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光电材料|碳硫双孔耦合增强金红石SnO2的光电性能

发表于由

首先对纯SnO2和(C, S)共掺杂SnO2的几何特性和电子结构进行理论计算，然后进行实验测量。通过x射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对(C, S)共掺杂的SnO2进行了表征。并对制备的纯SnO2电极和(C, S)共掺杂SnO2电极的光电性能进行了研究。理论计算结果表明，碳原子和硫原子之间通过晶格畸变产生强烈的相互作用。在价带顶部引入完全填充的能级，有效地降低了带隙值，抑制了带电缺陷。从而提高了SnO2的光电性能。此外，实验结果表明，所有样品均为金红石相，掺杂碳和硫通过取代氧进入SnO2晶体。5%共掺杂样品具有最均匀的球形和分散性，光电流值最大(6.8 μA/cm2)，电化学阻抗最小。理论计算和实验结果表明，(C, S)共掺杂SnO2具有优异的光电性能。双孔辅助耦合的掺杂方法有助于高活性氧化锡基光电材料的设计，也为其他同类材料的修饰铺平了道路。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

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发表于由

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球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

发表于由

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

纳米级SnO2对H2、C2H2等气体有着较高的灵敏度、选择性和稳定性。SnO2纳米材料受量子尺寸效应和表面效应等的影响, 其光学性质的研究倍受关注。用不同方法制备的SnO2纳米材料, 其荧光发射峰有所不同。材料的物化性质(如光学、磁学、电学等)与其表面形貌、维度、颗粒尺寸及表面缺陷等密切相关,低维纳米材料的物化性能被期望得到提高或展现出全新的性质。目前, 水热法、共沉淀法、溶胶–凝胶法等湿化学方法被广泛用来合成各种金属氧化物纳米粉体,但是用大多数方法制备的纳米粉体粘连团聚且分布不均匀。

纳米SnO2的结构

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

纯SnO2属于四方晶系，金红石结构。单位晶胞有6个原子，其中2个Sn原子，4个O原子，每个Sn原子位于6个O原子组成的近似八面体的中心，而每个 O原子也位于3个Sn原子组成的等边三角形的中心，形成6：3的配位结构。

基本参数

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

铜粉 50nm/80nm/300nm/500nm /1um/2-5um/300目

片状铜粉片径 10um

锌粉 100nm/1um /5um/1500目

银粉 50nm/500nm/1um

片状银粉1-3

铁粉 50nm/500nm/1um/300 目

钴粉100nm/1um/10um/20um/30um/35um

镍粉50nm/80nm/300nm/500nm/600nm

球形镍粉1um

近球形1um

片状镍粉片径 10um 以下

钨粉80nm/200nm/1um/5um/10um/20um/30um/35um

球形钨粉45um

钼粉60nm/1um/5um

镁粉5um/20um/300 目

钛粉80nm/1um/5um/300 目

球形钛粉45um

氢化钛1um/5um

钽粉50nm/300 目

铌粉80nm/300 目

锡粉100nm/5-7um/300 目

铋粉100nm/1um/30um

锆粉1-3um/300 目

氢化锆1um/5um

铪粉2-5um/1um/5um/300 目

锰粉1um/5um/10um/20um/300目

铅粉300 目/50nm

氧化硅20nm/1um/10um/20um/45um/75um/

氧化锌20nm/50nm/1um

氧化铜50nm/1um/500 目

金红石-二氧化钛20nm/1um

锐钛-二氧化钛5nm/1um

a-三氧化二铁 50nm/300 目

y-三氧化二铁30nm

三氧化二铁5um/10um

四氧化三铁20nm/5um/10um

氧化镍20nm/5um/500 目

以上内容来自金畔

丙烯酸(亚克力/压克力)真空干燥箱SNO-TAP型日本三博特sanplatec

发表于由

上海金畔生物科技有限公司代理日本三博特sanplatec全线产品，欢迎访问官网了解更多产品信息。

产品名称：
丙烯酸(亚克力/压克力)真空干燥箱SNO-TAP型
产品编号： WEB4713
价格： 会员价：0元；市场价：18000元
产品特点：
全透明
产品规格：

.外部尺寸（mm）：320W×255D×470H 

 内部有效尺寸（mm）：240W×152D×260H
材料：

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丙烯酸(亚克力/压克力)真空干燥箱SNO-TAP型丙烯酸(亚克力/压克力)真空干燥箱SNO-TAP型产品特征： .特点：
用于样品保管， 感应器， 光学仪器， 量表等各种零件保管， 管理等的紧
凑设计的真空干燥箱。本公司还能为您提供较小尺寸的干燥箱， 如有需要
请咨询本公司。  丙烯酸(亚克力/压克力)真空干燥箱SNO-TAP型

