二维范德华异质结构的制备是提高二维材料光电性能的有效策略，为光电化学器件中光电阳极材料的设计提供了新的可能性。

采用液相剥离法和真空过滤法制备了过渡金属二卤代化物MoS2/WSe2异质结光电电极。

线性扫描伏安法、瞬态光电流和开路电位测量表明，异质结光电电极具有增强的光电流强度和改善的光响应活性。

此外，Nyquist阻抗图、Bode相位图和Mott-Schottky测量结果表明，异质结样品比MoS2和WSe2具有更高的电荷转移速率和更长的电荷寿命。

为了揭示机理，利用x射线光电子能谱和第一性原理计算建立了MoS2/WSe2异质结样品的能带排列。

因此，异质结光电阳极PEC性能的改善归因于MoS2和WSe2纳米片之间的内置电场，促进了光电产生的e-h对分离，抑制了它们的复合。

本工作验证了MoS2/WSe2异质结光电电极的PEC机理，对基于TMD异质结构的PEC器件的设计具有重要意义。

更多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/18

二维范德华异质结构的制备是提高二维材料光电性能的有效策略，为光电化学器件中光电阳极材料的设计提供了新的可能性。

采用液相剥离法和真空过滤法制备了过渡金属二卤代化物MoS2/WSe2异质结光电电极。

线性扫描伏安法、瞬态光电流和开路电位测量表明，异质结光电电极具有增强的光电流强度和改善的光响应活性。

此外，Nyquist阻抗图、Bode相位图和Mott-Schottky测量结果表明，异质结样品比MoS2和WSe2具有更高的电荷转移速率和更长的电荷寿命。

为了揭示机理，利用x射线光电子能谱和第一性原理计算建立了MoS2/WSe2异质结样品的能带排列。

因此，异质结光电阳极PEC性能的改善归因于MoS2和WSe2纳米片之间的内置电场，促进了光电产生的e-h对分离，抑制了它们的复合。

本工作验证了MoS2/WSe2异质结光电电极的PEC机理，对基于TMD异质结构的PEC器件的设计具有重要意义。

更多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

InP非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(HBT) 等方面。InP基器件在毫米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用。

相关产品

n-type MoS2 crystals N型二硫化钼晶体

Rare: Naturally Occurring Tungsten Disulfide (WS2)  稀有晶体：天然二硫化钨晶体

MoS2 大尺寸二硫化钼晶体

MoS2 大尺寸二硫化钼晶体

TaS3 三硫化钽晶体

I2 intercalated WS2  二硫化钨晶体（碘）

I2 intercalated MoS2 二硫化钼晶体（碘）

SbAsS3 三硫化砷锑晶体

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 ：上海

纯度：99%

InP非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(HBT) 等方面。InP基器件在毫米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用。

相关产品

n-type MoS2 crystals N型二硫化钼晶体

Rare: Naturally Occurring Tungsten Disulfide (WS2)  稀有晶体：天然二硫化钨晶体

MoS2 大尺寸二硫化钼晶体

MoS2 大尺寸二硫化钼晶体

TaS3 三硫化钽晶体

I2 intercalated WS2  二硫化钨晶体（碘）

I2 intercalated MoS2 二硫化钼晶体（碘）

SbAsS3 三硫化砷锑晶体

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 ：上海

纯度：99%

中文名称：MoS2量子点掺杂聚苯乙烯材料

纯度：98%

包装：mg级和g级

货期：一周

地址：上海

厂家：上海金畔生物科技有限公司

零维的量子点结构具有更强的量子限域以及边缘效应,从而具有新颖的物理特性及应用.与其他半导体量子点相比,二硫化铝(MoS2)量子点由于不包含重金属,且制备方法简单,能够应用在催化,生物标记等领域.更为重要的是,

