氧化锆陶瓷 ZrO2单晶基片 的应用和理化性质

氧化锆陶瓷呈白色,含杂质时呈黄色或灰色,一般含有HfO2,不易分离。在常压下纯ZrO2共有三种晶态。氧化锆陶瓷的生产要求制备高纯、分散性能好、粒子超细、粒度分布窄的粉体,氧化锆超细粉末的制备方法很多,氧化锆的提纯主要有氯化和热分解法、碱金属氧化分解法、石灰熔融法、等离子弧法、沉淀法、胶体法、水解法、喷雾热解法等。氧化锆陶瓷,ZrO2陶瓷,Zirconia Ceramic具有熔点和沸点高、硬度大、常温下为绝缘体、而高温下则具有导电性等优良性质。

纯ZrO2为白色,含杂质时呈黄色或灰色,一般含有HfO2,不易分离。世界上已探明的锆资源约为1900万吨,氧化锆通常是由锆矿石提纯制得。在常压下纯ZrO2共有三种晶态:单斜(Monoclinic)氧化锆(m-ZrO2)、四方氧化锆(t-ZrO2)和立方(Cubic)氧化锆(c-ZrO2),上述三种晶型存在于不同的温度范围,并可以相互转化:

温度  密度

单斜(Monoclinic)氧化锆(m-ZrO2)  <950℃  5.65g/cc

四方(Square)氧化锆(t-ZrO2)  1200-2370℃  6.10g/cc

立方(Cubic)氧化锆(c-ZrO2) >2370℃ 6.27g/cc

上述三种晶态具有不同的理化特性,在实际应用为获得所需要的晶形和使用性能,通常加入不同类型的稳定剂制成不同类型的氧化锆陶瓷,如部分稳定氧化锆(partially stabilized zirconia,PSZ),当稳定剂为CaO、 MgO、Y2O3时,分别表示为Ca-PSZ、 Mg-PSZ、 Y-PSZ等。由亚稳的t- ZrO2组成的四方氧化锆称之为四方氧化锆多晶体陶瓷(Square zirconia polycrysta,TZP)。当加入的稳定剂是Y2O3 、CeO2,则分别表示为Y-TZP、Ce-TZP等。

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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

氧化铝陶瓷 Al2O3单晶基片的产品说明以及分类

氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷,因为其优越的性能,在现代社会的应用已经越来越广泛,满足于日用和特殊性能的需要。

氧化铝陶瓷分为高纯型与普通型两种。

高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料,由于其烧结温度高达1650—1990℃,透射波长为1~6μm,一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚;利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管;在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。

普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种,有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料,如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件;85瓷中由于常掺入部分滑石,提高了电性能与机械强度,可与钼、铌、钽等金属封接,有的用作电真空装置器件。

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纯ZrO2为白色,含杂质时呈黄色或灰色,一般含有HfO2,不易分离。世界上已探明的锆资源约为1900万吨,氧化锆通常是由锆矿石提纯制得。在常压下纯ZrO2共有三种晶态:单斜(Monoclinic)氧化锆(m-ZrO2)、四方氧化锆(t-ZrO2)和立方(Cubic)氧化锆(c-ZrO2),上述三种晶型存在于不同的温度范围,并可以相互转化:

温度  密度

单斜(Monoclinic)氧化锆(m-ZrO2)  <950℃  5.65g/cc

四方(Square)氧化锆(t-ZrO2)  1200-2370℃  6.10g/cc

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上述三种晶态具有不同的理化特性,在实际应用为获得所需要的晶形和使用性能,通常加入不同类型的稳定剂制成不同类型的氧化锆陶瓷,如部分稳定氧化锆(partially stabilized zirconia,PSZ),当稳定剂为CaO、 MgO、Y2O3时,分别表示为Ca-PSZ、 Mg-PSZ、 Y-PSZ等。由亚稳的t- ZrO2组成的四方氧化锆称之为四方氧化锆多晶体陶瓷(Square zirconia polycrysta,TZP)。当加入的稳定剂是Y2O3 、CeO2,则分别表示为Y-TZP、Ce-TZP等。

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纯度:99%

陶瓷靶材 半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO)的厂家

陶瓷靶材是比较脆的靶材,通常陶瓷靶材都会绑定背板一起使用.背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材,还可以在溅射过程中起到热传递的作用.陶瓷靶材的种类很多,应用范围广泛,主要用于微电子领域,显示器用,存储等领域.陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料,已得到空前的发展

陶瓷靶材的种类及各自应用

按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.

