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TADF材料4CzIPN、4CzIPN-Me、4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me以及非TADF材料CBP和α-NPD的研究进展

发表于由

科研人员探索了使用调谐范围分离的泛函来计算各种有机发射体中的单重态-三重态间隙，包括用于 TADF 应用的发射体，以克服上述标准交换泛函的局限性。在应用距离分离参数 ω ( ω )的经验调谐过程的情况下，使用用于 TD-DFT 计算的距离分离交换密度泛函研究了 TADF 系统中观察到的电荷转移。

TADF材料4CzIPN、4CzIPN-Me、4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me以及非TADF材料CBP和α-NPD的研究进展

在一系列已知且经过实验充分表征的 TADF 材料（即2CzPN、CC2TA、PIC-TRZ、PXZ ）中计算了k RISC、自旋轨道耦合 (SOC) 和ΔE ST -TRZ、ACRFLCN、spiro-CN、4CzIPN、4CzIPN-Me、4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me以及两种非 TADF 材料CBP和α-NPD. 该小组利用 B3LYP/6-31G(d) 水平的理论来优化基态 CAM-B3LYP 以及 TD-DFT 和 uSCF 分别用于单重和三重激发态建模，在 PCM 对甲苯的应用下。在应用 TDA 计算激发能量和 LE与CT 贡献的情况下，使用性能最佳的范围分离 LC-ωPBE/6-31+G(d) 理论水平调整和应用最佳ω值。此外，在 COSMOS 连续溶剂化模型的应用下评估了 SOC 矩阵，并在 DUSHIN 程序的应用下评估了 LC-ωPBE 泛函和重组能。

除其他发现外，该研究得出的结论是，HOMO 和 LUMO 的空间分离并不是导致小ΔE的唯一因素。科研人员预计改进将来自稳定作为电荷转移状态的最低能量三重态和加强 SOC 以始终接近系统中的 El-Sayed 规则特征，同时确保高 PLQY。

TADF材料4CzIPN、4CzIPN-Me、4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me以及非TADF材料CBP和α-NPD的研究进展

上海金畔生物科技有限公司提供金属配合物，热激活延迟荧光(TADF)材料，聚集诱导延迟荧光（AIDF）材料，聚集诱导发光AIE材料的定制合成

TADF材料TRZ、ACRFLCN、spiro-CN

TADF材料4CzIPN、4CzIPN-Me

4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me

CBP和α-NPD

纯有机小分子D-A型和D-A-D型的TADF材料

3PXZFCN

4PXZFCN

3PTZFCN

4PTZFCN

基于氧化噻吨酮的热激活延迟荧光材料（TXO-PTZ）

D-A结构的小分子(TXO-CZ)

具有D-A-A结构的TADF材料PX-TRZ-B

给受体型热活化延迟荧光材料PX-SF-B

D-A-A结构的TADF材料PX-BP-B

PT-BP-B

蓝光的TADF材料DPAC-CzBP1

DPAC-CzBP2

基于苯基磷氧基团双极主体材料

基于二苯基磷氧和咔唑单元的蓝光主体材料BCz-BPO 

含有二苯基磷氧基团的双极传输型热激活延迟荧光主体材料POCz-CzCN

TADF树枝状分子POCz-CzCN

基于吡啶的双极主体材料DTPAPPy

DCzPPy

咔唑基材料作为TADF发射器分子：2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph

发表于由

咔唑基材料作为TADF发射器分子：2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph

科研人员使用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 材料实现了设计约束，这是一个由两种组分组成的系统，即咔唑作为供体单元和二氰基苯作为受体单元，两者相互扭曲导致 HOMO 和 LUMO 局部化的情况在每个部分上分别观察到小的 Δ E ST。

TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph.

咔唑基材料作为TADF发射器分子：2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph

通过降低驱动电压来提高设备的功率效率。因此，科研人员能够利用4CzIPN来创建一种设备，该设备设计有载流子和激子限制以及来自激子复合体的能量转移，以创建具有超过 100 lm W -1的高功率效率的绿色 OLED 。这种性能可与含有铱基发光物质的 PHOLED 相媲美

科研人员在2CzPN中显示出 S 1和 T 1 -T n吸收之间的显着光谱重叠，这在存在显着单重态激子密度的情况下解释了基于 STA 和 TTA 机制的激子猝灭机制负责显着的外部量子效率 ( η EQE ) 滚降行为。

