在MoS2单分子层中添加缺陷可以激活惰性基面并产生活性位点，从而改善MoS2单分子层的电子和光电性能。以表面活性剂黄原酸乙酯(C2H5OC(=S)SNa)为硫源，通过常规水热法制备了具有二维网状结构的富缺陷MoS2单分子层。

XRD、Ramhai光谱和FESEM/EDS分析结果表明，所制备的MoS2是一种富mo缺s的非晶态材料。HRTEM推断，MoS2可能主要由单层组成，延伸至(100)平面。

AFM清楚地显示MoS2纳米片以富含缺陷的2D网状单层存在，厚度约为0.62 nm。XPS进一步证实Mo和S有丰富的空缺。

富含缺陷的二维网状MoS2具有良好的析氢活性，Tafel斜率为58.4 mV/dec，析氢电位为235 mV，电荷转移电阻为4.99 Ω，双层电容为19.63 mF/cm2。

通过产生有效分离的光电子和空穴，实现了极佳的光电转换。在可见光照射10 h的条件下，1 g MoS2光催化黄药己基的降解量达到~ 3400 mg。

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