单层硅锗(Si-Ge)薄膜外延生长步骤

在温度为600度左右,3英寸11型Si(100)衬底上生长了Si/SiGe/Si单层结构,衬底经过RCA+10%HF酸清洗后立即送进设备,生长室本底真空lff7帕,衬底以顺时针10转每秒的速度旋转,生长压强约几帕数量级。生长步骤如下:

1,以流量为2sccm生长Si缓冲层,生长时间为100秒。以改善外延衬底质量。

2,关闭流量阀,抽生长室气体,以消除SiGe、Si层生长干扰,优化生长条件。

3,打开气路开关,使SiH4与Ge出气体混合均匀,时间60秒。

4,打开气路开关,以Sin4:6eH4比为6:1SCCM生长SiGe层,生长时问50秒。

5,关掉气路开关,对生长室抽残余sil44,Gel44气体30秒,以获得成分陡峭的SiGe,Si层。

6,以2SCCM流量生长Si顶层,时间450秒。

HRXRD测试表明获得结晶良好SiGe外延层,XTEM测试(如下图)表明获得界面清晰,完整的层状结构,si缓冲层、SiGe层、Si顶层依次厚为40nm、45nm、180nm。同时发现购买的硅片缺陷较大,这无疑对我们的外延质量有重大影响。

单层硅锗(Si-Ge)薄膜外延生长步骤

上海金畔生物供应各种金属薄膜材料:

SrMoO4薄膜 光致发光薄膜

ZnO+Pt+Ti薄膜

SiO2/Pt薄膜

ZnO+钠钙玻璃薄膜

ZnO+SiO2薄膜

ITO+ZnO薄膜

二氧化钛TiO2薄膜

GaAs InGaP薄膜

SrRuO3薄膜

InP上镀InAlAs薄膜

掺杂ZnO薄膜

InP上镀InAlAs薄膜

ZnO +Au+Cr薄膜

ZnO薄膜

康宁7980上镀ITO膜

YIG单晶外延薄膜GGG衬底

Al2O3+YBCO薄膜

Si上镀Ge薄膜

LaAlO3+SrTiO3薄膜

Si+SiO2薄膜

GaN系列薄膜

SiC 3C薄膜

GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型

SOI基片(Si+SiO2+Si)

Glass+FTO薄膜

Al2O3+Si薄膜(SOS)

Diamond金刚石膜

Si+SiO2+Si3N4薄膜

Si+Si3N4薄膜

YSZ+CeO2薄膜

Si+SiO2+Ti+Pt薄膜

Si+Cu薄膜

Si镀Ni薄膜

Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜

CVD MoS2薄膜

Ba1-xSrxTiO3膜

玻璃上镀Mo膜

Si+BN薄膜

La2Zr2O7薄膜

AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜

La1-xSrxTiO3薄膜

Si+SiO2+Cr+Au薄膜

La1-XSrXMnO3薄膜

Si片外延AIN薄膜

LaNiO3导电薄膜

Si+Al薄膜

Si+Ag薄膜

二碲化镍(NiTe2)CVD薄膜

碲化锑CVD(Sb2Te3)薄膜

Bi2Te3碲化铋CVD薄膜

MoTe2二碲化钼CVD薄膜

二硒化钯(PdSe2)CVD薄膜

二硒化铂(PtSe2)CVD薄膜

Bi2Se3硒化铋CVD薄膜

SnSe2二硒化锡CVD薄膜

ReSe2二硒化铼CVD薄膜

二硒化钨(WSe2)CVD薄膜

二硒化钼(MoSe2)CVD薄膜

二硫化锡(SnS2)CVD薄膜

二硫化铼(ReS2)CVD薄膜

二硫化钨(WS2)CVD薄膜

二硫化钼(MoS2)CVD薄膜