半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;

显示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ,主要应用于电致发光薄膜发光层,电致发光薄膜绝缘层

磁记录陶瓷靶材 Si3N4 ,主要应用于磁头,磁光盘(MO)保护;

光记录陶瓷耙材 Si3N4, 主要应用于光盘保护膜;

超导陶瓷靶材 YbaCuO, BiSrCaCuO ,主要应用于超导薄膜;

巨磁电阻陶瓷靶材, 主要应用于薄膜太阳能电池窗;

其它应用靶材 InO,LiNbO, BaTiO, PZT. ZnO ,主要应用于太阳能电池,压电薄膜

按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已广泛生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.

陶瓷靶材的制备工艺

烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120

配料:将烘干的原料按照相应的化学计量比称量;

球磨:将称量好的原料以某种制备方式混料,混料时间为4~12小时,制成均匀浆料;

干燥:将制得的均匀浆料烘干;

煅烧:将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中,在800~950℃煅烧4~8小时,制成

球磨:将煅烧后的粉料研磨成细粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;

制坯:将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片,将样片放入冷等静压机中,施加200~350MPa的压力,保压60~180s,制成所得陶瓷坯体;

烧结:将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中,在1100~1200℃烧结4

冷却:自然冷却至室温,即制得某种陶瓷靶材.

注:提供的温度、时间仅当作参考数据.

陶瓷靶材的特性要求

纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.

密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.

成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤其在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.

陶瓷靶材 半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO)的厂家

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不同形貌的Sb2S3晶体(棒状,管状,蝴蝶结状,花状,稻草捆状)

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纯度:99%

多孔氧化铝陶瓷制备方法

多孔氧化铝陶瓷不仅具有氧化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀性好,同时具有多孔材料比表面积大、热导率低等优良特点,现已广泛应用于净化分离、固定化酶载体、吸声减震和传感器材料等众多领域,在航天航空、能源、石油等领域中也具有十分广阔的应用前景。

多孔氧化铝陶瓷制备方法

多孔氧化铝陶瓷的制备工艺主要有添加造孔剂法、有机泡沫浸渍法、发泡法、颗粒堆积工艺、冷冻干燥法和凝胶注模法。

1.添加造孔剂法:在氧化铝陶瓷生坯制备过程中加入固态造孔剂,然后通过烧结去除造孔剂留下气孔。添加造孔剂法制备多孔氧化铝陶瓷的关键在于造孔剂的种类和数量,其次是造孔剂粒径大小。

多孔氧化铝陶瓷制备方法

2.有机泡沫浸渍法

 有机泡沫浸渍法是一种利用网络结构的有机泡沫浸渍陶瓷浆料,然后通过高温烧结去除有机载体,从而获得具有开孔三维网状多孔陶瓷的方法,

有机泡沫浸渍法优点是:工艺简单、操作方便、成本低廉,通过选择不同种类的有机泡沫可以调节多孔材料的微观结构和形貌。常用的有机泡沫包括聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚亚胺酯、海绵和乳胶。

3.发泡法

发泡法是一种通过向氧化铝陶瓷浆料中加入起泡剂,或者通过快速搅拌将气体引入到陶瓷坯体,然后再经过烧结获得多孔氧化铝陶瓷材料的方法。

发泡法优点是:工艺较为简单、成本也很低;缺点是:气体的产生不能精确控制,孔径大小不均匀,气孔密度无法控制。

多孔氧化铝陶瓷制备方法

4.颗粒堆积工艺

颗粒堆积工艺利用小颗粒易于烧结,在高温下产生液相的特点,使氧化铝颗粒连接起来制备多孔陶瓷。在该工艺中,对于孔径尺寸的控制可以通过选择不同粒径的颗粒来实现,所得多孔氧化铝陶瓷中孔径大小与颗粒粒径成正比,氧化铝颗粒粒径越大,形成的孔径就越大;颗粒越均匀,产生的气孔分布越均匀。

5.冷冻干燥法

冷冻干燥法是一种将氧化铝陶瓷浆料冷冻,然后通过降压使溶剂从固相直接升华成气相,从而获得多孔结构的方法。

冷冻干燥法优点是:以水为造孔剂,引入的添加剂较少,对环境不会造成任何污染,材料的孔隙率可以通过改变浆料的固含量进行调整,是一种绿色环保的工艺,可用于高定向、高气孔率多孔材料的制备。

6.凝胶注模成型工艺

凝胶注模成型工艺在有机单体和交联剂的混合溶液中加入氧化铝陶瓷粉体制备悬浮液,然后加入引发剂和催化剂,通过有机单体的聚合和交联反应使悬浮液固化成型,所得多孔氧化铝坯体结构均匀、强度高,可进行一定的机械加工,随后进行烧结制备得到多孔氧化铝陶瓷。

