黑磷纳米片层(BPNSs)的制备方法

一种用于光催化降解染料废水的黑磷纳米片层的制备方法,该方法具体包括以下步骤:    (1)多层黑磷的制备:将除去表面氧化层的赤磷置于研钵中研磨0.5-1h,得到多层黑磷前驱体,之后将多层黑磷前驱体在转速为400-600r/min下机械球磨24-48h,即得到多层黑磷;   (2)黑磷纳米片层的制备:将多层黑磷与表面活性剂一起加入至水中,进行一次超声后,得到混合溶液,将混合溶液进行一次离心后,收集上层清液,得到黑磷纳米片层前驱体,将黑磷纳米片层前驱体加入至水中,搅拌均匀后进行二次超声,之后进行二次离心,得到固体沉淀,将该固体沉淀干燥后,即得到所述的黑磷纳米片层。

黑磷纳米片层(BPNSs)的制备方法

黑磷纳米片层(BPNSs)的制备方法

步骤(1)所述的除去表面氧化层的赤磷的制备方法为:将赤磷与水一起加入至水热釜中,在190-210℃下反应10-15h,反应结束后,取出固体,干燥后即得到除去表面氧化层的赤磷。通过在水热釜中对赤磷进行高温热蒸,以除去赤磷表面的氧化层。    

在制备除去表面氧化层的赤磷过程中,每1mL水中加入0.1-0.2g赤磷。   

步骤(1)所述的机械球磨过程中,同时充入氩气进行保护,防止多层黑磷前驱体被氧化。   步骤(2)中,所述的表面活性剂的质量为多层黑磷质量的2.5-5%。    

步骤(2)中,所述的一次超声过程中,超声波的频率为35-45KHz,超声时间为1.5-2.5h;所述的二次超声过程中,超声波的频率为35-45KHz,超声时间为0.5-1.5h。    

步骤(2)中,所述的一次离心过程中,离心机转速为8000-12000r/min,离心时间为8-12min;所述的二次离心过程中,离心机转速为4000-6000r/min,离心时间为3-8min。    

步骤(2)所述的搅拌过程中,搅拌机转速为400-600r/min,搅拌时间优选为3-25min,使黑磷纳米片层前驱体均匀分散于水中。    

步骤(2)中,所述的表面活性剂包括CTAB、SDS、PVP、P123、SDBS、Brij30、TritonX100或Tween80中的一种或多种。其中,CTAB为十六烷基三甲基溴化铵,SDS为十二烷基硫酸钠,PVP为聚乙烯吡咯烷酮,P123为聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物,SDBS为十二烷基苯磺酸钠,Brij30为聚氧乙烯月桂醚,TritonX100为聚乙二醇辛基苯基醚,Tween80为失水山梨醇单油酸酯聚氧乙烯醚。

上海金畔生物供应黑磷纳米材料的相关定制产品,产品如下:

黑磷烯量子点石墨烯纳米片三维复合材料

黑磷相超薄铋纳米片改性复合膜

黑磷烯改性蚕丝蛋白/明胶纳米纤维膜

黑磷纳米片负载壳聚糖水凝胶

铜纳米颗粒/黑磷纳米片复合材料

石墨烯/黑磷纳米片/含氮离子液体复合气凝胶

二硫化钼纳米片负载黑磷纳米片(MoS2/BPNSs)

纤维素/黑磷纳米片复合水凝胶

黑磷活化石墨烯异质结负载氮化镍颗粒

磷酸化纤维素纳米纤维/黑磷量子点

银簇纳米氧化物复合物负载二维黑磷纳米片

黑磷纳米片/硫化铜纳米粒子的纳米复合物(CuS/BPNSs)

季胺化壳聚糖修饰黑磷纳米片(TMC-BPNSs)

聚多巴胺修饰黑磷纳米片BP@PDA

黑磷纳米片负载阿霉素(BPNSs/DOX)

黑磷纳米片BPNSs多功能纳米药物载体

卤化黑磷纳米片

二碳化三钛/二氧化钛/黑磷纳米片复合光催化剂

黑磷纳米片/麦芽糖基β环糊精修饰玻碳电极

黑磷负载单原子催化剂

黑磷烯掺杂金属有机框架ZIF-8/BP纳米复合材料

黑磷烯掺杂金属有机框架BPQDs@ZIF-67

硒掺杂黑磷纳米片

碳掺杂二维黑磷

氧掺杂二维黑磷

硫掺杂二维黑磷

聚丙烯胺盐酸盐修饰黑磷(PAH/BP)

机金属框架MOF包覆二维黑磷纳米片(BPNSs)

黑磷纳米片有机溶剂分散液

聚苯胺修饰黑磷纳米片(PANI/BPNSs)

黑磷烯聚苯胺复合物(PANI/BPNSs)

锌配位黑磷纳米片ZnBPNSs

维纳米黑磷功能化修饰改性的聚乳酸纳米纤维支架

黑磷纳米片/金纳米粒子复合材料(AuNP/BPNSs)

四氧化三钴纳米粒子/黑磷纳米片复合材料(Co3O4/BPNSs)