科研人员从流行的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN）开始，并衍生出单卤代和二卤代衍生物，其结果是材料的单线态-三线态间隙低约为 0.04 eV（实验确定），荧光寿命与 ISC 相结合，由于重卤素的原子效应未报告任何设备数据。

在 TADF 装置中观察到的操作稳定性降低可能是由于长寿命的三重态能量物种导致不需要的化学反应。引入具有大k isc ∼ 10 6 , 4CzIPN-Me的辅助掺杂剂，以及发光物质 2,8-di[ t – butyl]-5,11-di[4-( t-丁基）苯基]-6,12-二苯基并四苯 (TBRb) 由于在高度优化的浓度下单线态激发的 4CzIPN-Me和 TBRb 之间的 Förster 能量转移，可以抑制 TTA。

包含辅助掺杂剂的器件表现出更长的使用寿命（亮度下降到初始亮度的 0.5 倍的时间）。传统的基于 TBRb 的 OLED 器件的寿命为 5 小时，基于4CzIPN-Me的 TADF 器件为 1472 小时，含有辅助掺杂剂的 TADF 器件（称为 TAF 器件）为 3775 小时。因此可以使用具有更短三重态寿命的辅助荧光团来实现装置稳定性。

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TADF材料4CzIPN、4CzIPN-Me

4CzPN、4CzTPN和4CzTPN-Me

CBP和α-NPD

CRA-TXO-PhCz50-mCP50

CRA-TXO-PhCz12.5-mCP87.5 

红光材料 CRA-TXO-TPA100 

绿光材料CRA-PXZ-Trz掺杂1,3-二-9-咔唑基苯（mCP）

具有TADF性质的配位聚合物CP1

有机化合物L-CHO

TPA-COF CAS#: 1244037-89-5

二羧酸有机配体(L-67-OP和L-67-TEMPO)

晶态多孔材料(Ui O-67-OP,Ui O-67-TEMPO)

功能性热激活延迟荧光染料

次氯酸荧光探针FL-CyN

DCF-MPYM-N1和DCF-MPYM-N2

​4CzIPN cas;1416881-52-1,2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈,热延迟荧光材料TADF

发表于由

4CzIPN cas;1416881-52-1,2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈,热延迟荧光材料TADF

中文名称: 2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈

中文同义词: 2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈 1G;2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)异酞腈;2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈;2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二;2,4,5,6-四咔唑基-1,3-苯二腈;2,4,5,6-四(9-咔唑基)-1,3-苯二腈;2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈

英文名称: 4CzIPN

英文同义词:  

CAS号: 1416881-52-1

分子式: C56H32N6

分子量: 788.89

结构式：

​4CzIPN cas;1416881-52-1,2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈,热延迟荧光材料TADF 

4CzIPN cas;1416881-52-1,2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈,热延迟荧光材料TADF

描述：

在这三种异构体中，4CZIPN的光致发光量子效率（PLQY）最高，达90%。这是因为在最大分子或沥青（HOMO）上的广泛分散性超过了常规化学书籍。报道了相对较短的延迟寿命。此外，还报道了较高的外部量子效率（EQE）通过使用4czipnashaietittrintadf OLED设备观察到。

说明：

2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈将其作为热激活延迟荧光材料,制备出有机发光二极管的内荧光效率超过90%,外发光效率达到20%左右.4CZIPN利用咔唑基(Cz)作为电子给体，二氰基苯作为电子受体，是一种典型的“给体–受体(D-A)”型荧光分子.这种具有D-A结构的有机分子展现了优良的光学特性，不仅在可见光区具有良好的摩尔吸光系数，并且在激发态能保持较长的荧光寿命，这些特性使4CzIPN在充当有机光敏剂时能有效地将能量传递给底物分子，从而将光能有效地转化为化学能."