由于二硫化铝(MoS2)量子点具有波长可调谐的发光性质,与聚合物掺杂后有望实现新型的柔性发光显示器件.本文提出利用液相超声法制备了新型的MoS2半导体量子点溶液,并用透射电子显微镜对其进行了形貌表征.通过统计量子点尺寸,得到量子点平均尺寸为3.25nm.加入适量的NaOH后,量子点的尺寸变大,平均尺寸为3.75nm,且结晶度变好,溶液的荧光强度显著增强.分别测试了其吸收光谱和光致荧光光谱,发现吸收光谱中层状结构的特征峰消失,表明制备出了量子点溶液.荧光光谱表明合成的量子点具有波长可调谐效应,随着激发波长的不同,发射波长会发生相应改变.为了实现基于这种量子点的柔性发光器件,探索了其掺杂在聚苯乙烯材料中的特性,结果表明,掺杂在聚苯乙烯材料的量子点溶液能够经过旋涂形成均匀柔性薄膜,并能够自动脱落.通过进一步提高量子产率及量子点的稳定性,这种MoS2量子点掺杂聚苯乙烯材料在聚合物光子器件中将具有重要的应用前景.

量子点定制产品目录：

透明质酸修饰铈纳米量子点

PEI修饰量子点（PEI-QDs）

透明质酸修饰氟化石墨稀量子点

FAX修饰金属卤素钙钛矿量子点

多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)修饰CdSe/CdS/ZnS核壳量子点

羧基修饰碳量子点

碲化锌修饰掺铜硒化锌量子点

Cu离子掺杂的ZnSe量子点(quhaitumdots,QDs)

锰掺杂硫化锌量子点

ZnS量子点修饰石墨烯纳米复合材料

溶菌酶修饰的CdTe量子点

透明质酸修饰AgInS2/ZnS量子点

CLV3十二肽修饰CdTe量子点

巯基聚乙二醇(mPEG-SH)修饰CdTe量子点

氯元素修饰碳量子点

聚多巴胺修饰碳量子点

巯基乙醇修饰CdTe量子点

CdSe量子点(CdSe-QDs)修饰聚乳酸纳米粒(PLA-NPs)

聚己基噻吩/硒化镉量子点

巯基丙酸(2MPA)修饰的CdS、ZnS量子点

巯基丙酸(MPA)修饰的CdS、ZnS量子点

3-巯基丁酸(3MBA)修饰的CdS、ZnS量子点

2-甲基丁酸(MMBA)修饰的CdS、ZnS量子点

厂家：上海金畔生物科技有限公司

中文名称：MoS2量子点掺杂聚苯乙烯材料

纯度：98%

包装：mg级和g级

货期：一周

地址：上海

厂家：上海金畔生物科技有限公司

零维的量子点结构具有更强的量子限域以及边缘效应,从而具有新颖的物理特性及应用.与其他半导体量子点相比,二硫化铝(MoS2)量子点由于不包含重金属,且制备方法简单,能够应用在催化,生物标记等领域.更为重要的是,

由于二硫化铝(MoS2)量子点具有波长可调谐的发光性质,与聚合物掺杂后有望实现新型的柔性发光显示器件.本文提出利用液相超声法制备了新型的MoS2半导体量子点溶液,并用透射电子显微镜对其进行了形貌表征.通过统计量子点尺寸,得到量子点平均尺寸为3.25nm.加入适量的NaOH后,量子点的尺寸变大,平均尺寸为3.75nm,且结晶度变好,溶液的荧光强度显著增强.分别测试了其吸收光谱和光致荧光光谱,发现吸收光谱中层状结构的特征峰消失,表明制备出了量子点溶液.荧光光谱表明合成的量子点具有波长可调谐效应,随着激发波长的不同,发射波长会发生相应改变.为了实现基于这种量子点的柔性发光器件,探索了其掺杂在聚苯乙烯材料中的特性,结果表明,掺杂在聚苯乙烯材料的量子点溶液能够经过旋涂形成均匀柔性薄膜,并能够自动脱落.通过进一步提高量子产率及量子点的稳定性,这种MoS2量子点掺杂聚苯乙烯材料在聚合物光子器件中将具有重要的应用前景.

