球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

纳米级SnO2H2C2H2等气体有着较高的灵敏度、选择性和稳定性。SnO2纳米材料受量子尺寸效应和表面效应等的影响, 其光学性质的研究倍受关注。用不同方法制备的SnO2纳米材料, 其荧光发射峰有所不同。材料的物化性质(如光学、磁学、电学等)与其表面形貌、维度、颗粒尺寸及表面缺陷等密切相关,低维纳米材料的物化性能被期望得到提高或展现出全新的性质。目前, 水热法、共沉淀法、溶胶–凝胶法等湿化学方法被广泛用来合成各种金属氧化物纳米粉体,但是用大多数方法制备的纳米粉体粘连团聚且分布不均匀。

纳米SnO2的结构

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

SnO2属于四方晶系,金红石结构。单位晶胞有6个原子,其中2Sn原子,4O原子,每个Sn原子位于6O原子组成的近似八面体的中心,而每个 O原子也位于3Sn原子组成的等边三角形的中心,形成63的配位结构。

基本参数

球型纳米二氧化锡SNO2粉末 30-50nm粒径可调

铜粉 50nm/80nm/300nm/500nm /1um/2-5um/300目

片状铜粉片径 10um

锌粉 100nm/1um /5um/1500目

银粉 50nm/500nm/1um

片状银粉1-3

铁粉 50nm/500nm/1um/300 目

钴粉100nm/1um/10um/20um/30um/35um

镍粉50nm/80nm/300nm/500nm/600nm

球形镍粉1um

近球形1um

片状镍粉片径 10um 以下

钨粉80nm/200nm/1um/5um/10um/20um/30um/35um

球形钨粉45um

钼粉60nm/1um/5um

镁粉5um/20um/300 目

钛粉80nm/1um/5um/300 目

球形钛粉45um

氢化钛1um/5um

钽粉50nm/300 目

铌粉80nm/300 目

锡粉100nm/5-7um/300 目

铋粉100nm/1um/30um

锆粉1-3um/300 目

氢化锆1um/5um

铪粉2-5um/1um/5um/300 目

锰粉1um/5um/10um/20um/300目

铅粉300 目/50nm

氧化硅20nm/1um/10um/20um/45um/75um/

氧化锌20nm/50nm/1um

氧化铜50nm/1um/500 目

金红石-二氧化钛20nm/1um

锐钛-二氧化钛5nm/1um

a-三氧化二铁 50nm/300 目

y-三氧化二铁30nm

三氧化二铁5um/10um

四氧化三铁20nm/5um/10um

氧化镍20nm/5um/500 目

以上内容来自金畔

图文教你如何解析红外光谱图?

(1)根据分子式计算不饱和度公式:不饱和度 Ω=n4+1+(n3-n1)/2 其中:n4:化合价为4价的原子个数(主要是C原子), n3:化合价为3价的原子个数(主要是N原子), n1:化合价为1价的原子个数(主要是H,X原子)

(2)分析3300~2800cm-1区域C-H伸缩振动吸收;以3000 cm-1为界:高于3000cm-1为不饱和碳C-H伸缩振动吸收,有可能为烯,炔,芳香化合物;而低于3000cm-1一般为饱和C-H伸缩振动吸收;

(3)若在稍高于3000cm-1有吸收,则应在 2250~1450cm-1频区,分析不饱和碳碳键的伸缩振动吸收特征峰,其中炔:2200~2100 cm-1, 烯:1680~1640 cm-1 芳环:1600,1580,1500,1450 cm-1若已确定为烯或芳香化合物,则应进一步解析指纹区,即1000~650cm-1的频区,以确定取代基个数和位置(顺、反,邻、间、对);

(4)碳骨架类型确定后,再依据官能团特征吸收,判定化合物的官能团;

(5)解析时应注意把描述各官能团的相关峰联系起来,以准确判定官能团的存在,如2820,2720和1750~1700cm-1的三个峰,说明醛基的存在。

熟记健值

1.烷烃:C-H伸缩振动(3000-2850cm-1)C-H弯曲振动(1465-1340cm-1) 一般饱和烃C-H伸缩均在3000cm-1以下,接近3000cm-1的频率吸收。

