超薄、生物可降解的载药聚合物镀膜-静电纺丝PLGA/PCL复合纳米纤维

超薄、生物可降解的载药聚合物镀膜-静电纺丝PLGA/PCL复合纳米纤维

上海金畔生物设计一种超薄、生物可降解的载药聚合物镀膜,以预期的速率释放多种抗生素。

超薄、生物可降解的载药聚合物镀膜-静电纺丝PLGA/PCL复合纳米纤维

钛克氏针的静电纺丝PLGA/PCL复合纳米纤维镀膜过程。(B)钛克氏针显微图像:未镀膜之前、电喷射后、退火处理后。(C)不同比例PLGA/PCL复合纳米纤维镀膜克氏针表面扫描电子显微(SEM)图像。(D)加载两种抗生素后的纳米纤维荧光图像。

 

研究者通过静电纺丝技术在钛克氏针(Kirschner wires)植入体表面进行两种生物兼容、生物可降解聚合物——聚乳酸聚乙醇酸共聚物(PLGA)和聚己内酯(PCL——纳米纤维镀膜,最终形成PCL薄膜中包埋PLGA纳米纤维的镀膜。其中,PLGA纳米纤维中能够加载多种抗生素药物,并通过调控PLGAPCL聚合物比例来调控抗生素释放速率。

相比于其他的镀膜技术,该新型载药纳米纤维镀膜能够以可控速率释放多种(两种以上)抗生素。

聚乳酸-羟基乙酸共聚物纤维膜 纤维直径500-2000nm

PLGA纳米纤维膜

PLGA聚乳酸-羟基乙酸共聚物电纺纤维膜

生物可降解聚合物PLGA纤维膜

聚乳酸-羟基乙酸共聚物PLGA静电纺丝纤维薄膜

聚乳酸-羟基乙酸共聚物静电纺丝纤维膜

聚乳酸-羟基乙酸共聚物PLGA纳米纤维膜

多孔PLGA纳米纤维薄膜-孔径20um

多孔聚乳酸-羟基乙酸共聚物纳米纤维薄膜-静电纺丝技术

纤维状结构多孔聚乳酸-羟基乙酸共聚物纳米膜

多孔组织支架PLGA纤维膜

静电纺丝聚乳酸-羟基乙酸共聚物PLGA纤维薄膜-片状

不同纤维直径聚乳酸-羟基乙酸共聚物纳米纤维膜

介孔PLGA静电纺丝纤维薄膜-

多孔聚乳酸-羟基乙酸共聚物纤维薄膜

介孔PLGA纤维薄膜

不同取向度纤维状PLGA聚乳酸-羟基乙酸共聚物薄膜

PLGA聚乳酸-羟基乙酸共聚物纤维膜-纤维直径500nm

聚乳酸-羟基乙酸共聚物电纺纤维薄膜-厚度200um

PLGA电纺纤维膜-孔径30um

聚乳酸-羟基乙酸共聚物静电纺丝纤维薄膜-孔隙率(80%)

合金靶材的概述,溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld是什么?

对溅射类镀膜,可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且终沉积在基片表面,经历成膜过程,终形成薄膜。溅射镀膜又分为很多种,总体看,与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。 

溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld,组分均匀性容易保持,而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射),晶向(外沿)生长的控制也比较一般。

以pld为例,因素主要有:靶材与基片的晶格匹配程度  镀膜氛围(低压气体氛围)  基片温度  激光器功率  脉冲频率  溅射时间  对于不同的溅射材料和基片,佳参数需要实验确定,是各不相同的,镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温,能否保证好的真空度,能否保证好的真空腔清洁度。

合金靶材的概述,溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld是什么?

