研究光电对湿度的响应，利用半导体薄膜，在室温下研究了在snoo₂薄膜上的紫外(UV)光诱导装置。

采用丝网印刷法在Al₂O₃基板上制备snoo₂薄膜。采用XRD和FE-SEM对sno₂的晶体结构和形貌进行了表征。

在四种不同的偏置电压下，首次评估了snoo₂在恒定湿度(20% RH)下的紫外光诱导光电响应。

在2 V偏压下，光电流幅值达到4.58 μA，高于0.2 V偏压下的0.27 μA。

然后测试了不同相对湿度(20% RH、40% RH和60% RH)条件下的光电响应。

结果表明:光电流随相对湿度的增大而减小;为了说明60% RH下snoo₂膜的异常电流，还测试了不同相对湿度条件(20% RH、40% RH和60% RH)下的暗电流。

为了阐明这些结果，提出了相应的可能说明。

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