碲化铟(InTe) <100> 取向 单晶基片

碲化铟晶体indium =elluride crys<<<l In2Te3周期表第 m. Gr族元素化合物半导体。共价键结合,有离子键成分。闪锌矿型结构。密度5.7撇/cm3熔点6fi7};。禁带宽度 1 . C1eV,一般为n型材料。电子和空穴迁移率分别为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法制备。用于制作红外探测器。

碲化铟(InTe)  &lt;100&gt; 取向 单晶基片

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产地 :上海

纯度:99%