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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

各种常用超高纯溅射靶材-PVD镀膜材料

上海金畔生物科技有限公司供应各种高纯材料、镀膜材料、溅射靶材、功能材料,以坚强的技术为基础,我公司开发了多个系列的新材料,这些产品已在航空航天、军工、信息电子、真空镀膜、冶金、功能材料、生物医药、新能源等行业获得广泛应用。目前拥有镀膜材料、溅射靶材、高纯材料、高纯合金等多条生产线,生产设备 ,工艺完善。

PVD(Physical Vapor Deposition)技术是制备薄膜材料的主要技术之一,在真空条件下采用物理方法,将某种材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基板材料表面沉积具有增透、反射、保护导电、导磁、绝缘、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、装饰等特殊功能的薄膜材料的技术。用于制备薄膜材料的物质被称为 PVD镀膜材料。溅射镀膜和真空蒸发镀膜是最主流的两种 PVD 镀膜方式。

溅射靶材具有高纯度、高密度、多组元、晶粒均匀等特点,一般由靶坯和背板组成。靶坯属于溅射靶材的核心部分,是高速离子束流轰击的目标材料。靶坯被离子撞击后,其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。由于高纯度金属强度较低,因此溅射靶材需要在高电压、高真空的机台环境内完成溅射过程。超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合,背板起到主要起到固定溅射靶材的作用,且需要具备良好的导电、导热性能。

各种常用超高纯溅射靶材-PVD镀膜材料

按使用的原材料材质不同,溅射靶材可分为金属/非金属单质靶材、合金靶材、化合物靶材等。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制,可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜,所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点,已成为制备薄膜材料的主要技术之一,各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用,因此,对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加,溅射靶材亦已成为目前市场应用量最大的 PVD 镀膜材料。

各种常用超高纯溅射靶材-PVD镀膜材料

超高纯金属及溅射靶材是电子材料的重要组成部分,溅射靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节,其中,靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。

以下是客户经常购买的金属溅射靶材产品目录

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CAS 1313-99-1 氧化镍陶瓷靶靶材 

CAS 10097-28-6 一氧化硅陶瓷靶材 

CAS 7631-86-9 二氧化硅陶瓷靶材 

CAS 1306-38-3氧化铈陶瓷靶材 

CAS 1333-82-0氧化铬陶瓷靶材 

CAS 1312-43-2氧化铟陶瓷靶材

CAS 18282-10-5氧化锡陶瓷靶材 

CAS 1309-48-4氧化镁陶瓷靶材 

CAS 13463-67-7氧化钛陶瓷靶材 

CAS 1313-96-8氧化铌陶瓷靶材 

CAS 1314-61-0氧化钽陶瓷靶材 

CAS 12060-58-1氧化钐陶瓷靶材 

CAS 12024-21-4氧化镓陶瓷靶材

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CAS 1314-36-9氧化钇陶瓷靶材 

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CAS 1314-13-2 AZO陶瓷靶材 

CAS 1312-43-2 ITO陶瓷靶材 

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CAS 409-21-2碳化硅陶瓷靶材 

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CAS 12033-62-4氮化钽陶瓷靶材 

CAS 10043-11-5氮化硼陶瓷靶材 

CAS 13760-80-0氟化镝陶瓷靶材

CAS 7783-40-6氟化镁陶瓷靶材

CAS 1317-40-4硫化铜陶瓷靶材 

CAS 1314-90-0硫化锡陶瓷靶材 

CAS 1314-98-3硫化锌陶瓷靶材 

CAS 2158-89-3铜锌锡硫陶瓷靶材 

CAS 12138-09-9硫化钨陶瓷靶材 

CAS 1317-33-5硫化钼陶瓷靶材 

CAS 1345-04-6硫化锑陶瓷靶材 

CAS 1317-37-9硫化铁陶瓷靶材 

CAS 12008-21-8 六硼化镧陶瓷靶材 

CAS12007-25-9二硼化镁陶瓷靶材 

CAS12063-56-8钇铁石榴石陶瓷靶材

CAS12060-00-3钛酸铅陶瓷靶材 

CAS12060-01-4 锆酸铅陶瓷靶材 

CAS12060-59-2钛酸锶陶瓷靶材 

CAS12047-27-7钛酸钡陶瓷靶材 

CAS12190-79-3钴酸锂陶瓷靶材 

CAS 12057-17-9锰酸锂陶瓷靶材 

CAS 15365-14-7磷酸铁锂陶瓷靶材 

CAS 10377-52-3磷酸锂陶瓷靶材 

CAS 12031-12-8锰酸镧陶瓷靶材 

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