2.烯烃:烯烃C-H伸缩(3100~3010cm-1),C=C伸缩(1675~1640 cm-1),烯烃C-H面外弯曲振动(1000~675cm-1)。

3.炔烃:炔烃C-H伸缩振动(3300cm-1附近),三键伸缩振动(2250~2100cm-1)。

4.芳烃:芳环上C-H伸缩振动3100~3000cm-1, C=C 骨架振动1600~1450cm-1, C-H面外弯曲振动880~680cm-1。

芳烃重要特征:在1600,1580,1500和1450cm-1可能出现强度不等的4个峰。C-H面外弯曲振动吸收880~680cm-1,依苯环上取代基个数和位置不同而发生变化,在芳香化合物红外谱图分析中,常用判别异构体。

5.醇和酚:主要特征吸收是O-H和C-O的伸缩振动吸收, 自由羟基O-H的伸缩振动:3650~3600cm-1,为尖锐的吸收峰, 分子间氢键O-H伸缩振动:3500~3200cm-1,为宽的吸收峰; C-O 伸缩振动:1300~1000cm-1,O-H 面外弯曲:769-659cm-1

6.醚特征吸收:1300~1000cm-1 的伸缩振动, 脂肪醚:1150~1060cm-1 一个强的吸收峰 芳香醚:1270~1230cm-1(为Ar-O伸缩),1050~1000cm-1(为R-O伸缩)

7.醛和酮:醛的特征吸收:1750~1700cm-1(C=O伸缩),2820,2720cm-1(醛基C-H伸缩) 脂肪酮:1715cm-1,强的C=O伸缩振动吸收,如果羰基与烯键或芳环共轭会使吸收频率降低

8.羧酸:羧酸二聚体:3300~2500cm-1 宽而强的O-H伸缩吸收 1720~1706cm-1 C=O伸缩吸收 1320~1210cm-1 C-O伸缩吸收 , 920cm-1 成键的O-H键的面外弯曲振动

9.:饱和脂肪酸酯(除甲酸酯外)的C=O 吸收谱带:1750~1735cm-1区域 饱和酯C-O谱带:1210~1163cm-1 区域为强吸收

10.:N-H 伸缩振动吸收3500~3100 cm-1;C-N 伸缩振动吸收1350~1000 cm-1; N-H变形振动相当于CH2的剪式振动吸收:1640~1560cm-1;面外弯曲振动吸收900~650cm-1.

11.:三键伸缩振动区域,有弱到中等的吸收 脂肪族腈 2260-2240cm-1 芳香族腈 2240-2222cm-1

12.酰胺:3500-3100cm-1 N-H伸缩振动

1680-1630cm-1 C=O 伸缩振动

1655-1590cm-1 N-H弯曲振动

1420-1400cm-1 C-N伸缩

13.有机卤化物:脂肪族C-X 伸缩: C-F 1400-730 cm-1,C-Cl 850-550 cm-1 ,C-Br 690-515 cm-1,C-I 600-500 cm-1

红外识谱歌

红外可分远中近,中红特征指纹区,1300来分界,注意横轴划分异。看图要知红外仪,弄清物态固液气。样品来源制样法,物化性能多联系。

识图先学饱和烃,三千以下看峰形。

2960、2870是甲基,2930、2850亚甲峰。1470碳氢弯,1380甲基显。二个甲基同一碳,1380分二半。面内摇摆720,长链亚甲亦可辨。

烯氢伸展过三千,排除倍频和卤烃。末端烯烃此峰强,只有一氢不明显。化合物,又键偏,~1650会出现。

烯氢面外易变形,1000以下有强峰。910端基氢,再有一氢990。

顺式二氢690,反式移至970; 单氢出峰820,干扰顺式难确定。

炔氢伸展三千三,峰强峰形大而尖。三键伸展二千二,炔氢摇摆六百八。

芳烃呼吸很特别,1600~1430,1650~2000,取代方式区分明。900~650,面外弯曲定芳氢。五氢吸收有两峰,700和750; 四氢只有750,二氢相邻830;间二取代出三峰,700、780,880处孤立氢 醇酚羟基易缔合,三千三处有强峰。C-O伸展吸收大,伯仲叔基易区别。1050伯醇显,1100乃是仲,1150叔醇在,1230才是酚。