真空脱泡机SNO-VS型（整体规格（mm）：320W×263D×470H）日本三博特sanplatec

发表于由

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产品名称：
真空脱泡机SNO-VS型（整体规格（mm）：320W×263D×470H）
产品编号： WEB0395
价格： 会员价：0元；市场价：0元
产品特点：
搅拌、脱泡状况一目了然。
产品规格：
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材料：

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产品编号： WEB0390
价格： 会员价：0元；市场价：14000元
产品特点：
全透明
产品规格：

.外部尺寸（mm）：320W×223D×470H

内部有效尺寸（mm）：240W×180D×260H
材料：

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光电材料|mg辅助S-O耦合增强金红石SnO2的光电性能

发表于由

通过密度泛函理论(DFT)计算，探讨了(Mg, S)共掺杂金红石SnO2的电子结构和导电机理。


结果表明，在SnO2中，受主金属Mg辅助S与邻近的O的耦合，为SnO2的禁带引入了新的能级，从而改善了SnO2的光电性能。基于这一结果，我们提出了一种将DFT计算与实验相结合的综合策略来研究水热法制备的(Mg, S)共掺杂SnO2的光电性能。


采用导电玻璃(FTO)制备(Mg, S)共掺杂二氧化锡电极。扫描电镜、x射线衍射、x射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱结果证实，SnO2细胞中存在Mg和S元素的掺入。


此外，光电性能测试表明(Mg, S)共掺杂可以提高光电性能。


当共掺杂比例为5%时，光电流最大(0.50 μA/cm2)，阻抗最小。


因此，(Mg, S)共掺杂的SnO2是光电催化的有力候选材料。

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通过密度泛函理论(DFT)计算，探讨了(Mg, S)共掺杂金红石SnO2的电子结构和导电机理。


结果表明，在SnO2中，受主金属Mg辅助S与邻近的O的耦合，为SnO2的禁带引入了新的能级，从而改善了SnO2的光电性能。基于这一结果，我们提出了一种将DFT计算与实验相结合的综合策略来研究水热法制备的(Mg, S)共掺杂SnO2的光电性能。


采用导电玻璃(FTO)制备(Mg, S)共掺杂二氧化锡电极。扫描电镜、x射线衍射、x射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱结果证实，SnO2细胞中存在Mg和S元素的掺入。


此外，光电性能测试表明(Mg, S)共掺杂可以提高光电性能。


当共掺杂比例为5%时，光电流最大(0.50 μA/cm2)，阻抗最小。


因此，(Mg, S)共掺杂的SnO2是光电催化的有力候选材料。

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光电材料|Sb和N调制电荷补偿效应增强金红石SnO2的光电性能

发表于由

用第一性原理计算研究了Sb-N共掺杂SnO2的电子结构。结果表明，Sb(施主)和N(受体)在SnO2的能带中引入了新的能级，使SnO2的能带隙明显减小。


此外，由于Sb和n的电荷补偿作用，提高了系统的载流子分离率，从而提高了SnO2的光电性能。根据理论计算结果，采用水热法制备了本征态和不同比例的Sb-N共掺杂SnO2。


采用x射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对样品进行了表征。对所制备的本征电极和Sb-N共掺杂SnO2电极的光电性能进行了研究。


结果表明，样品均为金红石相，掺杂剂Sb和N取代Sn和o进入SnO2晶格，5%共掺杂样品具有均匀的球形和分散性。光电性能测试表明，Sb-N共掺杂增强了SnO2的光电性能。


当掺杂比例为5%时，光电流值达到最大值(9 μA/cm2)，电化学阻抗最小。理论计算和实验结果表明，Sb-N共掺杂SnO2具有优异的光电性能。

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光电材料|Sb和N调制电荷补偿效应增强金红石SnO2的光电性能

发表于由

用第一性原理计算研究了Sb-N共掺杂SnO2的电子结构。结果表明，Sb(施主)和N(受体)在SnO2的能带中引入了新的能级，使SnO2的能带隙明显减小。


此外，由于Sb和n的电荷补偿作用，提高了系统的载流子分离率，从而提高了SnO2的光电性能。根据理论计算结果，采用水热法制备了本征态和不同比例的Sb-N共掺杂SnO2。


采用x射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对样品进行了表征。对所制备的本征电极和Sb-N共掺杂SnO2电极的光电性能进行了研究。


结果表明，样品均为金红石相，掺杂剂Sb和N取代Sn和o进入SnO2晶格，5%共掺杂样品具有均匀的球形和分散性。光电性能测试表明，Sb-N共掺杂增强了SnO2的光电性能。


当掺杂比例为5%时，光电流值达到最大值(9 μA/cm2)，电化学阻抗最小。理论计算和实验结果表明，Sb-N共掺杂SnO2具有优异的光电性能。

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