量子点定制产品目录：

透明质酸修饰铈纳米量子点

PEI修饰量子点（PEI-QDs）

透明质酸修饰氟化石墨稀量子点

FAX修饰金属卤素钙钛矿量子点

多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)修饰CdSe/CdS/ZnS核壳量子点

羧基修饰碳量子点

碲化锌修饰掺铜硒化锌量子点

Cu离子掺杂的ZnSe量子点(quhaitumdots,QDs)

锰掺杂硫化锌量子点

ZnS量子点修饰石墨烯纳米复合材料

溶菌酶修饰的CdTe量子点

透明质酸修饰AgInS2/ZnS量子点

CLV3十二肽修饰CdTe量子点

巯基聚乙二醇(mPEG-SH)修饰CdTe量子点

氯元素修饰碳量子点

聚多巴胺修饰碳量子点

巯基乙醇修饰CdTe量子点

CdSe量子点(CdSe-QDs)修饰聚乳酸纳米粒(PLA-NPs)

聚己基噻吩/硒化镉量子点

巯基丙酸(2MPA)修饰的CdS、ZnS量子点

巯基丙酸(MPA)修饰的CdS、ZnS量子点

3-巯基丁酸(3MBA)修饰的CdS、ZnS量子点

2-甲基丁酸(MMBA)修饰的CdS、ZnS量子点

厂家：上海金畔生物科技有限公司

在MoS2单分子层中添加缺陷可以激活惰性基面并产生活性位点，从而改善MoS2单分子层的电子和光电性能。以表面活性剂黄原酸乙酯(C2H5OC(=S)SNa)为硫源，通过常规水热法制备了具有二维网状结构的富缺陷MoS2单分子层。

XRD、Ramhai光谱和FESEM/EDS分析结果表明，所制备的MoS2是一种富mo缺s的非晶态材料。HRTEM推断，MoS2可能主要由单层组成，延伸至(100)平面。

AFM清楚地显示MoS2纳米片以富含缺陷的2D网状单层存在，厚度约为0.62 nm。XPS进一步证实Mo和S有丰富的空缺。

富含缺陷的二维网状MoS2具有良好的析氢活性，Tafel斜率为58.4 mV/dec，析氢电位为235 mV，电荷转移电阻为4.99 Ω，双层电容为19.63 mF/cm2。

通过产生有效分离的光电子和空穴，实现了极佳的光电转换。在可见光照射10 h的条件下，1 g MoS2光催化黄药己基的降解量达到~ 3400 mg。

更多推存

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。

在MoS2单分子层中添加缺陷可以激活惰性基面并产生活性位点，从而改善MoS2单分子层的电子和光电性能。以表面活性剂黄原酸乙酯(C2H5OC(=S)SNa)为硫源，通过常规水热法制备了具有二维网状结构的富缺陷MoS2单分子层。

XRD、Ramhai光谱和FESEM/EDS分析结果表明，所制备的MoS2是一种富mo缺s的非晶态材料。HRTEM推断，MoS2可能主要由单层组成，延伸至(100)平面。

AFM清楚地显示MoS2纳米片以富含缺陷的2D网状单层存在，厚度约为0.62 nm。XPS进一步证实Mo和S有丰富的空缺。

富含缺陷的二维网状MoS2具有良好的析氢活性，Tafel斜率为58.4 mV/dec，析氢电位为235 mV，电荷转移电阻为4.99 Ω，双层电容为19.63 mF/cm2。

通过产生有效分离的光电子和空穴，实现了极佳的光电转换。在可见光照射10 h的条件下，1 g MoS2光催化黄药己基的降解量达到~ 3400 mg。

更多推存

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/21

MoS2 二硫化钼 高纯粉末 纯度99.999%的加工工艺

上海金畔生物科技有限公司可以提供以下二维晶体材料：二硫化钼MoS2，ReNbS2二硫化铌铼晶体等，也提供HfSe2 硒化铪,SnS2二硫化锡,二硒化钽TaSe2,高纯 WTaSe2,二硒化钒VSe2等晶体粉体,我们提供的产品仅仅用于科研，不能用于临床。

MoS2 二硫化钼 高纯粉末 纯度99.999%

二硫化钼规格：D50=1.5μm， 4-5μm，12μm-16μm

纯度：99.9995%

重量：1g

用途：用于生长制备二维晶体材料，广泛应用于汽车工业和机械工业用碳刷添加剂、添加在润滑油、润滑脂、聚四氟乙烯、尼龙、石蜡、硬脂酸中可起提高润滑和降低摩擦的功效。

产品性能：

二硫化钼能够持久在真空或者空气环境中润滑的良好固体润滑剂。摩擦系数比较低，空气中350℃以下可以持久润滑。用碳刷添加剂，可有效延长电刷的寿命15-20%以上。

制备方法：使用再提纯后的单质高真空密封烧结

加工工艺流程如图

成分质量控制如图

相关产品：