光电材料|石墨烯量子点的加入对CdSSe光电性能的影响

采用水热法制备了CdSSe/石墨烯量子点(CdSSe/GQDs)复合材料。通过各种物理和化学分析对其结构、形貌和材料性能进行了研究。

根据x射线光电子能谱分析结果,将GQDs复合成复合材料。此外,傅里叶变换红外测试结果表明,复合材料中含有C-O-C和c双键dc官能团。

得到的CdSSe/GQDs复合材料的光电性能优于纯CdSSe半导体。

GQDs含量对CdSSe/GQDs复合材料的光电流密度和电荷转移电阻有很大的影响。

当GQDs含量增加到0.15 wt%时,光电流响应达到1.31 × 10−5 A/cm2,是CdSSe的3倍。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/18

光电材料|石墨烯量子点的加入对CdSSe光电性能的影响

采用水热法制备了CdSSe/石墨烯量子点(CdSSe/GQDs)复合材料。通过各种物理和化学分析对其结构、形貌和材料性能进行了研究。

根据x射线光电子能谱分析结果,将GQDs复合成复合材料。此外,傅里叶变换红外测试结果表明,复合材料中含有C-O-C和c双键dc官能团。

得到的CdSSe/GQDs复合材料的光电性能优于纯CdSSe半导体。

GQDs含量对CdSSe/GQDs复合材料的光电流密度和电荷转移电阻有很大的影响。

当GQDs含量增加到0.15 wt%时,光电流响应达到1.31 × 10−5 A/cm2,是CdSSe的3倍。

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水热法如何制备GQDs石墨烯量子点

水热法如何制备GQDs石墨烯量子点

水热法水热法是制备GQDs 的一类常用方法,该法反应较快并且方便有效,但在制备过程中通常需要使用强酸。该法主要分为三个阶段: 

( 1) 在浓硫酸和浓硝酸的混合液中将石墨烯氧化; 

( 2)在氧化后的石墨烯片层上引入环氧基等含氧官能团,这些含氧官能团倾向于在碳骨架上排成一条直线; 

( 3) 将氧化后的石墨烯在弱碱性( pH= 8) 条件下进行水热处理,去除含氧基团,导致片层破裂,生成GQDs,过滤提纯。

水热法如何制备GQDs石墨烯量子点

Ag@CQDs纳米银负载碳量子点

Ag@GQDs石墨烯量子点负载银颗粒

Ag2Se硒化银荧光量子点

AgInZnS-GO水溶性量子点

Au@CQDs金负载碳量子点纳米颗粒

Au-CdS复合纳米材料

BODIPY@GQDs

CCG-PbSe石墨烯量子点复合物

CCG-ZnSe石墨烯量子点复合物

酞菁|氮和氮硫掺杂石墨烯量子点对MCF-7乳腺癌细胞株的光-声动力学联合活性研究

在光动力治疗(PDT)的光照射下,与氮(NGQDs)和氮-硫(NSGQDs)掺杂的石墨烯量子点的阳离子取代酞菁(Pc)产生活性氧(ROS)的能力,超声用于声动力治疗(SDT)和两者联合用于光声动力治疗(PSDT)。


体外细胞毒性研究使用密歇根癌症基金会-7乳腺癌细胞株(MCF-7细胞)进行。在PDT处理中,所有敏化剂仅检测到1O2,而在SDT和PSDT处理后,1O2和•OH自由基均明显。


与GQDs和Pc单独相比,结合物的1O2生成增加。


然而,与GQDs和Pc单独相比,共轭物中的•OH自由基被减少。与NSGQDs相比,NGQDs的ROS生成效果更好,无论是单独使用还是结合使用。


与单一治疗pc和Pc-GQDs结合物相比,联合治疗的疗效也有所改善。

酞菁|氮和氮硫掺杂石墨烯量子点对MCF-7乳腺癌细胞株的光-声动力学联合活性研究

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酞菁|氮和氮硫掺杂石墨烯量子点对MCF-7乳腺癌细胞株的光-声动力学联合活性研究

在光动力治疗(PDT)的光照射下,与氮(NGQDs)和氮-硫(NSGQDs)掺杂的石墨烯量子点的阳离子取代酞菁(Pc)产生活性氧(ROS)的能力,超声用于声动力治疗(SDT)和两者联合用于光声动力治疗(PSDT)。


体外细胞毒性研究使用密歇根癌症基金会-7乳腺癌细胞株(MCF-7细胞)进行。在PDT处理中,所有敏化剂仅检测到1O2,而在SDT和PSDT处理后,1O2和•OH自由基均明显。


与GQDs和Pc单独相比,结合物的1O2生成增加。


然而,与GQDs和Pc单独相比,共轭物中的•OH自由基被减少。与NSGQDs相比,NGQDs的ROS生成效果更好,无论是单独使用还是结合使用。


与单一治疗pc和Pc-GQDs结合物相比,联合治疗的疗效也有所改善。

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光电材料|氮掺杂石墨烯量子点修饰的ZnxCd1-xS半导体具有可调谐的光电性能

简单的溶剂热法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


介绍了Zn/Cd比和N-GQDs对ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影响。


结果表明,通过调节Zn/Cd比例可以调节复合材料的晶体结构和光电性能。随着Zn含量的增加,ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料由六方结构转变为立方结构,衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之间。


同时,通过调节Zn/Cd比值,光电流响应和电化学阻抗具有良好的可调性。


Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs复合材料具有较高的光电流值3.79 μA cm−2和较低的界面阻抗,优于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


此外,N-GQDs的引入明显提高了半导体的光电性能。

光电材料|氮掺杂石墨烯量子点修饰的ZnxCd1-xS半导体具有可调谐的光电性能

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光电材料|氮掺杂石墨烯量子点修饰的ZnxCd1-xS半导体具有可调谐的光电性能

简单的溶剂热法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


介绍了Zn/Cd比和N-GQDs对ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影响。


结果表明,通过调节Zn/Cd比例可以调节复合材料的晶体结构和光电性能。随着Zn含量的增加,ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料由六方结构转变为立方结构,衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之间。


同时,通过调节Zn/Cd比值,光电流响应和电化学阻抗具有良好的可调性。


Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs复合材料具有较高的光电流值3.79 μA cm−2和较低的界面阻抗,优于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


此外,N-GQDs的引入明显提高了半导体的光电性能。

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