Fluoresceneλem?551 nm in acetonitrile

熔点 TGA: >300 °C?(0.5% weight loss)

气味 (Odor)Orhaige-yellow powder/crystals

Absorptionλmax?365 nm in acetonitrile

4CzIPN cas;1416881-52-1,2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈,热延迟荧光材料TADF

产品列表：

2CzPN cas：1416881-50-9 4,5-二(9-咔唑基)-邻苯二腈

4CzPN cas：1416881-51-0 3,4,5,6-四(9-咔唑基)-邻苯二腈

4CzIPN cas：1416881-52-1 2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈

4CzTPN cas：1416881-53-2 2,3,5,6-四(9-咔唑基)-对苯二腈

4CzTPN-Ph cas：1416881-55-4 2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-对苯二腈

4CzTPN-Bu  

4CzPN-Ph  

4CzPN-Bu  

DMAC-DPS cas：1477512-32-5 双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]硫砜

DPEPO cas：808142-23-6 二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚

BCPO cas：1233407-28-7 Bis-4-(N-carbazolyl)phenyl)phenylphosphine oxide

AQ(PhDPA)2,b1 cas：1640978-33-1 2,6-双[4-二苯胺基苯基]-9,10-蒽醌

Ac-VPN cas：1784766-38-6 Ac-VPN

热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展

发表于由

科研人员实现了使用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 材料的设计限制，这是一个由两部分组成的系统，

即咔唑作为供体单元和二氰基苯作为受体单元，两者相互扭曲，导致 HOMO 和 LUMO 局部化分别在每个部分上观察到小的 Δ E ST。TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，通过降低驱动电压来提高设备的功率效率。

因此，Seino等人。能够利用4CzIPN创建一个设计有载流子和激子限制以及来自激基复合物的能量转移的器件，以创建具有超过 100 lm W -1的高功率效率的绿色 OLED 。这种性能可与含有铱基发光物质的 PHOLED 相媲美。

热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展

Masui在2CzPN 中显示出 S 1和 T 1 –T n吸收之间的显着光谱重叠，这在显着单线态激子密度的情况下解释了基于 STA 和 TTA 机制的激子猝灭机制负责显着的外部量子效率 ( η EQE ) 滚降行为。


Kretzschmar等人。从流行的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN开始，衍生出单和二卤代衍生物，结果是低单线态 – 三线态间隙为 ~0.04 eV（实验确定），荧光寿命与由于重-卤素的原子效应。未报告设备数据。


在 TADF 设备中观察到的运行稳定性降低可能是由于长寿命的三重态能量物种导致了不需要的化学反应。引入辅助掺杂剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，以及一个发射物质2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 由于在高度优化的浓度下单线态激发的4CzIPN-Me和 TBRb之间的 Förster 能量转移，因此可以抑制 TTA 。97包含辅助掺杂剂的器件显示出更长的工作寿命（亮度下降到初始亮度的 0.5 的时间）。

传统基于 TBRb 的 OLED 器件的寿命为 5 小时，基于4CzIPN-Me的 TADF 器件为 1472 小时，含有辅助掺杂剂的 TADF 器件（称为 TAF 器件）为 3775 小时。因此可以使用具有更短三重态寿命的辅助荧光团来实现装置稳定性。


表 2 聚合物和树枝状咔唑基 TADF 发射体

参考 发射器 设备几何 开启 (V) L cd m -2 CE (cd A -1 ) PE (lm W -1 ) 情商 (%) CIE ( x , y ) HOMO (eV) LUMO (eV) 绝对值 (nm) 电磁 (nm) (QY) 电磁 (nm) (TF) E S 1 (eV) ë Ť 1（eV）的 Δ E S–T (eV)
L：亮度；CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。a 在亮度为 1 cd m -2 时。b 最大值。c CV 实验。d 从 HOMO 能级和吸收边估计。e 在甲苯中测量。f 在空气中测量。g 薄膜在空气中的 PES。h 根据氧化峰的起始电压计算，公式为 -( V onset + 4.78) eV。i 薄膜。j 在 DCM 中测量。
聚合物 TADF 发射器
朱等人。146 政协 ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) 3.0一 554 b 3.6 3.67 1.34 0.25, 0.47 -5.38 ç −2.57天 — 472 e (9 f ) 487 (8) — — —
PAPTC 2.6一 10 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展251 b 41.8 37.1 12.63 0.30, 0.59 -5.33 ç −2.77天 — 510 e (22 f ) 510 (28) — — —
李等人。6 pCzBP ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 混合物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm) 6 5100 b 24.9 9 8.10 0.28, 0.43 −5.41克 −2.76天 307, 361 472 (28) 508 (23) — 2.69 0.18
树枝状 TADF 发射器
阿尔布雷希特等人。149 G2TAZ ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al 3.3 — — — 2.40 0.251, 0.493 −5.76克 −3.01天 — — — 2.77 2.74 0.03
G3TAZ 3.5 — — — 3.40 0.266, 0.485 −5.72 −2.97 — — — 2.79 2.74 0.06
G4TAZ 与上述相同的设备几何结构 3.5 — — — 1.50 0.232, 0.368 −5.68 −2.8 — — — 2.86 2.79 0.06
李等人。147 CDE1 ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（器件 A1–A4）或 CDE2（器件 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al 4.8 >10 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展000 — — 12乙 0.38, 0.56 −5.12小时 −2.54天 289, 299, 349 j — 520 (77) — — 0.11
CDE2 7.7 >10 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展000 — — 5.2乙 0.32, 0.51 −5.25小时 −2.69天 289, 298, 348 j — 499 (75) — — 0.15
罗等人。148 CzDMAC-DPS ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm) 4.0 — 30.6焦耳 24乙 12.2乙 0.22, 0.44 −5.24 i −2.31 b 240, 299, 349 498 492 2.95 2.86 0.09
DCzDMAC-DPS 5.4 — 3.8焦耳 2乙 2.2乙 0.18, 0.27 −5.18 −2.09 b 240, 299, 349 484 464 3.07 2.87 0.2
孙等人。150 TA-Cz ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al 2.6一 25 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展085 b 18.2 b 14.3 b 5.5羽 0.41, 0.54 -4.95 ç -2.31 ç 238, 264, 295, 347, 408 j 591 Ĵ 56 2.49电子 2.33电子 0.17
TA-3Cz 与上述相同的设备几何结构 2.4一 23 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展145羽 39.0 b 40.8 b 11.8 b 0.39, 0.56 -4.92 ç -2.28 ç 238, 263, 295, 341, 408 j 541 Ĵ 71 2.5电子 2.29电子 0.2