1110醚链伸,注意排除酯酸醇。若与π键紧相连,二个吸收要看准, 1050对称峰,1250反对称。苯环若有甲氧基,碳氢伸展2820。次甲基二氧连苯环,930处有强峰,环氧乙烷有三峰,1260环振动, 九百上下反对称,八百左右最特征。缩醛酮,特殊醚,1110非缩酮。酸酐也有C-O键,开链环酐有区别,开链峰宽一千一,环酐移至1250。

羰基伸展一千七,2720定醛基。吸电效应波数高,共轭则向低频移。张力促使振动快,环外双键可类比。

二千五到三千三,羧酸氢键峰形宽,920,钝峰显,羧基可定二聚酸,酸酐千八来偶合,双峰60严相隔,链状酸酐高频强,环状酸酐高频弱。羧酸盐,偶合生,羰基伸缩出双峰,1600反对称,1400对称峰。

1740酯羰基,何酸可看碳氧展。1180甲酸酯,1190是丙酸, 1220乙酸酯,1250芳香酸。1600兔耳峰,常为邻苯二甲酸。

氮氢伸展三千四,每氢一峰很分明。羰基伸展酰胺I,1660有强峰; N-H变形酰胺II,1600分伯仲。伯胺频高易重叠,仲酰固态1550; 碳氮伸展酰胺III,1400强峰显。

胺尖常有干扰见,N-H伸展三千三, 叔胺无峰仲胺单,伯胺双峰小而尖。1600碳氢弯,芳香仲胺千五偏。八百左右面内摇,确定最好变成盐。伸展弯曲互靠近,伯胺盐三千强峰宽, 仲胺盐、叔胺盐,2700上下可分辨,亚胺盐,更可怜,2000左右才可见。

硝基伸缩吸收大,相连基团可弄清。1350、1500,分为对称反对称。氨基酸,成内盐,3100~2100峰形宽。1600、1400酸根展,1630、1510碳氢弯。盐酸盐,羧基显,钠盐蛋白三千三。

矿物组成杂而乱,振动光谱远红端。铵盐类,较简单,吸收峰,少而宽。注意羟基水和铵,先记几种普通盐:1100是硫酸根,1380硝酸盐, 1450碳酸根,一千左右看磷酸。硅酸盐,一宽峰,1000真壮观。

二维原子晶体材料及应用

二维原子晶体材料及应用

  二维原子晶体在电学、热学、力学、化学及光学方面具有优异的特性,可广泛用于电子、显示、催化、储能、生物医学、复合材料等领域,其代表性材料石墨烯获得了极大关注。近年来,不断有新的二维材料被发现并得到深入研究,其中包括磷烯、硅烯、锗烯、铪烯、锡烯,氮化硼、二硫化钼、硒化铟、氧化钛以及过渡金属碳()化物等。二维原子晶体可相互堆叠,人工调控组成,制备呈现新性质的材料。二维材料范德华异质结构在器件设计与应用方面潜力巨大,已成为当前的研究热点。未来,通过深入研究二维原子晶体在原子尺度的工作原理,将不同性质的二维材料组合,既可为研发先进的微纳柔性可穿戴器件奠定基础,同时也为设计后摩尔时代集成电路与制备新型功能器件开辟新的途径。

  二维原子晶体是一种原子尺度的层状晶体材料,其面内存在强有力的化学键。但在很长一段时间内,学术界普遍认为根据Lhaidau-Peierls理论,二维原子晶体材料中热涨落不均匀分布将导致原子位移大于其间距,无法在常温下稳定存在。利用胶带在高定向热解石墨上反复剥离,获得单层石墨片并由此掀起了石墨烯研究的热潮。我国石墨烯申请数量已达一万六千多件,占全球总数的62%,但国际布局较为薄弱,在其他国家的占比仅为2.3%。目前,制备石墨烯依然是国内外研究的一个重要方向,图1介绍了常用的制备方法。此外,还有人研究利用电弧法、切割碳纳米管法、气相等离子体生长技术、静电沉积法、原位自生模板法制备石墨烯。以石墨烯为代表的二维材料因可能引发一系列颠覆性的技术变革而备受全球关注。

二维原子晶体材料及应用

  二维原子晶体材料与对应的体材料有不同的电学、光学和力学性质,其表面/体积比会显著影响化学活性和机械性能,在信息、能源、医学等众多领域具有广阔的应用前景。近年来,一直不断有新型二维原子晶体材料被发现并得到深入研究,包括磷烯(phosphorene)、硅烯(silicene)、锗烯(germhaiene)、铪烯(hafnene)、锡烯(sthaiene),氮化硼(h-BN),二硫化钼(MoS2)、硒化铟(InSe)、氧化钛(Ti0.87O2),以及过渡金属碳()化物MXene(其中M代表TiTaCr等前过渡金属,X代表碳或者氮)等。

