介绍近红外二区量子点硒化铅（PbSe）的产品特性和制备方法
近红外二区量子点硒化铅（PbSe）产品描述：
PbSe量子点(PbSe-QDs)是红外波段的典型纳米材料，其具有大的玻尔半径、小的体材料禁带宽度(玻尔半径是46 nm，体材料禁带宽度是0.28 eV)，因此，在近红外区域，PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率。采用配位溶剂的方法制备了尺寸为4.6和6.1 nm的PbSe量子点，将该PbSe量子点沉积到GaN发光芯片上并经过紫外光照处理和固化后制成了光致发光的近红外光源，其中4.6 nm的PbSe-QDs的沉积厚度为671.5 μm，而6.1 nm的PbSe-QDs的沉积厚度为48 μm。将制成的近红外光源应用到C2H2气体和NH3气体的检测实验中，实验结果表明，通过改变PbSe量子点的尺寸可以调节光源光致发光峰的位置，从而覆盖目标气体在近红外波段的吸收谱线。4.6 nm的光源发射光谱包含了1 500～1 550 nm之间的C2H2气体的全部的吸收谱;6.1 nm的光源发射光谱包含了1 900～2 060 nm之间的NH3气体的全部的吸收谱。这种利用PbSe量子点尺寸的可调性匹配对应气体吸收谱的方法是可行和有效的，具有广阔的应用前景。
近红外二区量子点硒化铅（PbSe）产品特性:
(1)量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。
(2)量子点具有很好的光稳定性。
(3)量子点具有宽的激发谱和窄的发射谱。
(4)量子点具有较大的斯托克斯位移。
(5)生物相容性好。
(6)量子点的荧光寿命长。
半导体量子点是一种准零维的纳米材料,当颗粒尺寸进入纳米量级时,尺寸限域将引起尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应和表面效应,从而派生出纳米体系不同于宏观体系和微观体系的低维物性,展现出许多不同于宏观体材料的物理化学性质。
PbSe量子点作为Ⅳ-Ⅵ族半导体材料，也是重要的∏-∏键半导体材料。其具有较窄的直接带隙。与其他半导体量子点相比，其激子波尔半径为46nm，使其很容易获得很强的量子限域效应。由于量子点产生的荧光可以覆盖整个传输窗口，因此其在光学器件方面有着广泛的应用前景。比如红外探测器，太阳能吸收器，光学开关等。更重要的是，多激子效应已经在量子点上观测到，这一发现使得量子点有望成为高效率的光电转换装置。
近红外二区量子点硒化铅（PbSe）制备方法包括以下步骤：
步骤一：预先制备的二苯基膦硒和三辛基膦硒作为硒源，以氯化铅和油胺的复合物作为铅源，利用室温注入并升温的方法来制备硒化铅量子点。
具体可包括以下步骤：
步骤二：若要得到更大尺寸的量子点，还可进行二次注入硒源(二苯基膦硒和三辛基膦硒)，第二次注入硒源的物质的量可以调节尺寸的大小。
将反应混合物加热到不同温度可以控制PbSe量子点的尺寸，最终的反应温度越高，尺寸越大。
室温时注入的两种硒源的摩尔量应低于铅源的二分之一，两种硒源的比可以调控量子点的尺寸，三辛基膦硒越多，尺寸越大。
最终得到的产物可以通过加入油酸并用常规的量子点分离纯化的方法提纯。
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