表3 用于TADF的咔唑基主体材料

参考 化合物 热重（℃） Ť 克（℃） HOMO (eV) LUMO (eV) λ 绝对(nm) λ Fl (nm) (QY) ë Ť 1（eV）的 È 克（eV）的 发射器 设备几何 开启 (V) CE (cd A -1 ) PE (lm W -1 ) 情商 (%) CIE ( x , y ) L (cd m -2 )
CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；L：亮度；TAPC：4,4' – （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylhaiiline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基氧化膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三氧化钼；Poly-TriCz：三咔唑聚合物；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' – h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚氧化物；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。一个 Vs。SCE (4.4 eV)。b 薄膜。c ^ 2-MeTHF中在77K d 从吸收边缘。e 最大值。F 来自循环伏安法。g 从 HOMO 光隙计算。h 薄膜中的光电子产额光谱。i 磷光从 0-0 跃迁。j 在 1000 cd m -2。k PL 在液氮温度下。l 施加电压为 1 cd m -2。m 在 DCM 中。n 在 CHCl 3 中。o 在 N 2气氛下。p 光电子能谱。q 对比。9,10-二苯基蒽。
李等人。17 邻-CzCN 350–440 94 −5.74 a −2.16 a 295，328，341 b 403 3.01 ç 3.58天 2CzPN ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) ) 5.1 29.23 Ë 18.36 Ë 14.52电子 0.17, 0.23 2746电子
m- CzCN 350–440 121 −5.62 a −2.14 a 296，329，344 b 403 2.81 ç 3.48天 4.8 26.37 Ë 16.56电子 14.98 Ë 0.17, 0.26 4992 e
p- CzCN 350–440 140 −5.59 a −2.16 a 296，332，343 b 406 2.77 ç 3.43天 3.8 14.41 Ë 11.12电子 8.10电子 0.17, 0.28 7856 Ë
李等人。171 o -CzDPz 333 70 −5.69 f −2.16克 293、327、340 397 3.02 3.53天 4CzIPN ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/主体：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 4.8 39.6电子 23.7电子 13.7电子 0.26, 0.54 12 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展780 e
m- CzDPz 350 83 −5.63 f −2.13克 293、326、341 403 2.83 3.5天 4CzIPN 4.5 37.5电子 22.0电子 12.1电子 0.30, 0.57 24 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展050电子
3-CzDPz 378 89 −5.61 f −2.21克 288, 348 380 2.78 3.4天 4CzIPN 3.8 41.1电子 32.2电子 13.3电子 0.31, 0.58 19 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展890 e
米CPDPz 434 140 −5.67 f −2.15克 292、326、340 407 2.76 3.52天 4CzIPN 与上述相同的设备几何结构 4.9 37.9电子 19.8电子 13.1电子 0.22, 0.49 12 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展130 e
西本等人。20 锆石 474 — −6.4小时 −2.5克 287, 315 332 3.00我 3.9 CzTPN ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm) 4.20 37.2 24.4 15 0.18, 0.45 —
Cho等人。172 数据中心 — — −6.14 f −3.26 f 236、251、280、291 427 2.71 2.88 4CzIPN ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 纳米) 3 — — 26.7 — —
盖伊等人。173 微信公众号 — 110 −5.8 −2.5 — — 3.02 ç 3.3 4CzIPN ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) 4.8焦 81 79 21.5焦耳 — —
金和李33 微量CP 312 50–60 −6.1 −2.4 — — 2.9千 3.7 4CzIPN ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展: 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展BmPyPb 1 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展: 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1纳米)/铝 (200 纳米) — — 56.6 28.6 — —