  石墨炔 (graphdiyne)二维原子晶体有序度较高,层间距为0.365 nm。研究人员测定了厚度为22nm的石墨炔薄膜的迁移率可达100~500cm2V-1s-1。目前,石墨炔制备工艺仍需优化,离实际应用尚有较长的路要走。

  二维原子晶体材料堆叠成范德华异质结构在器件设计与应用方面具有巨大潜力,已成为近期的研究热点(见图2)。具有不同电学及光学性质的二维原子晶体材料相互堆叠,其相邻层间不再受晶格匹配的限制,没有成分过渡,能形成原子级陡峭的异质结。因此,可人工调控组成,制备呈现新性质的材料。

二维原子晶体材料及应用

  目前,研究人员通过转移或者CVD生长的方式已成功研制出石墨烯/氮化硼、石墨烯/过渡金属硫化物、过渡金属硫化物/过渡金属硫化物等原子晶体的异质结构。曼彻斯特大学的研究人员还另辟蹊径,采用水作为主要溶剂制备了稳定、高浓度的水基墨水,并喷墨打印了各类二维材料异质结。他们在塑料或纸上大面积打印了石墨烯/WS2/石墨烯光探测器阵列和只读存储器。此外,h-BN可作为无缺陷的隧穿势垒,在石墨烯/h-BN/石墨烯的器件中,其隧穿I-V曲线呈现出非线性并能实现对势垒的调节。二维原子晶体材料范德华异质结的优势在于方便模块化组合,利用该异质结构己实现光电探测等多种功能。

  Geim团队在石墨烯中发现电子黏性流,从而拓展了二维材料高载流子迁移率机制的研究。未来,通过深入研究二维原子晶体异质结层间激发的电子结构及在原子尺度的工作原理,将不同性质的二维材料组合,既为进一步研发微纳柔性可穿戴器件奠定基础,同时也为设计后摩尔时代集成电路与制备先进的功能化器件开辟新的途径。

上海金畔生物科技有限公司是一家从事糖产品、科研试剂、多肽、石墨烯、石墨炔(graphyne)发光材料、金属配合物发光材料、光电材料、MAX相陶瓷,碳纳米管、原料药、纳米材料、钙钛矿、脂质体、合成磷脂的研发、定制合成、生产和销售的高科技生物科技有限公司。

金畔供应相关定制产品:

基于硒化铜的新型二维原子晶体材料    

基于石墨烯的二维原子晶体材料异质结    

碳原子组成的呈蜂窝状结构的单层二维晶体材料    

基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体    

二维六角晶体材料    

锑烯二维原子晶体材料    

羟基氧化铁/二维碳化物晶体MXene负极材料    

自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料    

二维原子晶体材料SnSex    

二维碳原子晶体材料    

二维晶体材料二硒化钨    

基于二维晶体的富勒烯超分子液晶    

二维钒基材料的晶体    

基于结晶诱导的二维纳米炭材料    

卟啉基氢键有机框架材料晶体    

高质量二维Mo2C晶体    

Bi基新型二维拓扑绝缘体材料    

KNbO3晶体二维模型    

层状五磷化锗(GeP5)晶体    

二维GeP5纳米片    

基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体    

InGaAsP/InP二维半导体光子晶体    

大尺寸六方氮化硼二维晶体的CVD生长    

介质衬底上生长h-BN二维原子晶体    

基于二维长方晶格柱状光子晶体    

高氮二维共轭结构掺杂改性硝铵炸药晶体    

二维正方晶格钢/水声子晶体    

羟甲基苯基次膦酸晶体    

二维复式晶格磁振子晶体    

基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED    

基于双极性二维晶体的新型p-n结    

二维嵌套复式晶格磁振子晶体    

基于二维半导体晶体的栅控PN结    

基于二维过渡族金属碳化物超导晶体    

硅基二维光子晶体    

结构可控的二硫化铼二维晶体    

二维碳化物晶体MXene    

二硫化钨二维原子晶体    

基于二维半导体材料的突触晶体管    

新型有机-无机复合钙钛矿晶体材料    

哌嗪导向合成微孔磷酸盐晶体材料    

二维GaN基材料CVD    

二硫化钼二维原子晶体(MoS2)    

