光电材料|氮掺杂石墨烯量子点修饰的ZnxCd1-xS半导体具有可调谐的光电性能

简单的溶剂热法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


介绍了Zn/Cd比和N-GQDs对ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影响。


结果表明,通过调节Zn/Cd比例可以调节复合材料的晶体结构和光电性能。随着Zn含量的增加,ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料由六方结构转变为立方结构,衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之间。


同时,通过调节Zn/Cd比值,光电流响应和电化学阻抗具有良好的可调性。


Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs复合材料具有较高的光电流值3.79 μA cm−2和较低的界面阻抗,优于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。


此外,N-GQDs的引入明显提高了半导体的光电性能。

光电材料|氮掺杂石墨烯量子点修饰的ZnxCd1-xS半导体具有可调谐的光电性能

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