多孔氧化铝陶瓷制备方法

凝胶注模成型技术优点是可用于制备形状复杂的多孔氧化铝陶瓷;缺点是:丙烯酰胺具有较强的神经毒性,限制了其更广泛的应用,因此寻找低毒乃至无毒的交联凝胶体系成为凝胶注模成型工艺的主要研究方向之一。

陶瓷靶材的种类制备方法及特性要求介绍-超高纯度溅射靶材

上海金畔生物科技有限公司可提供各类化合物陶瓷靶材和镀膜材料,产品包含氧化物、氟化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硅化物、硒化物、碲化物、磷化物以及各类混合掺杂物,纯度99.5%-99.999%,适合磁控溅射镀、热蒸镀、电子束蒸镀,产品广泛应用于各类半导体行业、太阳能光伏光热行业、建筑、装饰、汽车、平面显示、LCDLED、集成电路,元器件、磁记录、装饰、工具镀膜、航空航天、军工、科研等领域。

靶材是制备薄膜的主要材料之一,主要应用于集成电路、平板显示、太阳能电池、记录媒体、智能玻璃等,对材料纯度和稳定性要求高。陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料,已得到空前的发展,靶材市场规模日益膨胀。

陶瓷靶材的种类:

    (1)按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等。

    (2)按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等。其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已广泛生产应用。高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景。

陶瓷靶材的种类制备方法及特性要求介绍-超高纯度溅射靶材

溅射陶瓷靶材的制备方法:常用的成型方法有干压成型、冷等静压成型等。冷等静压成型由于具有坯体密度高而且均匀,磨具制作方便,成本较低等优点,故而成为常用的成型方法。陶瓷靶材的烧结常采用常压烧结、热压烧结及气氛烧结等方法。

 陶瓷靶材的特性要求:

    (1)纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好。

(2)密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密实,溅射颗粒的密度月底,放电现场就越弱,薄膜的性能也越好。

    (3)成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤特在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好。

陶瓷靶材的种类制备方法及特性要求介绍-超高纯度溅射靶材

上海金畔生物科技有限公司可根据客户要求定制各种金属靶材,多种形态(平面靶、多弧靶、旋转靶及其它异形靶材),纯度,包装从克至吨级的高纯金属单质。

以下是客户经常购买的陶瓷溅射靶材产品目录

硫化镉(CdS)陶瓷溅射靶材

硫化铁(FeS)陶瓷溅射靶材

硫化锰(MnS)陶瓷溅射靶材

硫化钽(TaS)陶瓷溅射靶材

硫化镁(MgS)陶瓷溅射靶材

硫化铜(CuS)陶瓷溅射靶材

硫化铅(PbS)陶瓷溅射靶材

硫化铌(NbS)陶瓷溅射靶材

硫化钨(WS2)陶瓷溅射靶材

硫化锑(Sb2S3)陶瓷溅射靶材

硫化铈(Ce2S3)陶瓷溅射靶材

硫化钼(MoS2)陶瓷溅射靶材

硫化铟(In2S3)陶瓷溅射靶材

硫化锌(ZnS)陶瓷溅射靶材

氧化铝(Al2O3)陶瓷溅射靶材

四氧化三铁Fe3O4陶瓷溅射靶材

镍酸镧(LaNiO3)陶瓷溅射靶材

氧化钪(Sc2O3)陶瓷溅射靶材

氧化锌铝(AZO)陶瓷溅射靶材

氧化锡氟(FTO)陶瓷溅射靶材

铁酸镧(LaFeO3)陶瓷溅射靶材

钛酸锶(SrTiO3)陶瓷溅射靶材

氧化锡锑(ATO)陶瓷溅射靶材

氧化镓(Ga2O3)陶瓷溅射靶材

锰酸镧(LaMnO3)陶瓷溅射靶材

钌酸锶(SrRuO3)陶瓷溅射靶材

氧化铋(Bi2O3)陶瓷溅射靶材

氧化镓锌(GZO)陶瓷溅射靶材

氧化镁(MgO)陶瓷溅射靶材

锰酸锶(SrMnO3)陶瓷溅射靶材

钛酸铋(BiTiO3)陶瓷溅射靶材

氧化钆(Gd2O3)陶瓷溅射靶材

氧化钼(MoO3)陶瓷溅射靶材

二氧化钛(TiO2)陶瓷溅射靶材

钛酸钡(BaTiO3)陶瓷溅射靶材

二氧化铪(HfO2)陶瓷溅射靶材

氧化铌(Nb2Ox)陶瓷溅射靶材

五氧化三钛Ti3O5陶瓷溅射靶材

氧化铈(CeO2)陶瓷溅射靶材

氧化钬(Ho2O3)陶瓷溅射靶材

氧化镍(NiO)陶瓷溅射靶材

氧化钽(Ta2O5)陶瓷溅射靶材