基于SOI的二维光子晶体    

表面等离子体/二维光子晶体材料    

线性渐变结构的二维光子晶体    

二维复式晶格光子晶体    

二维石墨烯片增强芒硝基复合相变材料    

基于2-硝基咪唑镉二维CdIF材料    

玻璃基二维光子晶体    

基于单层胶体晶体的二维有序阵列    

二维嵌套复式三角晶格磁振子晶体    

铪二维原子晶体材料    

乙烯基修饰的锗化氢二维材料    

铁磁晶体Co3Sn2S2的拓扑结构    

zl 04.19

薄膜生长过程-在清洁的晶体衬底上薄膜生长的机制

蒸发、溅射和分子束外延等方法制备薄膜的过程多是成核、生长的过程。当衬底表面只吸附少量生长物原子时,这些原子是不稳定的,很容易挣脱衬底原子的吸引,离开衬底表面。只有沉积在基片上的原子在表面扩散过程中相遇并结合成原子团,然后这些原子团不断吸收新的原子加入而逐渐长人形成品核。由统计物理可以计算出临界晶核有时只需儿个原子即可组成。这些临界品核再吸收一个原子就可以稳定下来并不断长大。利用透射电镜已观察到尺寸小到1nm 的稳定品核。

稳定品核数目不断增多后,晶粒之间的原子只需扩散一个短距离就可合并到晶核上去而不易形成新的品核,此时稳定晶核(有些已长大)数达到极大伯。继续沉积使晶核不断长大成小岛,小岛相遇后发生合并,形成大岛;当沉积到一定的时间后,小岛已经人体相连只留下小量沟状的空白区。继续沉积的结果是原子会填补空白区使薄膜连成一片,形成完整的膜。在清洁的晶体衬底上薄膜生长的机制可分为三种:三维生长、二维生长和单层二维生长后三维生长,它们的示意图见图1。生长的模式依赖于许多因素,如衬底与生长原子相互作用,晶格匹配,温度、生长速度等工艺条件,等等。

薄膜生长过程-在清洁的晶体衬底上薄膜生长的机制

供应产品目录:

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三维多孔碳膜

二维氮化硼纳米薄膜

高性能钠离子薄膜

多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化锰复合薄膜

各向异性导电高分子复合薄膜

碳氮化物薄膜

微纳结构薄膜

三维阶层多孔金膜

大内径碳纳米管阵列薄膜

金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜

yyp2021.3.31

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |石墨烯类蜂窝结构硅碳材料光电性能的第一性原理分析

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法研究了类石墨烯结构SixC1−x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的结构稳定性、几何结构、电子结构、变形电荷密度、原子轨道和键居数以及光学性质。几何结构结果表明,取代硅原子诱导石墨烯平面上沿方向的结构变形,而不产生任何屈曲。内聚能计算表明,这些取代体系是绝对稳定的。纯石墨烯形成零带隙半导体,费米能附近的态密度主要由C-2p组成。当Si掺杂时,在布里渊区K点出现了直接带隙。随着Si含量的增加,带隙从0.15 eV增大到2.60 eV。费米能附近Si0.50C0.50的态密度主要由C-2p和Si-3p组成。用Si原子取代C原子后,电荷从Si原子转移到C原子,c单键dc的共价键减弱,破坏了石墨烯共价键的对称性,这对于在K点出现直接带隙非常重要。随着Si含量的增加,SixC1−x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的光学特性曲线均向高能方向移动。在所有研究的SixC1−x体系中,Si0.50C0.50的静态介电常数最低为1.60,折射率最低为1.26,吸收系数最高为6.79 × 104 cm−1。研究结果对单层碳化硅的设计和应用具有一定的理论指导意义。

