在双轴拉伸应变为0% ~ 5%的条件下，基于密度泛函理论系统计算了掺铁二维GaN的形成能、能带结构、介电函数、吸收系数、反射率系数和损耗函数，并详细分析了带隙变化的机理。

结果表明，随着双轴拉伸应变的增大，Fe-N和Ga-N的键长呈线性增加，带隙呈二次变化。结果表明，二维GaN: Fe是一种直接带隙半导体，其带隙类型不受双轴拉伸应变的影响。

未应变2D GaN: Fe的静态介电常数为28.6，随着双轴拉伸应变的增加，2D GaN: Fe的介电常数增大，导致2D GaN的电荷存储容量:随着应变的增大，Fe增强，寄生电容增大，吸收系数、折射率和损耗函数的峰值增大，表明双轴拉伸应变会严重影响二维GaN: Fe的光学性能。

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