三维多孔碳/氧化铌复合体

三维多孔碳/氧化铌复合体

三维多孔碳/氧化铌复合体;片层间孔径50-500纳米,片层厚度:100-200纳米;复合的氧化铌颗粒粒径30-100 纳米

产品介绍

产品颜色

带黑白色

实物形态

粉体

片层间孔径

50-500纳米

片层厚度

100-200纳米

复合的氧化铌颗粒粒径

30-100 纳米

储存条件

常温干燥

三维多孔碳/氧化铌复合体
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司

三维多孔碳镍复合体

三维多孔碳镍复合体

三维多孔碳镍复合体;实物形态粉体,片层间孔径:50-500纳米,片层厚度:100-200纳米

产品介绍

产品颜色

黑色

实物形态

粉体

片层间孔径

50-500纳米

片层厚度

100-200纳米

复合的镍颗粒粒径

30-100 纳米,镍颗粒嵌入碳片形成复合体

储存条件

常温干燥

应用领域

电化学储能(锂电、钠电、钾电、锌电、锌空、锂空、水系电池、锂硫电池、金属电池等)、电催化(析氢、析氯、析氧、氧气还原、氮气还原、二氧化碳还原等)、超级电容器、电分析化学载体、电化学传感(乙醇和葡萄糖浓度检测、甲醇检测等)、甲醛分解催化、柔性电极和柔性电子、金属离子分离过滤、光催化分解降解、环保降解催化VOC、重金属离子吸附、流体力学测试等

三维多孔碳镍复合体
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司

三维多孔碳铜复合体

三维多孔碳铜复合体

三维多孔碳铜复合体,片层间孔径50-500纳米,片层厚度100-200纳米

产品介绍

产品颜色

黑色

实物形态

粉体

片层间孔径

50-500纳米

片层厚度

100-200纳米

复合的铜颗粒粒径

30-100 纳米,铜颗粒嵌入碳片形成复合体

储存条件

常温干燥

应用领域

电化学储能(锂电、钠电、钾电、锌电、锌空、锂空、水系电池、锂硫电池、金属电池等)、电催化(析氢、析氯、析氧、氧气还原、氮气还原、二氧化碳还原等)、超级电容器、电分析化学载体、电化学传感(乙醇和葡萄糖浓度检测、甲醇检测等)、甲醛分解催化、柔性电极和柔性电子、金属离子分离过滤、光催化分解降解、环保降解催化VOC、重金属离子吸附、流体力学测试等

参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司

Wse2纳米片层材料的制备

Wse2纳米片层材料的制备

单层Wse2的分子结构图如图一所示,W原子平面位于两个六边形se原子平面的中间。

Wse2纳米片层材料的制备 

Wse2粉末放在管式炉中,作为wse2纳米片层材料的生长源,将蓝宝石衬底放置在载气流下游6cm处作为受体,通入氩气(流量25cm3/min ),30 /min的速率将炉内温度提高到950 ℃且保持30 min进行气相沉积,将炉体冷却至室温获得WSe。纳米片层材料。

样品测试:

WSe2纳米片层样品的PL光谱由自主搭建的显微光致发光光谱系统测量,该系统的分辨率可达到1.5 um。如图2所示,通过闭循环液氦制冷系统降温﹐177-G42型氩离子激光器614 nm)激发,焦距为550 mmiHR550单色仪和液氮制冷的11S-1024X256-BDCCD探测器采集信号。

Wse2纳米片层材料的制备 

其他表征数据分别由Hitach S-4800型电子扫描显微镜(SEM )的原子力显微镜(AFM ), BX51M 型光学显微镜(OM )、以及拉曼光谱仪获得。

 

结果与讨论:

在蓝宝石001)衬底上生长的WSe2纳米层状结构的典型SEM图如图3 (a )所示,可以清晰地观察到其典型的正三角形片层结构,边夹角为60°,边长为2.7 um。更多不同厚度的WSe2纳米三角形片层可以在光学显微镜中观察到(3b ))。随片层厚度的不同,光学图像的颜色衬度不同。颜色越浅,其厚度越薄。通过光学显微图像可以大面积地快速确认样品厚度。对于二维多层纳米材料,层数和表面平整度是两个非常重要的参数。通过原子力显微镜能精确测量WSe。的高度和表面平整度。如图3 (c )所示,可以看到一个典型的单层和双层WSe。片层结构,其高度分别为0.76 nm1.67 nm l 5-6]

Wse2纳米片层材料的制备 

3

(a)WSe2的扫描电子显微镜图像;

b)WSe,的光学显微镜图像;

c)蓝宝石衬底上单层和双层三角形WSe2纳米片层的AFM图像,插图是对应的高度截面图;

d )双层 WSe2的拉曼图谱。

通过气相沉积法制备了单层和多层WSe2的纳米片层结构。显微PL光谱结果表明当WSe,为单层时,能带为直接带隙;随着层数的增加,其能带结构由直接带隙转变为间接带隙。通过对代表性较强的双层 WSe2进行的PL测量,得知价带在K点的分裂能量差约为0.31 eV。通过分析峰位以及峰强在升温过程中的变化,得出双层 WSe,间接和直接的荧光产率几乎相同,其中随温度升高而产生的峰位红移并不都符合半导体带隙的温度变化规律。这表明在双层结构中,直接跃迁和间接跃迁的性质并不相同。