更多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/20

光电材料|UDP 糖| 卟啉 |石墨烯类蜂窝结构硅碳材料光电性能的第一性原理分析

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法研究了类石墨烯结构SixC1−x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的结构稳定性、几何结构、电子结构、变形电荷密度、原子轨道和键居数以及光学性质。几何结构结果表明,取代硅原子诱导石墨烯平面上沿方向的结构变形,而不产生任何屈曲。内聚能计算表明,这些取代体系是绝对稳定的。纯石墨烯形成零带隙半导体,费米能附近的态密度主要由C-2p组成。当Si掺杂时,在布里渊区K点出现了直接带隙。随着Si含量的增加,带隙从0.15 eV增大到2.60 eV。费米能附近Si0.50C0.50的态密度主要由C-2p和Si-3p组成。用Si原子取代C原子后,电荷从Si原子转移到C原子,c单键dc的共价键减弱,破坏了石墨烯共价键的对称性,这对于在K点出现直接带隙非常重要。随着Si含量的增加,SixC1−x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的光学特性曲线均向高能方向移动。在所有研究的SixC1−x体系中,Si0.50C0.50的静态介电常数最低为1.60,折射率最低为1.26,吸收系数最高为6.79 × 104 cm−1。研究结果对单层碳化硅的设计和应用具有一定的理论指导意义。

更多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

有机发光小分子CzFPN、BrCzFPN和2CzPN,含有溴原子(BrCzCzPN,2BrCzPN))以及不含溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子

上海金畔生物供应有机发光小分子CzFPN、BrCzFPN和2CzPN,含有溴原子(BrCzCzPN,2BrCzPN))以及不含溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子

产地:上海

纯度:99%

用途:仅用于科研

供应商:上海金畔生物科技有限公司

描述:

以氰基为吸电子基团,咔唑或者3-溴咔唑为给电子基团,我们设计合成具有AIE与力致发光特性的D-A有机发光小分子,即CzFPN、BrCzFPN和2CzPN

有机发光小分子CzFPN、BrCzFPN和2CzPN,含有溴原子(BrCzCzPN,2BrCzPN))以及不含溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子

我们结合晶体数据,解释了力致发光现象,发现具有压电效应的空间群、不对称中心的分子排列以及高效固态发光是产生这种现象的主要原因。

有机发光小分子CzFPN、BrCzFPN和2CzPN,含有溴原子(BrCzCzPN,2BrCzPN))以及不含溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子

我们提出将重原子(溴原子)引入到TADF分子中,提高分子的TADF性能,从而提高OLED性能。我们设计合成含有一个溴原子(BrCzCzPN),两个溴原子(2BrCzPN),以及不含有溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子,并将它们制备成OLED器件,研究发现随着溴原子数量的增加,其器件性能越好。

2BrCzPN和BrCzCzPN制备的OLED器件电流效率和外部量子效率分别可达到31.5 cd A-1,12.3%和24.4 cd A-1,10.8%,比2CzPN的器件性能明显提高。

有机发光小分子CzFPN、BrCzFPN和2CzPN,含有溴原子(BrCzCzPN,2BrCzPN))以及不含溴原子(2CzPN)的AIE-TADF分子

上海金畔生物科技有限公司提供金属配合物,热激活延迟荧光(TADF)材料,聚集诱导延迟荧光(AIDF)材料,聚集诱导发光AIE材料的定制合成

基于苯并咪唑和三苯胺作为构筑单元的蓝色荧光有机小分子

即BI-A-TPA、BI-B-TPA、BI-C-TPA和BI-D-TPA

含硫杂环的有机小分子发光材料 深蓝光分子TPA-S和CzB-S

天蓝光分子CzB-SO2

TPA-SO2

蓝光材料PPI-TPA-SO2-1

PPI-TPA-SO2-2

1,6-2TPA-TX/3,6-2TPA-TX

1,6-2TPA-TXO/3,6-2TPA-TXO

以Pt(N^C^C^N)为配位方式的四齿配合物ZPt1,ZPt2和ZPt3

中性自由基分子TTM-1Cz

2,4-双[4-(N,N-二异丁基氨基)-2,6-二羟基苯基]方酸菁(SQ)

2-[4-(N-丁基-N-苯基氨基)-2,6-二羟基苯基]-4-[(4-(N-丁基-N-苯基氨基)-2,6-二羟基苯基)-2,5-二烯-1-亚基]-3-氧代环-1-烯-1-醇钠(SQ-BP)

2'-N-苯并咪唑基-3,5-(9H)二咔唑基联苯(o-mCPBI)

3'-N-苯并咪唑基-3,5-(9H)二咔唑基联苯(m-mCBI)

4'-N-苯并咪唑基-3,5-(9H)二咔唑基联苯(p-mCPBI)