铜镍硅(Cu-Ni-Si)合金薄带的制备方法

铜镍硅(Cu-Ni-Si)系合金属于典型的时效强化型高强导电铜合金,具有高的强度、良好的导电性,耐热稳定性和易于加工等优异性能,被广泛应用于电子连接器、引线框架材料和电子封装材料等领域。

铜镍硅(Cu-Ni-Si)合金薄带的制备方法

一种基于亚快速凝固的cu-ni-si合金薄带的制备方法,包括以下步骤:

(1)按设计成分冶炼铜合金,获得铜合金熔体,其成分按质量百分数含ni1.0~7.5%,si0.25~1.30%,杂质≤0.05%,其余为cu;

(2)将铜合金熔体通过浇口进入中间包,控制浇注过热度为20~100℃,中间包预热温度1100~1200℃,然后浇入双辊薄带铸轧机进行连铸,制成厚度0.5~5.0mm的铸带,铸带出铸辊后喷水淬火冷却;

(3)对铸带进行(850~900℃)×(0.5~1)h的固溶处理,固溶处理完的铸带经表面打磨后进行单阶段冷轧,获得冷轧带,其中冷轧的道次压下率为15~20%,总压下率85~95%;

(4)将冷轧带在400~500℃进行时效处理,时间2~4h,获得cu-ni-si合金薄带。

所述的步骤(2)中,连铸时控制液位高度50~90mm,连铸棍的转速35~45m/min。

所述的步骤(2)中,连铸过程凝固速率达到103℃/s以上;

所述的步骤(2)中,铸带冷却方式为淬火冷却,冷却速率为60~80℃/s。

所述的步骤(4)中,cu-ni-si合金薄带厚度为0.025~0.75mm。

所述的步骤(4)中,制备的cu-ni-si合金薄带凝固组织csl晶界比例为1.5%~3%。

所述的步骤(4)中,制备的cu-ni-si合金薄带的抗拉强度为700~850mpa,导电率为26~43.5%iacs,硬度为218~287hv。

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