铅酸铅 — — −6.4 −2.7 — — 2.78 ķ 3.7 — — — — — —
赵等人。176 o- mCPBI 400 130 −5.44 f −1.86克 324, 338 — 3.00 3.58 4CzIPN ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) 3.4升 60.4电子 42.0电子 18.5焦耳 0.27, 0.58 —
m- mCPBI 394 124 −5.4 f −1.84克 324, 338 — 2.80 3.56 — — — — — — —
p- mCPBI 429 141 −5.44 f −1.89克 324, 338 — 2.71 3.55 — — — — — — —
班等人。177 TZ-Cz 382 96 −5.2 f −2.31克 236, 265, 295, 379米 535，米490 b 2.8我 2.89天 自宿主发射器 ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm) 40.00 20.0电子 — 6.5电子 0.24, 0.51 18 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展200
TZ-3Cz 407 128 −5 f −2.11克 238, 263, 293, 379米 535，米487 b 2.8我 2.89天 自宿主发射器 3.60 30.5电子 10.1电子 0.24, 0.51 22 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展950
班等人。156 tbCz-SO 380 80 −5.51 f −2.32 235、265、298、350米 475,米440乙 2.91 3.19天 自宿主发射器 ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al 5.1升 4.0电子 — 2.6电子 0.16, 0.19 —
POCz-SO 410 113 −5.6 f −2.41 231, 278, 291, 348米 475，米458 b 2.90 3.19天 自宿主发射器 6.1升 10.5 è — 6.2电子 0.18, 0.27 —
康等人。179 ZDZ — — −5.71 f −2.19 294, 327, 341 n 378 n 2.94 ç 3.51天 2CzPN ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm) 5.00 10.72 Ĵ — 18.5焦耳 0.17, 0.34 3231
ZDN — — −5.72 f −2.27 294, 341 n 378 n 2.92 ç 3.45天 2CzPN 4.70 14.29 Ĵ — 25.7焦耳 0.17, 0.34 6366
曹等人。157 pCnBCzmme 447 141 −5.31 f −2.18克 298, 339 m 463 m (51/63 o ) 2.69 3.13 4CzCNPy ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm) 3.2升 27.8焦耳 16.8焦耳 8.8焦耳 0.31, 0.60 16 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展100电子
pCNBCzoCF 3 400 165 −5.39 f −2.47克 289, 327 m 534 m (13/20 o ) 2.64 2.92 3.7升 26.5焦耳 13.4焦耳 8.0焦耳 0.32, 0.61 14 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展370电子
pCNBCzmCF 3 402 134 −5.41 f −2.45克 285, 358米 543 m (43/55 o ) 2.64 2.96 3.3升 26.4焦耳 13.5焦耳 8.0焦耳 0.33, 0.60 19 热延迟TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph的研究进展200电子
崔等人。154 29Cz-BID-BT — — −6.01 p −2.55克 270–300、325、340 360 3.02 3.46 DPAC-TRZ ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120纳米) — — — 20.8 0.16, 0.34 —
39Cz-BID-BT — — −6.07 p −2.62克 270–300、325、340 360 3.04 3.45 — — — 20.4 0.16, 0.34 —
丁等人。180 9CzFDESPO 511 191 −6.07 f −2.39 f 341、327、283、263、229米 349, 366, 383 m (49%) q 3.0我 3.68 DMAC-DPS ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝 3.50 31.3 28.1 16.7 0.15, 0.30 —
9CzFDPEPO 474 211 −6.07 f −2.52 f 341、329、281、228米 349, 366, 383 m (58%) q 3.0我 3.55 DMAC-DPS 3.50 25.1 22.4 13.2 0.15, 0.30 —