结合元素分析和1H-NMR的结构分析表明，溶剂萃取技术成功地得到了不同大小的芳香体系的馏分。

从提取的碳质材料的吸收光谱中计算出的光学带隙与芳香分子大小有很强的相关性。

采用吡啶溶液旋涂技术制备了材料与n型硅之间的结。

在红外光(λ = 940 nm)下进行光电流测量。

以下结果:

(1)光电流取决于提取碳质膜的厚度n-Si衬底,

(2)连接的更紧密的光学带隙能量的光子能量显示大的光电流,

(3)没有发现光电流的连接由硅端氢氟酸。

光载流子的产生发生在薄膜和n-Si衬底之间的界面附近。

碳质薄膜/氧化物/n-Si对这些结的光响应至关重要。

溶剂萃取技术是制备具有合适电子性能的碳基材料的一种很有前途的方法。

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