要获得高质量并具有一定电学参数的硅外延单晶薄膜,对定积参数应加以研究及控制。下面我们来讨论哪些淀积参数会影响外延层的质量及电学性质.
(1）氩气与SiCl混合气体流动的图案除了上述的气流方向应与衬底表面平行外，气体进入反应系统的入口的设计亦应加以研究，以便获得均匀的气流，才能使淀积层的厚度均匀.
(2)系统的糖度系统的沾污应尽量减到最小,才能较好地控制外延层的杂质浓度.
(3)衬底的制备一般化学抛光比机械抛光好，所以首先以颗粒大小不同的金钢砂作顺序研磨，然后用化学抛光法去掉研磨的损伤层,用去离子水冲洗千净,再以高电阻率的有机溶剂(如甲醇)冲洗后,保持在干燥器中待用,并应完全避免衬底表面存在任何机械损伤.
(4）横过衬底的温度梯度 温度梯度应越小越好,一-般片子的中心与边绿的温度差△T不大于50—10℃,以便减少由温度梯度引起热应力所产生的位错及其他缺陷.
(5)淀积的温度淀积的温度对晶体的完整性有显著的影响．淀积的温度亦会影响淀积率、厚度的变化率、电阻率的分布等．因而选择淀积温度时，必须保证对晶体的完整性影响不大，同时又能获得厚度较均匀的外延单晶薄膜.
(6)淀积时间淀积时间对外延层质量的影响,迄今倘未作过系统的研究,但是这个因素还是很重要的．第一，整个淀积时间内淀积率应保持固定．第二，生长过程中达到某极限时间后,则晶体完整性变坏、由此可见淀积时间与外延层质量之间的关系是有必要加以研究的。
(7) siCl,与氲气的比率也是一个重要的因素,因为它直接影响淀积的速率,当然与晶体的完整性亦有关.
(8）氧气的流速,它也是值接影响淀积速率及衬底杂质原子转移的数量.
(9) siCl,的e度，它直接影响了外延层的电阻率.
制备高质量的外延单晶薄膜,在某固定的反应系统下,上迹这些因素应系统地进行研究,获得最佳条件后进行外延单晶薄膜的生长．这些条件与外延层质量的关系刻于下表.
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