氟化钡(BaF2) | 氟化锂(LiF) | 氟化钠(NaF) | 氟化锶(SrF3) | 氟化锌(ZnF3) |
氟化钙(CaF2) | 氟化镧(LaF3) | 冰晶Na2AlF6 | 氟化钐(SmF3) | |
氟化铈(CeF3) | 氟化镁(MgF2) | 氟化钾(KF) | 氟化镱(YbF3) | |
氮化物靶材 | ||||
氮化铝(AlN) | 氮化铪(HfN) | 氮化硅(Si3N4) | 氮化钛(TiN) | 氮化锆(ZrN) |
氮化硼(BN) | 氮化铌(NbN) | 氮化钽(TaN) | 氮化钒(VN) | |
碳化物靶材 | ||||
碳化硼(B4C) | 碳化铌(NbC) | 碳化钽(TaC) | 碳化钨(WC) | 碳化锆(ZrC) |
碳化铪(HfC) | 碳化镍(NiC) | 碳化钛(TiC) | 碳化钨钴(WC+Co) | |
碳化钼(MoC) | 碳化硅(SiC) | 碳氮化钛(TiCN) | 碳化钒(VC) |
硫化物靶材 | ||||
硫化镉(CdS) | 硫化铁(FeS) | 硫化锰(MnS) | 硫化钽(TaS) | 硫化镁(MgS) |
硫化铜(CuS) | 硫化铅(PbS) | 硫化铌(NbS) | 硫化钨(WS2) | 硫化锑(Sb2S3) |
硫化铈(Ce2S3) | 硫化钼(MoS2) | 硫化铟(In2S3) | 硫化锌(ZnS) | |
硅化物靶材 | ||||
硅化铬(CrSi) | 硅化镁(MgSi) | 硅化钽(TaSi2) | 硅化钨(WSi2) | 硅化锆(ZrSi2) |
硅化钼(MoSi2) | 硅化镍(NiSi) | 硅化钛(TiSi2) | 硅化钒(VSi) | |
硒化物靶材 | ||||
硒化铋(Bi2Se3) | 硒化铬(CrSe) | 硒化钼(MoSe2) | 硒化镓(Ga2Se3) | 硒化钨(WSe2) |
硒化铜(Cu2Se) | 硒化铅(PbSe) | 硒化铟(In2Se3) | 硒化锗(GeSe2) | 硒化锡(SnSe) |
陶瓷靶材的种类制备方法及特性要求介绍-超高纯度溅射靶材
钛铝(TiAl)合金溅射镀膜靶材的主要制备技术
上海金畔生物科技有限公司供应的溅射靶材主要通过烧结、热等静压、真空熔炼、粉末冶金等方法制备,可根据客户的具体要求定做不同成分、规格的镀膜材料,并为客户提供技术上的服务与支持。
钛铝合金是一种真空镀膜用合金溅射靶材,在该合金中通过调配钛与铝的含量可以获得不同特性 的钛铝合金靶材。钛铝金属间化合物属于硬脆材 料,具有很好的耐磨性,在普通刀具表面覆着一层钛 铝金属间化合物,可以有效延长刀具的使用时间。
溅射合金靶材需要满足纯度、致密度、晶粒度、表面光洁度等要求。其中纯度、致密度及晶粒度 与靶材制备工艺直接相关。金属合金制备通常采用的普通熔炼法。但钛铝合金的制备不适于采用该方法,主要原因如下:
(1) 钛铝合金熔炼过程易形成多种金属间化合物,如 Ti3A1、TiAl、TiAl2、TiAl3等,这些金属间化合物的存 在导致钛铝合金的加工脆性,特别是当合金中铝含 量超过50%(原子比),该问题尤为明显;
(2)熔炼工 艺制备钛铝合金靶材,浇注过程中易产生气泡、疏松 和偏析,造成合金中成分与组织不均匀,导致靶材品 质不稳定蚓6。
目前钛铝合金溅射靶材的主要制备技术有:强 电流加热法、热等静压烧结法、热压烧结法。
1.强电流加热法
该法采用可获得大电流的装置, 利用大电流使钛粉和铝粉发热,施以压力,使铝和钛 自身反应形成钛铝合金靶材。该法制备得到的钛铝合金靶材产品的致密度 >99%,晶粒尺寸≤100微米,纯度>99%。
2.热等静压烧结法
该法将钛粉和铝粉进行混料,然后 经过装粉和冷等静压预压制、脱气工艺后再进行热 等静压压制成型,最后进行烧结和加工得到钛铝合金靶材。该法制备的钛铝合金靶材具有致密度高、无气 孔、无疏松和偏析、成分均匀、晶粒细小等特点。
3.热压烧结法
该工艺使钛铝粉体在热和力的共同 作用下烧结成型,利用Ti—Al混合物中铝的熔点 低,将钛粉粘结在一起,形成合金溅射靶材。热压 烧结示意图如图2所示。该法制备得到的合金靶材致密度高(≥95%), 晶粒尺寸细小(≤100 微米),成分均匀。用该工艺可 制备出不同成分的钛铝合金靶材。
以下是客户经常购买的金属合金靶材,如有金属溅射靶材的需要请来咨询我们。
产品名 | 元素符号 | 纯度 |
镍钒合金靶材 | Ni + V | 3N, 3N6, 4N |
镍铁合金靶材 | Ni + Fe | 3N5, 4N |
镍铬合金靶材 | Ni + Cr | 3N, 3N6, 4N |
铁钴合金靶材 | Fe + Co | 3N, 3N6, 4N |
铁钴钽锆合金靶 | Fe + Co + Ta + Zr | 3N5 |
钴钽锆合金靶材 | Co + Ta + Zr | 3N, 3N5 |
铜镓合金靶材 | Cu + Ga | 4N, 5N |
