具有热活化延迟荧TADF特性的衍生物PIC-TRZ2,4CzTPN-Ph,2CzPN在器件中的发光磁效应

热活化延迟荧光(TADF)器件中,三线态激子可以吸收环境热量通过反向系间窜越(RISC)转化为单线态激子从而发出延迟荧光,可望实现100％的内量子效率.为揭示TADF器件中电致发光的微观机制,

选取4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2三种不同带隙的高效TADF材料制成有机发光器件,测量并分析器件的电致发光磁效应(MEL).

研究发现,尽管这几种TADF器件4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2具有增强发光的RISC过程,但它们的MEL曲线却表现出与不具有RISC过程的普通荧光器件相似的线型,这是由于外加磁场只影响极化子对间的超精细相互作用,而并不影响激子间的系间窜越与RISC过程.

但是,这些TADF器件的磁效应幅度却会随注入电流的增加而变强,表现出与普通荧光器件相反的结果,电流对三线态激子的形成速率kt和单线态激子的形成速率ks的相对影响(kt/ks)被用来解释了这一反常结果.

氰基类的热激活延迟荧光材料

TADF材料2CzPN、4CzIPN 和4CzTPN-Ph

具有高三线态能级的TADF-OLED主体材料PzCz

CzTPN

TADF分子DCzDCN

TADF分子DDCzIPN

三角构型的TADF材料3DPA3CN

高效的蓝色TADF分子CPC

蓝色TADF分子3CzFCN和4CzFCN

蓝光的TADF分子BFCz-2CN和BTCz-2CN

TADF分子4CzBN、4TCzBN、5CzBN和5TCzBN

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