无机半导体异质结由于其界面现象而引起了广泛的技术应用关注。

采用传统的熔体淬火方法，合成了具有相似禁带宽度的原位合成Sb2Se3/NaSbSe2异质结的硒化复合材料。

研究了不同NaSbSe2含量下复合材料的显微结构和光电性能。

研究表明，NaSbSe2含量通过改变异质结尺寸和晶界电阻直接影响复合材料的光电性能，扫描电子显微镜和阻抗谱分别证明了这一点。

在-1.5 V的偏置电压和7 mW/cm2的照明下，2.5 mol% NaSbSe2和5 mol% NaSbSe2的Sb2Se3光电流密度比纯Sb2Se3大约180倍，这是由于光生载流子通过界面电场的有效分离。

此外，复合材料在0.5 M LiClO4水溶液中也表现出优异的稳定性。

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