铜铟合金靶材 | Cu + In | 4N, 5N |
铜铟镓合金靶材 | Cu + In +Ga | 4N, 5N |
钛铝合金靶材 | Ti + Al | 2N8 |
镁铝合金靶材 | Mg+Al | 3N5 |
铝硼合金靶材 | Al+B | 3N~5N |
铝铜合金靶材 | Al+Cu | 3N~5N |
铝硅合金靶材 | Al+Si | 3N~5N |
铝钇合金靶材 | Al+Y | 3N~5N |
铝铬合金靶材 | Al+Cr | 3N~5N |
铝铁合金靶材 | Al+Fe | 3N~5N |
铝钛合金靶材 | Al+Ti | 3N~5N |
铝钪合金靶材 | Al+Sc | 3N~5N |
铝钒合金靶材 | Al+V | 3N~5N |
铝铬钇合金靶材 | Al+Cr+Y | 3N~5N |
金锗合金靶材 | Au+Ge | 3N~5N |
金银合金靶材 | Au+Ag | 3N~5N |
金锡合金靶材 | Au+Sn | 3N~5N |
金镍合金靶材 | Au+Ni | 3N~5N |
锇铱合金靶材 | Os + Ir | 3N5 |
锇铱铝合金靶材 | Os + Ir + Al | 3N |
锇铼合金靶材 | Os + Re | 3N |
锇钨合金靶材 | Os + W | 3N |
锇钌合金靶材 | Os + Ru | 3N |
银铜合金靶材 | Ag + Cu | 4N |
银金合金靶 | Ag + Au | 4N |
银锡合金靶材 | Ag + Sn | 4N |
银铟合金靶材 | Ag + In | 4N |
银锌合金靶材 | Ag + Zn | 4N |
钯银合金靶材 | Pd + Ag | 4N |
钯铁合金靶材 | Pd + Fe | 3N |
金铜合金靶材 | Au + Cu | 4N |
钌钴铬合金靶材 | Ru + Cr + Co | 3N5 |
钌铬钛合金靶材 | Ru + Cr + Ti | 3N |
钌钽合金靶材 | Ru + Ta | 3N5 |
铂钴合金靶材 | Pt + Co | 3N5 |
铂镍合金靶材 | Pt-Ni | 3N5 |
铂铁合金靶材 | Pt + Fe | 3N |
铱锰合金靶材 | Ir + Mn | 3N |
金属溅射靶材的生产工序、种类及应用领域介绍
产品名 | 元素符号 | 纯度 |
钒靶材 | V | 3N |
铁靶材 | Fe | 3N, 3N5, 4N |
钴靶材 | Co | 3N5 |
银靶材 | Ag | 4N |
钼靶材 | Mo | 3N5 |
铌靶材 | Nb | 3N5 |
钽靶材 | Ta | 3N5, 4N |
钨靶材 | W | 3N5 |
镍靶材 | Ni | 3N, 3N6, 4N, 4N5, 5N |
钛靶材 | Ti | 2N7, 4N, 4N5, 5N |
铝靶材 | Al | 3N5, 4N, 4N6, 5N, 6N |
铬靶材 | Cr | 2N5,3N5 |
铜靶材 | Cu | 3N5~6N |
硅靶材 | Si | 3N~5N |
铟靶材 | In | 4N5 |
镓靶材 | Ga | 5N |
锡靶材 | Sn | 5N |
锆靶材 | Zr | 2N7~5N |
金靶材 | Au | 4N,4N5,5N |
锂靶材 | Li | 3N |
镁靶材 | Mg | 3N8,4N,5N |
锌靶材 | Zn | 4N,4N5,5N |
锰靶材 | Mn | 3N,3N5,4N |
铒靶材 | Er | 2N5,3N,3N5 |
铂靶材 | Pt | 3N5,4N,4N5 |
锗靶材 | Ge | 5N |
铱靶材 | Ir | 3N5 |
钌靶材 | Ru | 3N5 |
铼靶材 | Re | 3N5,4N |
锇靶材 | Os | 3N,3N5 |
钯靶材 | Pd | 3N5 |
铑靶材 | Rh | 3N5,4N |
钙靶材 | Ca | 2N5 |
钪靶材 | Sc | 4N,4N5 |
硒靶材 | Se | 4N,5N |
锶靶材 | Sr | 2N5 |
钇靶材 | Y | 3N,3N5,4N |
镉靶材 | Cd | 4N |
锑靶材 | Sb | 4N,5N |
碲靶材 | Te | 4N5,5N |
钡靶材 | Ba | 3N |
镧靶材 | La | 3N,3N5 |
铈靶材 | Ce | 3N5 |
镨靶材 | Pr | 3N5 |
钕靶材 | Nd | 3N5 |
钐靶材 | Sm | 3N5 |
铕靶材 | Eu | 3N5 |
钆靶材 | Gd | 2N,3N,3N5 |
铽靶材 | Tb | 3N5 |
镝靶材 | Dy | 3N5 |
钬靶材 | Ho | 3N,3N5 |
镱靶材 | Yb | 3N5 |
铪靶材 | Hf | 3N,3N5,3N8,4N |
铅靶材 | Pb | 4N |
铋靶材 | Bi | 4N,5N |